聚氯乙烯结构缺陷和热不稳定性之间关系的研究 2.各种结构缺陷含量和热脱氯化氢速率之间的关系

本工作采用溴加成法、酚解法、FTIR法及臭氧裂解法分别测定了五种不饱和蒸气压下聚合的PVC样品(u-PVC)和五种商品PVC样品(s-PVC)的总双键、总不稳定氯、孤立双键和内部双键的含量.通过研究结构缺陷和PVC的平均分子量及脱HCl速率的相互关系,揭示了不饱和总双键值,总不稳定氯和孤立双键含量彼此的相关性是建立在它们分别与1/M_n的相关性基础之上,从而得出了这三种定量值测得的主要都是端基烯丙基氯结构.根据三者对脱HCl速率的良好线性相关性,首次提出了端基烯丙基氯结构在HCl催化作用下异构化成内部烯丙基氯从而成为脱HCl速率主要原因的机理.     

镀液中Ce^3＋离子对锡镀层结构缺陷和可焊性的影响

应用荧光分析法、X光电子能谱法(XPS)及正电子湮没寿命谱法(PALS)等研究了从含硫酸铈添加剂的酸性光亮锡镀液获得的锡镀层结构缺陷与可焊性的关系。结果表明,电镀时Ce与Sn不发生共沉积,Ce~(3+)的主要作用是阻化Sn~(2+)的水解和氧化使镀液稳定,因而使锡镀层纯度提高、结构致密、表层氧含量减少,有利于提高镀层的可焊性。当Ce~(3+)浓度控制在3.5g/L左右时,可使镀层结构缺陷较少,可焊性较佳,说明结构缺陷是影响锡镀层可焊性的直接原因。     

Photocatalytic Activity and Photo-Induced Wettability Conversion of TiO2 Thin Film Prepared by Sol-Gel Process on a Soda-Lime Glass

We have developed the transparent photoactive TiO₂ thin film coated on soda lime glass (SLG) by sol-gel process. Titanium dioxide thin films coated on SLG exhibit lower photocatalytic activity due to the thermal diffusion of Na ion from the SLG substrate. Thin SiO₂ film precoating is very effective to prevent the thermal diffusion of Na ion. We have evaluated the photocatalytic decomposition of gaseous acetaldehyde and the photo-induced surface wettability of TiO₂ films with and without SiO₂ precoating layer. As expected, the TiO₂ film on SiO₂/SLG is more photoactive to decompose acetaldehyde than that on SLG. However, as for wettability conversion, there was little difference in the conversion rate between TiO₂ film without SiO₂, and TiO₂ film with SiO₂. Different dependence of Na ion diffusion on two kinds of photo-induced reaction on TiO₂ is discussed based on the difference of the photo-induced reaction mechanism.     

用正电子湮没寿命谱法研究锡镀层缺陷

光亮镀锡工艺由于成本低、无毒、镀层稳定性好而广泛应用于电子元器件引线的电镀.但因锡镀层与基体之间会发生原子的相互扩散,致使产品在储存、焊接或使用期间因温度效应而使某些重要的物理和化学性能,如钎焊性、导电性和防腐性变差。金属界面原子的热扩散行为与金属晶体的结构缺陷密切相关,因此应用正电子湮没寿命谱法研究锡镀层在热处理过程中缺陷的运动规律,在理论和工艺方面都具有重要的意义。     

石榴石固体电解质Li3BO3界面改性研究

石榴石固体电解质由于其高的离子电导率,对锂金属稳定等优点成为了下一代高性能锂电池的重要研究方向之一.但锂金属负极界面浸润性与锂枝晶问题限制了其应用.本文通过简单的液相沉积结合高温烧结的方法,在石榴石固体电解质片表面构建了一层稳定的硼酸三锂(Li3BO3)修饰层.研究表明,Li3BO3 修饰层可以有效改善石榴石固体电解质...     

