低能宽幅电子束引出特性研究

研究了能量在100到300 keV区间的低能宽幅电子束从真空引出到空气中的特性。利用EGS5程序模拟了电子束穿过不同厚度钛箔后,在空气中距离钛箔5~10 cm距离处的能量损失、束流损失和束流分布均匀性等。模拟结果显示,对于低能电子,钛箔厚度应该在10 μm左右为宜,其透射率与能量直接相关,在距离钛箔5 cm的位置,电子束的分布不均匀度低于±2%,优于工业应用±10%的标准（特殊情况下要求为5%）,完全满足工业辐照要求。In order to investigate the characteristics of extracting low-energy electron beam from vacuum into air, EGS5 is used to simulate the energy loss, beam loss and spatial distribution uniformity at the irradiation position, which is 5~10 cm to titanium foil with different thickness. The simulation results show that the transmittance is directly related to the incent energy of low-energy electron. When the titanium foil thickness is 10 μm, the inhomogeneity about the energy beam spatial distribution is below 5% on the treatment plane 5 cm away from the titanium foil. And totally meet the industrial needs.     

Multi-wafer 3C—SiC heteroepitaxial growth on Si(100) substrates

<正>Epitaxial growth of semiconductor films in multiple-wafer mode is under vigorous development in order to improve yield output to meet the industry increasing demands.Here we report on results of the heteroepitaxial growth of multi-wafer 3C-SiC films on Si(100) substrates by employing a home-made horizontal hot wall low pressure chemical vapour deposition(HWLPCVD) system which was designed to be have a high-throughput,multi-wafer(3×2-inch) capacity. 3C-SiC film properties of the intra-wafer and the wafer-to-wafer including crystalline morphologies,structures and electronics are characterized systematically.The undoped and the moderate NH3 doped n-type 3C-SiC films with specular surface are grown in the HWLPCVD,thereafter uniformities of intra-wafer thickness and sheet resistance of the 3C-SiC films are obtained to be 6%~7%and 6.7%~8%,respectively,and within a run,the deviations of wafer-to-wafer thickness and sheet resistance are less than 1%and 0.8%,respectively.     

全息光栅掩模制备中的光刻胶薄膜特性控制研究

本文对全息光栅掩模制备中光刻胶薄膜的应力与厚度均匀性问题进行了研究。应用干涉法及Stoney公式计算的分析结果,对SiO2基底上光刻胶薄膜的应力进行了研究。对膜厚的均匀性采用干涉显微镜在同一样品,不同直径上多点测量的方法,初步得出光刻胶薄膜膜厚均匀性的分布规律。分组变换加速度,转速,匀胶时间等参数,并对结果进行比较,发现在匀胶转速相同的前提下,光刻胶薄膜应力值随加速度的降低面减小,光刻胶薄膜的均匀性随加速度的增加而变好。在3000rpm至4000rpm的低转速时,光刻胶薄膜样品的膜厚均匀性好。出此,在全息光栅匀胶工艺中,要选择适当的转速的加速度,以得到应力较小和均匀性较好的光刻胶薄膜。与此同时,薄膜膜厚均匀性呈现出中间薄,边缘较厚的规律。     

红外焦平面阵列非均匀校正算法的ASIC设计

红外焦平面阵列响应率的非均匀性是制约红外成像质量的主要因素.考虑实时处理的需要,基于温度定标两点校正法,进行ASIC设计.在阐述芯片结构基础上介绍各种模式功能.ASIC设计具有实时性好、体积小、性价比高的优点,适用于红外成像系统进行高速实时处理.最后给出在具有自主知识产权SoC芯片Garifield4上的算法验证结果.     

