低于1×10-6/℃的低压CMOS带隙基准电流源

提出了一种新颖的CMOS带隙基准电流源的二阶曲率补偿技术,通过增加一个运算跨导放大器(OTA),使带隙基准参考电路的电流特性与理论分析相符合,实现低温度系数(TC)的参考电流。该电路采用SMIC0.13μm标准CMOS工艺,可在1.2 V的电源电压下工作,有效面积为0.045 mm2。仿真结果表明,在-40～85℃温度范围内参考电流的温度系数为0.5×10-6/℃;当电源电压为1.1 V时,电路依然可以正常工作,电源电压调整率为1 mV/V。     

一种无运放电流模式带隙基准设计

为满足集成电路中低功耗／低温度系数的要求,基于负反馈钳位原理,采用分段线性补偿技术,通过在高低温度段分别插入非线性电流修正项对基准进行了曲率补偿,得到一种新型的无需运放的曲率补偿电流模式带隙电压基准源。仿真得到典型工艺下电路在室温27℃,工作电压4．5V下输出电压1．25062V,工作电流小于38pA,功耗小于170μW。在-40～＋150℃。宽温度范围内,基准电压在1．25018～1．25086V之间变化,温度系数约为2．86ppm／℃。     

一维光子晶体的带隙结构研究

利用时域有限差分法(FDTD)对光子晶体的传输特性进行了研究.计算了不同条件下完整结构阶跃型光子晶体的透过率谱.通过透过率谱的变化,分析了介质层数、介质所占空间配比、介质介电常数比对光子带隙的影响.发现介质层数的增加会使光子带隙拓宽并加深,但是带隙的位置不会移动;介质介电常数比越大,带隙越宽越深,也越容易出现带隙.     

新结构雪崩光探测器的特性仿真及后工艺优化

报道了一种在倍增区引入AlxGa1-xAs带隙梯度结构的谐振腔增强型雪崩光探测器,并提出优化其后工艺制作的新方法.通过将Al0.4Ga0.6As(28 nm)一Al0.2Ga0.8As(10 nm)-GaAs(50 nm)带隙梯度结引入雪崩探测器的高场区,可以实现对探测器噪声和频率响应两个主要性能的优化.数值仿真表明,该结构探测器具有较小的噪声(有效离化系数为0.1),约33 GHz的3 dB带宽(增益为5),在增益为15时可获得420 GHz的增益带宽积.在实际的后工艺制作中,提出使用苯并环丁烯树脂进行InP/空气隙DBR反射镜与雪崩探测器结构粘合的方法,简化了工艺流程.

摘要：

     

空芯光子带隙光纤在甲烷检测中的应用

以多段级联的空芯光子带隙光纤(PBF)作为气体传感探头,以谐波检测技术作为信号处理方法,构建了一种新型全光纤甲烷监测系统。分析了甲烷在空芯内的扩散特性,实现了传感气室的优化设计。实验结果证实了该传感头用于甲烷检测的可行性。     

端面反射对SG-DBR激光器性能的影响

通过传输矩阵模型,理论研究了不同端面反射的存在对取样光栅分布Bragg反射(SG-DBR)镜以及集成半导体放大器(SOA)的SG-DBR镜反射谱的影响,进而研究了端面反射的存在对SG-DBR激光器以及集成SOA的激光器模式的影响,结果表明,端面反射的存在会使取样光栅的各级反射峰由1个分裂为2个甚至多个,并可能使边峰的强度高过零级峰,这将会严重恶化SG-DBR激光器及其集成SOA的激光器模式特性和调谐特性。理论分析与实验结果基本吻合。当端面的反射率小于0.01时,端面反射对于SG-DBR激光器的影响可以忽略不计。     

光子晶体在宽频天线中的应用

本文提出了一种应用于宽频螺旋天线的类蜂窝结构的光子晶体平面反射腔,相较于普通的吸收式反射腔,蜂窝光子晶格单元光子晶体反射腔体的反射效果虽不是很稳定,但是在一定频段里取得了较好的反射效果,可获得较大的增益,在某些频段可实现大于10dbi 的增益值。     

宽禁带半导体材料技术

宽禁带半导体材料是一种新型材料,具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高等特点,非常适合于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成电子器件;利用其特有的禁带宽度,还可以制作蓝光、绿光、紫外光器件和光探测器件,能够适应更为苛刻的生存和工作环境。在宽禁带半导体材料中,具有代表性的是碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)、金刚石以及氧化锌(ZnO),综合叙述了这些材料的特性、发展现状和趋势;并介绍了SiC、GaN、ZnO材料的应用情况和代表性器件的研究进展。     

一种新型MEMS可调滤波器的设计

提出了一种采用非均匀分布MEMS结构的可调滤波器设计方案。基于这种新型结构,讨论了一个中心频率为20GHz的二阶带通可调滤波器模型。通过HFSS对该二阶带通滤波器模型进行了全波分析。仿真结果表明:通过分别改变共面波导结构上方不同部分的MEMS电容高度,该滤波器中心频率在18.71~20.62GHz连续可调,相应的3dB带宽值为2.36GHz和2.94GHz。该滤波器9.5%的可调率相比于同类型均匀分布式滤波器的可调范围增加了大约18.6%(300MHz)。通过分析可知,采用非均匀分布MEMS结构的可调滤波器不仅结构更紧凑合理,而且获得了比均匀结构更大的调节范围,极大地增加了设计的灵活性。     

A 1.2-V 19.2-mW 10-bit 30-MS/s pipelined ADC in 0.13-μm CMOS

A 10-bit 30-MS/s pipelined analog-to-digital converter(ADC) is presented.For the sake of lower power and area,the pipelined stages are scaled in current and area,and op amps are shared between the successive stages. The ADC is realized in the 0.13-μm 1-poly 8-copper mixed signal CMOS process operating at 1.2-V supply voltage. Design approaches are discussed to overcome the challenges associated with this choice of process and supply voltage, such as limited dynamic range,poor analog characteristic device...