首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   17796篇
  免费   4112篇
  国内免费   1451篇
化学   1615篇
晶体学   67篇
力学   2630篇
综合类   139篇
数学   2549篇
物理学   7934篇
无线电   8425篇
  2024年   69篇
  2023年   241篇
  2022年   351篇
  2021年   448篇
  2020年   566篇
  2019年   468篇
  2018年   515篇
  2017年   613篇
  2016年   734篇
  2015年   704篇
  2014年   1191篇
  2013年   1236篇
  2012年   1249篇
  2011年   1454篇
  2010年   1182篇
  2009年   1085篇
  2008年   1196篇
  2007年   1234篇
  2006年   1213篇
  2005年   1051篇
  2004年   902篇
  2003年   857篇
  2002年   693篇
  2001年   631篇
  2000年   534篇
  1999年   431篇
  1998年   392篇
  1997年   326篇
  1996年   290篇
  1995年   244篇
  1994年   201篇
  1993年   200篇
  1992年   161篇
  1991年   148篇
  1990年   103篇
  1989年   103篇
  1988年   84篇
  1987年   53篇
  1986年   28篇
  1985年   33篇
  1984年   32篇
  1983年   16篇
  1982年   27篇
  1981年   20篇
  1980年   10篇
  1979年   13篇
  1976年   3篇
  1975年   3篇
  1973年   6篇
  1971年   5篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 5 毫秒
91.
A fifth-order theory for solving the problem of interaction between Stokes waves and exponential profile currents is proposed. The calculated flow fields are compared with measurements. Then the errors caused by the linear superposition method and approximate theory are discussed. It is found that the total wavccurrent field consists of pure wave, pure current and interaction components. The shear current not only directly changes the flow field, but also indirectly does so by changing the wave parameters due to wave-current interaction. The present theory can predict the wave kinematics on shear currents satisfactorily. The linear superposition method may give rise to more than 40% loading error in extreme conditions. When the apparent wave period is used and the Wheeler stretching method is adopted to extrapolate the current, application of the approximate theory is the best. Project supported by the Chinese Academy of Sciences.  相似文献   
92.
掺杂对低压ZnO压敏陶瓷材料显微结构及性能的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文探讨了多种金属氧化物对ZnO-Bi_2O_3-TiO_2系材料的改性作用和对其微结构的影响,为得到预定性能的材料提供了掺杂方面的实验依据。  相似文献   
93.
提出一种极近距离雷达概念,并导出其作用距离公式,在此基础上研制出一台3mm波段极近距离多普勒雷达样机.试验结果表明该雷达结构简单,成本低廉,在作用距离为零点几米至几米范围内可获得较高的定距精度.  相似文献   
94.
本文回顾了实施中波同步广播的经历,分析了目前运行中的同步网所存在的问题。笔者根据10余年参与同步广播运行管理,科研的体会,论述了实施良好同步广播的措施。就同步广播的发展:标频传送,同步激励的性及同步网的管理三个关键方面的,提出了探讨性的建议和意见。  相似文献   
95.
短毫米波和亚毫米波接收机的发展现状   总被引:1,自引:0,他引:1  
胡驰  杨鸿生 《微波学报》1994,10(1):62-69
本文概述了短毫米和亚毫米波接收机的发展现状,介绍了接收机的重要组成部件:混频器、振荡器和放大器的发展水平以及毫米波单片集成电路的现状,给出了接收机的最新性能指标。  相似文献   
96.
采用修正Rytov方法和近似理论计算了球面波在湍流大气中传播的闪烁指数,并与实验结果进行了比较,发现在弱起伏和中等湍流起伏区修正Rytov解与实验结果符合得良好,而在饱和区采用考虑内尺度效应下的近似理论结果更符合实验结果。  相似文献   
97.
一种连续波多站发射机及频谱分析   总被引:2,自引:2,他引:0  
漆家国 《电讯技术》2002,42(2):44-47
介绍了一种连续波多站发射机的新方案,从理论上对该机的发射频谱进行了分析,并与实际结果进行比较。理论和实际都证明该方案具有很好的交调抑制、谐波抑制和杂波抑制、相噪低等诸多优点。  相似文献   
98.
群时延精确设计的全差分四阶Bessel滤波器   总被引:1,自引:0,他引:1  
何怡刚  江金光  吴杰 《电子学报》2002,30(2):249-251
采用MOS管有源电阻,提出了一种全差分R-MOSFET-C四阶Bessel有源低通滤波器,.通过调节工作于亚阈值区的CMOS管的沟道导纳补偿电阻值的大小,能抵消集成电路制造工艺中电阻值的一致偏差,实现Bessel有源滤波器群时延的精确设计.根据无源滤波器的状态方程完成有源滤波器的综合,应用3.3V,0.5μm CMOS工艺完成了群时延大小为0.75μs的四阶Bessel低通滤波器的管极计算机仿真,仿真结果表明所提电路正确有效,适于全集成.  相似文献   
99.
New developments in diagnostic tools and systems are necessary for a reliable and economic evaluation of the condition of equipment in power systems. In a research project a tool for the condition of contacts of centre break disconnector, which is used under normal operation by the aid of a thermography measurement system, has been developed. In this paper, an overview about the laboratory investigation of the temperature load behaviour and the environmental influence on-site for new and aged disconnector contacts are given. A condition evaluation tool for contacts, which was the aim of the project, has been created. The basic method for the evaluation is presented, and also two additional easements for a fast identification of suspect contacts are presented. With this evaluation tool and the usage of a thermography based measuring system, a condition based maintenance strategy can be applied, whereby an early detection of damages is possible and so power quality and reliability increase.   相似文献   
100.
欧拉电压是SiGe HBT一项重要的直流参数,受到基区结构(如Ge组分)的影响。研究发现,高温过程会导致硼的外扩散,从而影响异质结的位置,使欧拉电压受到影响。实验发现,通过优化基区结构,加厚CB结处i-SiGe厚度,可获得VA=520 V,βVA=164,320 V的SiGe HBT。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号