MSTP的应用与发展

多业务传送平台(MSTP)和数据设备的关系是联合组网、长期并存的关系,运营商的运维体制必须改革,不能仍将传输设备和数据设备截然分开进行建设;互连互通涉及到业务层、封装层、数据处理层、SDH承载层、SDH线路侧,运营商应重点关注;MSTP的进一步发展是加载自动交换光网络(ASON)控制平面,但要注意在支持数据业务的情况下,传送平面和控制平面在带宽调整方面的协调性;MSTP将来可能有两种转向:逐步退出传送网络的核心层或演化成为事实上的以分组交换为核心的承载网设备.     

一类切换线性系统的动态输出反馈H_∞控制:LMIs方法

研究一类由任意有限多个线性子系统组成的切换系统的动态输出反馈H∞控制问题.利用共同Lyapunov函数方法和凸组合技术,给出由矩阵不等式表示的控制器存在的充分条件,并设计了相应的子控制器和切换规则.采用消元法,将该矩阵不等式转化为一组线性矩阵不等式(LMIs).最后给出一个数值仿真实例证明结论的有效性.     

电容器容量损耗自动分类机的优化改进

快速检测自动分类机,主要应用于片式半导体陶瓷电容器生产线中,对电容器电容量、损耗进行检测,并由此对电容器进行分类.我们引用先进的机电器件,优化改进设备结构,最终完成机电一体化,设计出符合IEC(International electrotechnical commission)标准的自动测试分类机.该设备采用双通道测试系统,分类快速精确,工作稳定,测试速度可达300只/min,为以往同类分类机测试速度的5倍,且稳定性和可靠性都大有提高.目前该设备已在成都宏明电子科大新材料有限公司的半导体陶瓷电容器生产线上使用,并发挥了重要作用.     

梁式引线肖特基混频管几何参数优化设计

利用CAD技术找出平面结构梁式引线混频管几何图形最佳尺寸,满足在特定条件下管子总电容和总电阴为最小,以提高截止频率改善器件性能.研制出的混频管在35GHz时双边带噪声系数为4.8dB,接近预期结果.     

应用于CPU板载开关电源输入端电容的快速选取方法

介绍了应用于CPU的板载DC／DC BUCK降压型连续电感电流模式开关电源电路（VRD）输入端输入电容的一种快速选取方法。文中阐明了输入端电容的重要作用,详细分析了其参数,工作原理等,并进一步推导出了具体的输入电容选择的工程计算应用公式,可以帮助工程技术人员根据不同的设计要求快速选取满足要求的输入电容设计方案,大大简化了整个设计过程。     

MOS结构电容高频C-V特性的应用

CMOS工艺的发展要求栅介质层厚度不断减薄,随着栅极漏电流的不断增大使用准静态的方法测量器件特性不稳定。根据这一情况,提出用高频电容电压(C-V)来评价深亚微米和超深亚微米器件工艺。通过高频C-V法结合MOS相关理论可以得到介质层的厚度、最大耗尽层宽度、阈值电压、平带电压等参数以及栅介质层中各种电荷密度的分布,用以评价栅介质层和衬底的界面特性。文章提出通过电导对测量结果进行修正,使其能够适用更小尺寸器件的要求,使高频C-V法能够在不同的工艺下得到广泛的应用。     

计算两不同平行轴间距柱形电容器电容的保角变换法

介绍了保角变换法,利用保角变换中常用的对数变换和分式变换,分别计算了不同平行轴间距的柱形电容器的电容,并进行了讨论。结果表明,当两轴间距离平方等于内外圆柱半径平方之和的2倍时,电容器的电容与同轴电容器是等效的;当两轴间距分别为大于内外半径之和,或小于内外半径之差时,两种情况下,两轴间距的平方之和等于内外圆柱半径平方之和的2倍时,两种电容器的电容等效。     

后处理对铝电解电容器阳极箔比容的影响

采用硫酸-盐酸体系环保型铝电解电容器用阳极箔腐蚀工艺,硝酸溶液作后处理液,结合SEM分析,探讨了硝酸后处理在阳极箔表面的清洗机理,研究了直流电侵蚀后,硝酸后处理对阳极箔比容的影响。结果表明:在硝酸溶液温度为65℃、清洗时间为250 s的条件下,阳极箔比容随着硝酸质量浓度的增加而增加,当硝酸质量浓度增至35 g/L时,阳极箔比容达到最大值0.70×10–6 F/cm2。硝酸质量浓度继续增加,阳极箔比容逐渐减小。最佳后处理参数为:硝酸质量浓度为35 g/L,处理温度为65℃,清洗时间为250 s。     

陶瓷超级电容器的研究进展

介绍了新型电能储存单元陶瓷超级电容器,概述了其发展现状,以及较之现有几种电池的优势。详述了陶瓷超级电容器的结构及工作原理。从钛酸钡粉体的掺杂、粉体粒径、击穿电压三方面分析了陶瓷超级电容的关键技术。     

玻璃基LSCO/PZT/LSCO电容器的制备和铁电性能

采用磁控溅射法制备La0.5Sr0.5CoO3(LSCO)薄膜、sol-gel法制备Pb(Zr0.4Ti0.6)O3(PZT)薄膜,在玻璃和Ti-Al/Si衬底上构架了LSCO/PZT/LSCO电容器,研究了衬底对LSCO/PZT/LSCO电容器结构和铁电性能的影响。研究发现:虽然生长在两种衬底上的PZT薄膜均为钙钛矿结构多晶薄膜,但是,生长在玻璃衬底上的LSCO/PZT/LSCO电容器具有更好的铁电性能。玻璃基LSCO/PZT/LSCO电容器的剩余极化强度(Pr)为28×10–6C/cm2,矫顽电压(Vc)为0.96V;而硅基LSCO/PZT/LSCO电容器的Pr为25×10–6C/cm2,Vc为1.05V。