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21.
AlSb晶体内二维磁极化子的磁场与温度效应 总被引:1,自引:0,他引:1
在考虑声子之间相互作用的同时,本文应用线性组合算符和微扰法研究了电子自旋对弱耦合二维磁极化子特性的影响。对AlSb晶体所作的数值计算结果表明,随着磁场的加强,磁极化子平均数减少;随着温度的增加,磁极化子平均数也增加;随着温度的增加,电子自旋作用以及声子之间相互作用都加强;随着磁场的加强,电子自旋作用增加而声子之间相互作用基本不变。 相似文献
22.
23.
24.
应用二维器件仿真程序 PISCES- ,对槽栅结构和平面结构器件的特性进行了模拟比较 ,讨论了槽栅结构 MOSFET的沟道电场特征及其对热载流子效应的影响。槽栅结构对抑制短沟道效应和抗热载流子效应是十分有利的 ,而此种结构对热载流子的敏感 ,使器件的亚阈值特性、输出特性变化较大 相似文献
25.
26.
通过分析数字集成芯片多输出中电源电压瞬间下降的原因,对常规驱动电路结构进行改进。改进后单输出电路的峰值电流降为原来的2/3,再通过优化版图的电源布线,能有效防止电源电压下降,使芯片正常稳定地工作。 相似文献
27.
激光剥离GaN/Al2O3材料温度分布的解析分析 总被引:2,自引:2,他引:0
分析了脉冲激光作用下GaN的衬底剥离过程。利用简化的一维模型,给出一种比较直观的脉冲激光辐照下GaN/Al2O3材料温度分布的解析形式,得到了分界面温度和脉冲宽度的关系。表明,单脉冲作用下分界面的温度与加热时间的平方根成正比,并得出脉冲过后随着深度变化温度梯度的分布。在连续脉冲作用时,分界面的温度呈锯齿状不断升高。 相似文献
28.
The γcmc values of CTAB-SDS decrease from 63.67 mN/m at 10‡C to 36.38 mN/m at 90‡C, slightly lower than those of either CTAB or SDS.
Correspondingly, the CMC of CTAB-SDS decreases almost by half. The increase of surface activity of CTAB-SDS can be attributed
to the relatively weak electrostatic interaction at high temperature, which is supported by the increase of solubility of
CTAB-SDS with rise in temperature. Catalytic effect on oxidation of toluene derivatives with potassium permanganate follows
the order CTAB-SDS > SDS > CTAB. This is not caused by the dissociative effect of CTAB-SDS with low surface activity at low
temperature, as seen from the fact that almost all oxidative products can be retrieved for different toluene derivatives and
surfactants by mimicking the conditions of reaction. In the emulsifications of toluene derivatives at 90‡C, the time that
turbid water layers of surfactant solutions take to become clear is the same as that of the catalytic effect on oxidation
of toluene derivatives. Thus, it can be inferred that surfactants can improve the oxidation yields of toluene derivatives
by increasing the contact between two reacting phases. 相似文献
29.
30.
高功率脉冲水中放电的应用及其发展 总被引:7,自引:0,他引:7
首先介绍了高功率脉冲水下放电的机理,然后综合论述了其应用和研究的状况,从较为成熟的脉冲水处理技术到医疗领域的ESWL应用技术,以及在脉冲电场食品杀菌和水下目标探测方面的最新发展和研究,最后指出了高功率脉冲电技术应用前景以及进行更系统和深入研究的必要性。 相似文献