光刻机曝光均匀性在线检测方法

光刻机的曝光量和焦距会随着做片量的增加发生漂移,具体表现为曝光场内和圆片内出现曝光不均的质量异常。设计了针形解析图形和方形显开解析图形,利用Ultra Step 1000光刻机进行实验,分析了曝光量和焦距的变化对解析图形解析值的影响。结果表明,曝光量对针形光胶解析图形影响较大,焦距对方形显开解析图形的影响较大。设计了解析图形在曝光场内和圆片内的布局方案,以及在线检测曝光场内和圆片内的曝光均匀性的具体方法,利用该方法可以有效提高光刻机曝光均匀性的在线监控效率,提早预防曝光不均异常现象的发生。该监控方法可以应用于其他类型的光刻机。     

一种基于改进型PCNN的织物疵点图像自适应分割方法

 针对传统脉冲耦合神经网络(Pulse Coupled Neural Network,PCNN)模型中网络参数多、不易自动选取的问题,本文在对PCNN模型进行改进的基础上,提出了一种基于改进型PCNN织物疵点图像自适应分割方法.采用了一种基于分割区域内均匀度差异最小作为最佳迭代次数判断标准,从而有效地满足了PCNN对织物疵点图像的自动分割要求.通过对不同疵点图像分割实验证明了算法对疵点分割的准确性和有效性.     

方形亥姆霍兹线圈磁场系统均匀性分析

方形亥姆霍兹线圈用于模拟零磁场或量程范围内的任意大小和方向的磁场,其磁场均匀区与线圈结构尺寸有关。为了得到其磁场均匀区与结构尺寸的关系,构建了方形亥姆霍兹线圈的数学模型,导出了线圈内部任意点的磁感应强度矢量表达式,得出了输出电流与产生磁场大小的对应关系,利用程控恒流源和磁强计跟踪补偿动态地模拟出稳恒磁场,对系统产生的磁场的均匀区进行了测定,分析表明,理论计算与实验结果有较好的一致性。     

光学积分器对太阳模拟器辐照均匀性的影响

光学积分器是太阳模拟器实现均匀辐照的关键光学器件,介绍了光学积分器的组成及其工作原理,阐述了方位偏移误差和倾斜偏移误差对辐照均匀性的影响。根据光学积分器的工作原理,利用软件Lighttools将两种光轴一致性误差对辐照均匀性造成的影响进行了仿真分析。结合实验结果表明,倾斜偏移误差相对方位偏移误差对系统辐照均匀性的影响更为严重。分析光轴一致性误差,可为光学积分器微调机构的设计和实际装调太阳模拟器提供理论依据。     

提高多晶电阻工艺稳定性

文章通过对多晶薄膜的性质和多晶电阻形成工艺的稳定性研究,剖析在生产过程中三种形成多晶电阻主要工艺的波动情况,并对形成工艺波动的原因和控制方法进行了讨论。同时对于采取控制方法以后的多晶电阻的工艺情况进行分析,证明提高多晶电阻制造工艺稳定性必须提高多晶淀积和离子注入工艺能力,以及如何提高多晶淀积和离子注入的受控。最后对采取控制措施后的多晶电阻的改善效果进行回顾,说明离子注入工艺采取除气和多晶淀积隔片放置方式有效地提高了多晶电阻工艺的稳定性。     

利用多天线源搅拌改善混响室场均匀性的分析

通过在混响室的简化三维模型中随机设置激励天线的位置和姿态实现多天线源搅拌因素的引入.与其他方法的对比验证确定利用矩形腔体的电并矢格林函数来仿真电偶极子激励下的电场分布.研究和分析了多天线源搅拌技术对传统混响室工作区域内场分布均匀性的改善作用,结果和理论分析吻合,其性能的提升会受到天线极化和工作频率的影响.     

新型直下式正三角阵列LED背光源的光学分析与设计

从分析直下式LED背光的基础结构入手,对传统的矩阵LED背光布局方式进行数学建模.针对该布局方式的缺点,提出了一种新型的正三角阵LED背光布局模型,通过对比分析,证明该模型能够有效减小混光"盲区"比例,提高均匀性.通过Lighttools仿真软件证明了该新型结构的有效性:当灯腔高度为20 mm时,新型正三角阵结构的均匀性为90.79%,相比于传统矩阵结构的88.77%,提升幅度达到2%;在LED间距较密的情况下,新型正三角阵结构的均匀性相比传统结构而言优势并不明显,仅有不到1%的提升;随着灯腔高度的提升,新型正三角阵结构相比传统结构的优势逐渐缩小,当达到24 mm时,均匀性的提升仅有0.3%.     

UNIFORM ESTIMATE ON FINITE TIME RUIN PROBABILITIES WITH RANDOM INTEREST RATE

We consider a discrete time risk model in which the net payout (insurance risk) {Xk,k=1,2,···} are assumed to take real values and belong to the heavy-tailed class L ∩ D and the discount factors (financial risk) {Yk,k=1,2,···} concentrate on [θ,L],where 0 θ 1,L∞,{Xk,k=1,2,···},and {Yk, k=1,2,···} are assumed to be mutually independent. We investigate the asymptotic behavior of the ruin probability within a finite time horizon as the initial capital tends to infinity, and figure out that the convergence holds uniformly for all n ≥ 1, which is different from Tang Q H and Tsitsiashvili G (Adv Appl Prob, 2004, 36: 1278–1299).     

APPLICATION OF MINIMUM PROJECTION UNIFORMITY CRITERION IN COMPLEMENTARY DESIGNS

In this article, we consider the characterization problem in design theory. The objective is to characterize minimum projection uniformity for two-level designs in terms of their complementary designs. Here, the complementary design means a design in which all the Hamming distances of any two runs are the same, which generalizes the concept of a pair of complementary designs in the literature. Based on relationships of the uniformity pattern between a pair of complementary designs, we propose a minimum projection uniformity （MPU） rule to assess and compare two-level factorials.     

提高碳纳米管阴极膜场发射特性的研究

通过研究多步印刷制备的多层碳纳米管(CNTs)厚膜的场发射性能,发现开启电场随印刷次数增加而增加,二次印刷膜具有最好的场发射特性。微观特性研究表明,两步印刷制作的CNTs膜在热处理后界面间形成了良好的匹配结构,且底层膜与基底接触面积增加,从而增加了膜层导电性和形成欧姆接触的几率,并且提高了平均场增强因子。四种不同成分的CNTs膜一致显示两步印刷显著提高了CNTs阴极膜的场发射电流及发光均匀性。