单片机编程串口损坏的机理与预防

单片机串口编程省去了专用编程器,只需要3根线就可以实现程序的下载,极大地方便了开发人员,但在使用过程中经常出现串口损坏的情况。本文对损坏机理进行了分析,提出了有效的预防措施。     

实用型多路输出直流稳压电源的设计与制作

本文介绍了一款可以输出±12V、±5V、3.3V多路电压的直流稳压电源,说明了该电源的设计方法、仿真效果和制作要点,并介绍了测试方法。为制作小型的多路输出直流稳压电源提供参考,也可用本文的方法制作可调输出电压的稳压电源。     

一种可编程电压基准源设计与实现

提出了一种新的基于改进的电流模式带隙基准源的可编程基准源的设计与实现方法.电路采用Chartered 0.35μm 工艺仿真并流片.测试结果表明,温度变化范围为0～100℃,温度系数为±36.3ppm/℃(VID=11110).电源电压变化范围为2.7～5V,其相对变化值为5mV.当VID0频率为125kHz时,瞬态响应最大毛刺幅度约为20mV.5位VID码不同的输入状态,输出基准电压从1.1变到1.85V,变化步长为25mV.     

带p埋层表面注入硅基LDMOS模型与优化

提出一种带p埋层的表面注入硅基LDMOS高压器件新结构,称为BSI LDMOS(surface implanted LDMOS with p buried layer).通过表面注入n+薄层降低导通电阻,p埋层不但改善横向表面电场分布,提高击穿电压,而且增大漂移区优化浓度.求解电势的二维Poisson方程,获得表面电场和击穿电压的解析式,研究结构参数对表面电场和击穿电压的影响,数值与解析结果吻合较好.结果表明:与常规结构相比较,BSI LDMOS大大改善了击穿电压和导通电阻的折衷关系.     

脉冲变压器锥形高压绕组电压分布实验研究

对脉冲变压器锥形高压绕组进行了脉宽为1 μs,500 ns及100 ns三种不同脉宽的单脉冲实验,研究了不同输入条件下绕组中的电压分布特性,比较了空心、加内铁芯和加内外铁芯三种不同结构绕组中的对地电压及匝间电压的分布曲线。实验结果表明：在高频冲击电压条件下,脉冲变压器锥形高压绕组中的电压呈现非线性分布且存在明显的振荡过程,导致绕组首端的电压梯度增大,伴随脉宽减小电压波形发生明显畸变,冲击电压以波的形式在绕组中传播,从而引起匝间电压按照正弦规律起伏变化,匝间电压的极值通常出现在绕组首末端,加入铁芯有助于抑制电压谐振但同时增大了匝间电压。     

微波低噪声晶体管电磁脉冲敏感端对研究

在研究电磁脉冲对微电子器件作用效应的过程中,针对三种不同型号的微波低噪声硅半导体器件进行了电磁脉冲（静电放电和方波电磁脉冲）直接注入的试验,结果发现该类器件对电磁脉冲最敏感的端对并不是EB结（发射极-基极）,而是CB结（集电极-基极）。通过对器件结构与放电过程的分析,分别得出了CB结、EB结的损伤机理：随放电电压的增大,热载流子撞击界面,使流经界面处的少数载流子复合速度增加,少数载流子在界面处及界面附近被复合,从而降低了器件的电流放大系数。而无论从哪个结注入,器件完全失效均是由热二次击穿造成。从而更进一步地证明了CB结比EB结更敏感。     

大尺寸纳米晶磁环的动态磁性能测量

在感应型速调管调制器中使用了纳米晶磁性材料制作大尺寸磁环,使用伏安向量法对材料试样的磁性能进行测量,得到频率为20.03 kHz和50 kHz时的动态磁化曲线、磁导率、磁场损耗等参数。使用脉冲法对成型的大尺寸磁环动态磁性能进行测量,励磁方式和工作中完全一致,在测量脉冲脉宽3.5~4.0 μs,重复频率50 Hz,初次线圈均为1匝,外径220 mm,内径80 mm,高60 mm,截面积4 200 mm2时,得到磁环实际能够达到的伏秒数为0.007 V·s,此时所需的偏磁电流大小为8 A。     

感应叠加过程行波分析和模拟

采用变换矩阵为研究工具对感应叠加过程中行波的传播、透射、反射进行了分析,得到了和集中参数分析一致的稳定解,给出了电压随时间变化的细节。建立了3.5 MeV注入器脉冲功率源和感应叠加结构的电路模型,得到的感应腔压模拟波形和实验波形基本一致,结合行波分析法基本解释了腔压波形和Blumlein线输出波形之间较大差异的成因,阴极叠加电压的模拟也反映了实验中主脉冲后的反射波形。     

重复频率脉冲激光作用下膜内包裹物对损伤阈值的影响

利用介质薄膜中包裹物的热理论模型,结合S.Papernov 等利用电子束蒸发技术在熔融石英上沉积含Au包裹物的HfO2薄膜实验,得出Au的吸收截面。以包裹物Au为例,计算了脉冲激光作用下不同包裹物半径对损伤阈值的影响,分析了重复率脉冲激光作用下薄膜损伤阈值的变化及重复频率与激光损伤阈值的关系。结果表明：随着包裹物半径的增加,激光损伤阈值先减小,接着增加而后再减小。激光损伤阈值与脉冲宽度的0.4次方成正比。随着脉冲重复频率的增加,激光损伤阈值单调下降,产生损伤所需的最小脉冲数则单调上升。     

1V以下基于Vgs权重的CMOS恒压源

提出了一种新型CMOS恒压源的制作方案,它基于nMOS和pMOS的饱和区栅源电压随温度变化权重不同的原理,将两者做相关运算,得到零温度系数的恒压源.该电压源没有采用二极管和寄生三极管,并用SMIC 0.18μm数模混合工艺模型参数仿真并制造.测试结果表明,温度系数达到了44ppm/℃,PSRR为-46dB,650mV以上的电源电压就可以完全正常工作.芯片面积约为0.05mm2.