结晶氮化碳的制备与改性策略

石墨相氮化碳(g-C_3N_4)是最具代表性的二维有机聚合物半导体材料,其具有可见光响应性能、稳定化学结构和优良的生物相容性等优点,在环境和能源领域有非常广阔的应用前景。但是,普通g-C_3N_4材料的热聚合不完全,其体相和表面的缺陷多,因此光生载流子易复合,光催化活性不高。近年来,高活性结晶氮化碳(CCN)的研究得到了国内外学者的广泛关注。本文总结了目前CCN制备及其改性方法:5种代表性制备方法,包括传统熔盐法、预热熔盐法、固态盐法、溶剂法和质子化法;4种代表性CCN的改性方法,包括缺陷引入、形貌控制、单原子修饰和材料复合。文章重点介绍了 CCN制备原理、结构特征与光催化性能。最后,对CCN的制备与改性方法进行了评价,并对其研究方向进行了展望。     

钙钛矿组分和结构设计及其发光二极管器件性能研究进展

有机-无机杂化钙钛矿发光二极管(LED)的性能在短短几年时间内飞速提升,近红外光器件的效率己达21.6％,绿光器件效率也达到20.3％,达到可以和商业化的有机发光二极管媲美的水平;即使是稍有逊色的稳定性方面也有很大进展,报道的最长器件半衰期已达到250 h.器件性能的飞速提升得益于钙钛矿本身优异的光电性质,而且通过丰富...     

火焰原子吸收光谱法直接测定锡阳极泥中的银

建立了火焰原子吸收光谱法(FAAS)测定锡阳极泥中银含量的方法。文章考察了不同的测定介质、酸度对测定结果的影响。实验结果表明在选定条件下,锡阳极泥中的锡、锑、铅等杂质不干扰银的测定。方法加标回收率在99.2%~103%,精密度实验结果表明,相对标准偏差(RSD,n=11)均小于4%。操作过程简单,能满足生产的需要。     

锌粉-硼砂-硼酸熔融-碘酸钾滴定法测定高硅锡精矿中的锡

针对高硅锡精矿中锡的测定时通常用锌粉-氢氧化钠熔融,精密度差,不能满足分析要求的问题,建立了锌粉-硼砂-硼酸熔融,盐酸浸取,铝粒将锡还原,碘酸钾滴定法测定高硅锡精矿中锡的分析方法。方法结果稳定,精密度好,相对标准偏差在0.19%~0.55%,加标回收率在96.9%~105%。分析结果能够满足高硅锡精矿中锡的测定要求。     

三(3,5-二氟苄基)氯化锡和四(邻氯苄基)锡的合成、晶体结构及量子化学

3,5-二氟苄基氯和邻氯基苄基氯在适当的溶剂中与锡粉反应,合成了三(3,5-二氟苄基)氯化锡(1)和四(邻氯苄基)锡(2),经X射线衍射方法测定了新化合物的晶体结构。化合物1属单斜晶系,空间群为C2/c,晶体学参数:a=1.858 33(11)nm,b=1.140 98(7)nm,c=2.690 06(16)nm,β=109.288(10)°,V=5.383 6(6)nm3,Z=8,Dc=1.532 g·cm~(-3),μ(Mo Kα)=13.61 cm~(-1),F(000)=2 480,R1=0.085 1,wR~2=0.168 1。化合物2属单斜晶系,空间群为P21/m,晶体学参数:a=0.585 54(5)nm,b=1.969 74(18)nm,c=0.857 86(8)nm,β=95.204 0(10)°,V=0.985 34(15)nm3,Z=2,Dc=1.805 g·cm~(-3),μ(Mo Kα)=14.91 cm-1,F(000)=524,R1=0.054 0,wR_2=0.163 9;中心锡原子为畸变四面体构型。对其结构进行量子化学从头计算,探讨了化合物的稳定性、分子轨道能量以及部分前沿分子轨道的组成特征。测定了化合物的热稳定性。