基于校正系统的LED显示屏亮度均匀性评估方法

LED显示屏均匀性,是显示屏图像质量评价中的一个重要指标。文中首先分析了现有基于亮度测量仪器的均匀性评估方法,指出该方法的不足;在LED显示屏亮度校正系统的基础上,对校正系统测量得到的亮度值进行分析处理,提出了以亮度校正系统为基础的LED显示屏亮度均匀性评估方法。该方法能够快捷、客观、全面地得到LED显示屏亮度数据,可以有效评估LED显示屏亮度均匀性。     

MBE HgCdTe on Alternative Substrates for FPA Applications

Results of first-principles calculations and experiments focusing on molecular beam epitaxy (MBE) growth of HgCdTe on the alternative substrates of GaAs and Si are described. The As passivation on (2 × 1) reconstructed (211) Si and its effects on the surface polarity of ZnTe or CdTe were clarified by examining the bonding configurations of As. The quality of HgCdTe grown on Si was confirmed to be similar to that grown on GaAs. Typical surface defects in HgCdTe and CdTe were classified. Good results for uniformities of full width at half maximum (FWHM) values of x-ray rocking curves, surface defects, and x values of Hg_1−x Cd _x Te were obtained by refining the demanding parameters and possible tradeoffs. The sticking coefficient of As₄ for MBE HgCdTe was determined. The effects of Hg-assisted annealing for As activation were investigated experimentally and theoretically by examining the difference of the formation energy of As_Hg and As_Te. Results of focal-plane arrays (FPAs) fabricated with HgCdTe grown on Si and on GaAs are discussed.     

限流电阻层改善碳纳米管场发射显示器发光均匀度的研究

针对碳纳米管(CNT)场发射阴极薄膜中,CNT个体差异及其与衬底的不良接触对发光均匀性的影响,引入反馈限流电阻层以改善阴极薄膜的场发射发光均匀性.采用丝网印刷工艺在衬底上制备氧化锌作为电阻限流层,在其上制备CNT阴极薄膜.对CNT薄膜阴极的发射电流稳定性和均匀性进行了测试,给出了电阻限流层对场发射特性曲线的影响效果.SEM分析表明,氧化锌电阻层有利于消除CNT阴极的尖端屏蔽效应,并且使得CNT与衬底具有更加紧密的接触.场发射特性和场发射发光照片表明,虽然随着限流层厚度增加,阈值电压有所增加,发射电流有所减小,然而限流层的存在有效地改善了发射电流的稳定性,使得发射电流和场发射发光点分布更加均匀.     

源搅拌对混响室场均匀性的改善

研究了在短脉冲波激励下,源搅拌方法对混响室内场分布的影响效果。分析了混响室内场分布特征的影响因素,得到了影响源搅拌的相关参量。研究改变激励源的位置对腔体内场分布的影响效果,主要对比了电场的最大值、分布标准差等电场统计特征。结果表明：通过连续地移动激励源对场分布进行搅拌,混响室内的电场最大值可以达到约6.7 kV/m,而且场值的空间分布标准差降至3 dB以下,能量分布也更加均衡。因此,采用源搅拌方法可以有效地改善腔内的场分布,提高场分布的均匀性,有利于构造均匀的电磁场环境。     

手机侧背光照明导光板设计模拟

 为了提高手机侧背光照明导光板的亮度及亮度均匀性,对上表面为41 mm×26 mm的楔形导光板进行了模拟仿真,并对导光板底面不同的印刷式散射网点排布、不同的楔形导光板底面角度及不同的球缺形凸包网点排布进行了研究。结果显示,导光板底面排布印刷式散射网点时,导光板上表面亮度分布的均匀性较差,而出射光通量的百分比小于26%;当导光板底面排布球缺形凸包网点时,导光板上表面亮度分布的均匀性得到提高,出射光通量的百分比提高10%。楔形导光板底面角度81°时的出光效果优于85°时的效果。     

全彩LED显示屏亮度检测与校正算法

针对全彩LED显示屏亮度均匀性问题,介绍了一种基于CCD相机的全彩LED显示屏亮度检测和校正算法。首先利用CCD相机获取显示中的图像,通过数学形态学和大津法对图像进行去噪和阈值分割处理,确定LED灯点的中心位置,然后使用最佳包含圆方法统计分析各个灯点的相对亮度值,并计算出其三色校正系数矩阵。实验证明,该算法检测速度快,校正效果较好,从而改善了显示的质量,延长了显示屏的使用寿命。