CdS 纳米粒子掺杂的液晶显示器件的低开启电压和频率调制特性

降低能耗对于液晶显示器件,尤其是移动显示尤为重要.在本研究中,3 nm 和 5 nm 两种不同尺寸的 CAS 纳米粒子被用来掺杂入 5CB 液晶材料.掺杂浓度分别为 0.1 wt%和 0.2 wt%.掺杂所得到的液晶显示器件的开启电压由于纳米粒子的影响而被降低,最多可达到25%.并且,相比于前期报道的金属纳米粒子掺杂的液晶显示器件,CdS 纳米粒子显示出稍弱的频率调制特性.     

500 V体硅N-LDMOS器件的研究

借助半导体工艺模拟软件Tsuprem4和Medici,对耐压500 V的体硅N-LDMOS器件进行详细模拟.在模拟过程中,综合考虑了内场限环和场极板技术来弱化表面栅场板边缘和漏端的峰值电场,分析了场限环的长度,注入剂量等参数对耐压的影响.优化后该器件表面电场分布良好,通过Ⅰ-Ⅴ曲线可知,关态和开态耐压均超过500 V,开启电压在1.65 V左右,可以很好应用于各种高压功率集成芯片,具有很好的发展前景.     

短沟Trench MOSFET阈值电压解析模型

传统MOS器件的阈值电压模型被广泛地用于分析Trench MOSFET的阈值电压,这种模型对于长沟道和均匀分布衬底的MOS器件来说很合适.但是对于Trench MOSFET器件来说却显现出越来越多的问题,这是因为Trench MOSFET的沟道方向是垂直的,其杂质分布也是非均匀的.本文基于二维电荷共享模型,给出了Trench MOSFET的一种新的阈值电压解析模型,该模型反映了器件的阈值电压随不同结构和工艺参数变化的规律,模型的结果和器件仿真软件Sivaco TCAD的仿真结果吻合较好.该模型较好地解决了以往所用的Trench MOSFET阈值电压模型计算不准确的问题.     

一种门限的基于身份无需随机预言的签名方案

 本文针对Paterson无需随机预言的签名方案,提出了一种新的基于身份的无需随机预言的(t,n)门限签名方案,并分析了新方案的正确性和安全性.分析结果表明,在离散对数难题下,参与者能方便的产生个体签名,公开验证者可通过验证公式,决定是否接受个体签名和门限签名.而任何攻击者不能伪造个体签名,不能通过窃听个体签名、门限签名和其他公开信息得到系统秘密值,即使已知所有参与者的秘密值,也无法伪造门限签名.该方案在各种可能的攻击下是安全的.     

TiCN对钛酸钡基PTC热敏陶瓷性能的影响

采用固相反应法制备了TiCN掺杂的(Ba0.85Sr0.11Pb0.04)TiO3 PTC热敏陶瓷。研究了TiCN加入量对其显微结构和PTC性能的影响。结果表明:添加x(TiCN)为0.006时,可使晶粒结构均匀,PTC性能得到改善。所获样品的体积电阻率ρv为31.2Ω.cm,电阻温度系数αR为21%℃–1,升阻比lg(Rmax/Rmin)为5.7,居里温度tC为97℃,耐电压强度Vb为280 V.mm–1。     

颜色视觉匹配中显示器颜色色差阈值的评价

为了对阴极射线管(Cathode ray tube,CRT)显示器颜色恰可辨别的小色差阈值进行评价,在中性灰背景下,用编制的颜色匹配程序,在CRT显示器上随机产生颜色,分别调节程序中R、G、B通道的值,使匹配色与随机色达到视觉上的一致,进行颜色视觉匹配实验,测量CRT显示器上随机色和匹配色的L*a*b*值.用不同的色差公式对实验数据分别从明度、色调、饱和度进行比较分析,色差公式评价小色差的性能是CIEDE2000优于CMC(2∶1)和CIEL*a*b*.在a*b*图上绘制实验颜色恰可辨别图.不同色差公式计算的CRT显示器恰可辨别小色差阈值不同.     

自适应估计信号个数的频谱信号提取算法

无线电监测频谱数据中包含有大量的信号,准确提取这些信号有利于掌握全频段的频谱使用情况。实际信号的频谱由于受噪声干扰,会出现信号频带内个别频点能量值低于检测门限的情况,此时传统的门限检测算法会将该信号错估为多个信号,产生多个虚假的相邻信号间隔,导致频谱信号提取的准确率下降。对此,根据虚假相邻信号间隔特点,提出一种自适应估计信号个数的频谱信号提取算法,该算法可自动、准确估计频谱监测数据中电磁信号的个数,并将对应的信号及频谱信息提取出来。实验结果表明,该方法具有自适应性、强鲁棒性和高准确性,有效提高了频谱信号提取的准确率,为军、民电磁环境的识别与掌握提供基础的电磁信号数据支撑。     

由背面工艺导致的3.3-kV NPT-IGBT阳极注入效率降低效应的实验研究

The anode injection efficiency reduction of 3.3-kV-class non-punch-through insulated-gate bipolar transistors (NPT-IGBTs) due to backside processes is experimentally studied through comparing the forward blocking capabilities of the experiments and the theoretical breakdown model in this paper. Wafer lifetimes are measured by a μ-PCD method, and well designed NPT-IGBTs with a final wafer thickness of 500 μm are fabricated. The test results show higher breakdown voltages than the theoretical breakdown model in which anode injection efficiency reduction is not considered. This indicates that anode injection efficiency reduction must be considered in the breakdown model. Furthermore, the parameters related to anode injection efficiency reduction are estimated according to the experimental data.     

基于广义积分器的DVR控制策略研究

针对动态电压恢复器（DVR）电压跟踪控制,将广义积分器引入DVR中,克服了传统PI控制器的缺点,实现了电压无差跟踪控制。为了得到良好的补偿效果,采用电容电流内环、电压外环控制的双环控制策略,在推导出系统传递函数的基础上,用Bode图分析了系统对参考电压的跟踪性能以及对负载电流扰动的抑制。实验结果验证了控制策略的有效性和鲁棒性。     

基于Otsu法自适应阈值的图像分割研究

概述了基于一维Otsu 和二维Otsu 双门限的阈值分割法,提出了基于像素邻域平均灰度的改进的一维Otsu 多门限分割方法,兼有准确性和快速性的优点,并应用于MRI脑图像,实现了多个目标的自动分割,与普通的一维Otsu 法相比具有更好的分割效果.