Elastomeric Electronic Skin for Prosthetic Tactile Sensation

This report demonstrates a wearable elastomer‐based electronic skin including resistive sensors for monitoring finger articulation and capacitive tactile pressure sensors that register distributed pressure along the entire length of the finger. Pressure sensitivity in the order of 0.001 to 0.01 kPa^?1 for pressures from 5 to 405 kPa, which includes much of the range of human physiological sensing, is achieved by implementing soft, compressible silicone foam as the dielectric and stretchable thin‐metal films. Integrating these sensors in a textile glove allows the decoupling of the strain and pressure cross‐sensitivity of the tactile sensors, enabling precise grasp analysis. The sensorized glove is implemented in a human‐in‐the‐loop system for controlling the grasp of objects, a critical step toward hand prosthesis with integrated sensing capabilities.     

改性的薄SOS膜CMOS器件辐射加固特性

利用注硅固相外延的方法对0.2μm SOS薄硅膜材料进行改性,并制作了单管pMOSFET,nMOSFET及54HC04电路．测量了单管的迁移率,并对样品进行了瞬态辐射实验和总剂量辐射实验,发现用改性后的SOS薄硅膜材料制作的电路,不仅具有同标准0.5μm SOS材料制作的电路相当的动态特性,而且具有很好的抗瞬态辐射能力,并且其抗总剂量辐射能力也达到了很高的水平．     

一种基于HP EESOF软件的IMPATT二极管非线性电路模型参数的提取方法

通过对雪崩二极管非线性电路模型参数数学表达式的分析，利用HPEESOF软件进行电路模型的计算机模拟，计算出雪崩管在非线性状态下的器件阻抗，从而为雪崩管振荡器的设计提供了重要的理论依据。     

TPA-PPV纳米粒子的制备和尺度效应

TPA—PPV是一种优秀的电致发光材料，具有很高的荧光量子产率。介绍了用再沉淀的方法制备粒子尺寸为20～100nm的TPA—PPV纳米粒子。研究发现，当纳米粒子的尺寸从100nm逐渐减小到20nm时，紫外一可见吸收光谱在400nm附近的吸收和荧光发射光谱在500nm附近的发光都向高能端移动，其光谱发生了蓝移。讨论了其光谱尺度效应的机理。研究结果表明其在新型纳米光电子器件中有着广阔的应用前景。     

纳米加工和纳米电子器件

介绍了电子束曝光技术、EUV光刻技术和X射线光刻技术的进展;对各种纳米电子器件如单电子器件、共振隧穿器件和分子电子器件的研究现状及面临的主要挑战进行了讨论。     

离散小波变换在医学图像中的应用

本文以三维医学体数据作为研究对象,充分利用离散小波变换,对其进行多分辨率分解,把三维医学体数据分解成三个不同方向上的子医学体数据。实验结果表明,三维医学体数据经过离散小波变换后被分割成八个子频带,其主要能量和特征集中在低频子带系数中,可以用来提取特征向量构造零水印。     

自由立体显示器的光学性能测量与研究

为了评价自由立体显示器的光学性能,以八视点狭缝光栅自由立体显示器为例,针对不同的视点图像,测量了不同视角下的亮度值与色度值,研究自由立体显示器的光学性能,其光学性能包括自由立体显示器的最佳观看位置、串扰、可视范围、亮度均匀性、色度均匀性和莫尔条纹。结果表明,这种测量及分析方法实现了对多视点立体显示器光学性能的定量评估,增强了评估立体显示器性能的客观性,对自由立体显示器的设计具有指导意义。     

一种采用局域注氧技术制备的新型DSOI器件

为了克服传统SOI器件的浮体效应和自热效应,采用创新的工艺方法将低剂量局域SIMOX工艺及传统的CMOS工艺结合,实现了DSOI结构的器件.测试结果表明,该器件消除了传统SOI器件的浮体效应,同时自热效应得到很大的改善,提高了可靠性和稳定性.而原先SOI器件具备的优点得到了保留.     

薄膜声表面波器件的制备研究进展

介绍了薄膜声表面波器件的发展历史和特点,以及压电薄膜声表面波器件近年来国际上的研究进展,包括理论研究与实验进展的一些概况,并展望了其今后的发展趋势。     

太赫兹滤波器

太赫兹技术在生物、国防以及基础研究等方面有重要的应用,要实现对太赫兹波技术的实际有效的应用,与之相关的太赫兹传导、滤波器件等功能器件至关重要.目前太赫兹滤波器结构主要基于二维光子晶体、超颖材料、表面等离子体等结构.就太赫兹滤波器的研究进展进行了总结,并对其今后的研究发展方向进行了分析.