非线性动态数据协调技术

通过应用数据协调技术，可以消除或降低测量误差对过程测量数据的影响,同时可以提高过程数据的精确性和平衡性。目前，稳态线性模型的数据协调技术已得到了良好的发展并已广泛应用于实际生产过程,但实际的生产过程往往是非线性或动态的。文中的重点就是对非线性和动态数据协调技术及其发展作较为详细的阐述.     

O3有效钝化多孔硅的研究

开发了用O3氧化钝化多孔Si（PS）的实用工艺方法。O3的基本作用是对Si-Hx和Si悬挂键（DB）的充分氧化，经过随后158d贮存的老化实验，得到了表面Si—H，键完全被Si-O3膜和Si-烷基膜所替代并覆盖的PS，其光致发光（PL）强度达到稳定的增强，这归因于PS纳米晶粒的表面势垒高度的提高以及量子效率的提高。     

功率型白光LED的热特性研究

大功率LED照明单元在光通量提高的同时伴随着散热，且普通功率型白光LED多采用蓝光芯片激发荧光粉的方法，随着温度的提升，荧光粉对应的波长会发生漂移。本文从功率型白光LED的发热原理出发，试验了其在脉冲源作用下，用于照明的可能性。试验表明，在此激励源的作用下，LED输出与散热很好，并从理论上进行了解释。     

采用FPGA通过BT.656接口实现传输4路视频流的方法

提出一种使用FPGA(现场可编程门阵列)实现一个ITU-R BT.656并行硬件接口传输4路CIF格式视频流的方法。该方法说明了从视频处理器到FPGA传输4路CIF格式视频流的数据结构,利用该数据结构,一个ITU-R BT.656的硬件接口可传输4路不同的CIF格式的视频数据流。FP-GA将4路视频数据流分离、插值生成D1(720×576像素)格式的数据输出给视频处理器。这种方法提高了视频处理器的扩展性,增加了视频处理器输出视频的路数。     

基于WUSB的RFID系统后台数据管理系统接口的设计

在RFID(射频识别)系统的阅读器和后台数据管理系统之间引进一种新的连接方法———无线连接,可以突破有线连接的限制。基于WUSB(W ireless USB)的无线连接方案传输距离适中、成本低、功耗低、开发简单、系统稳定,是目前较适合RFID系统的解决方案。同时提供详细、完整的实施方案,包含设计方法、数据流程和设计实例,并对有关芯片进行了描述。     

基于P89C669微控制器的MODBUS协议转换器设计与实现

基于P89C669微控制器和计算机数据通信技术,设计了MODBUS协议转换器,实现了MODBUS网络的主控设备与RTU(远程终端单元)之间的数据转换,并在电力系统220 kV主变风冷控制中用于变电所站内自动化监控计算机系统的MODBUS网络和PLC(可编程逻辑控制器)的数据通信,使站内自动化监控系统可根据主变油温、负荷电流等运行参数对风冷机组和油泵进行实时调控。     

一种UHF频段无线数据传输系统接入点的射频前端

介绍了UHF(特高频)频段无线数据传输系统中接入点的一种射频前端。该前端包括调制器、上变频器、功率放大器、低噪声放大器、下变频器、解调器、频率合成器、增益控制和收发切换开关等电路。介绍了射频前端的实现方案以及关键部件的设计与测试。制作完成的射频前端集成在一块1 5 0mm×1 0 0mm的4层印制电路版上。该前端最大输出功率可达2W,接收灵敏度优于-100 dBm,收发切换时延小于1.5μs,满足系统指标要求。     

基于数据流方法的大规模网络异常发现

随着网络规模和速度的增加,大规模网络异常发现要求检测算法能够在无保留状态或者少保留状态下对G比特级的海量网络业务量数据进行实时在线分析。针对在高速骨干网上进行大规模网络异常发现的特点和要求,提出了一种基于数据流的大规模网络异常发现的方法,第一次将数据流模型用于大规模网络的异常发现。主要包括以下创新点:设计了一种面向异常发现的网络流量概要数据结构和突发高频事件检测算法;提出了一种基于安全监测策略定制的预查询方法来进行多数据流的关联监测并且对数据流查询进行了优化;在真实数据分析的基础上,对网络业务量进行了数据约减,使得监测部分特殊类型的数据流能最大程度地获得整体网络业务量的变化特征以提高异常发现的效率。通过真实网络环境下的实验和性能评价验证了数据流方法的有效性。     

Study of NiSi/Si Interface by Cross-Section Transmission Electron Microscopy

采用不同硅化工艺制备了NiSi薄膜并用剖面透射电镜(XTEM)对样品的NiSi/Si界面进行了研究.在未掺杂和掺杂(包括As和B)的硅衬底上通过物理溅射淀积Ni薄膜,经快速热处理过程(RTP)完成硅化反应.X射线衍射和喇曼散射谱分析表明在各种样品中都形成了NiSi.还研究了硅衬底掺杂和退火过程对NiSi/Si界面的影响.研究表明:使用一步RTP形成NiSi的硅化工艺,在未掺杂和掺As的硅衬底上,NiSi/Si界面较粗糙;而使用两步RTP形成NiSi所对应的NiSi/Si界面要比一步RTP的平坦得多.高分辨率XTEM分析表明,在所有样品中都形成了沿衬底硅〈111〉方向的轴延-NiSi薄膜中的一些特定晶面与衬底硅中的(111)面对准生长.同时讨论了轴延中的晶面失配问题.     

采用遗传算法由电流环的近场测试识别辐射源

针对电大尺寸的电流环,通过遗传算法找到最佳等效基本辐射器.采用EMSCAN电磁干扰扫描系统进行电流环的近磁场测试,从而作出远场预测,并与仿真结果和半电波暗室的测试数据相比较.