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31.
一种微透镜阵列的研制   总被引:1,自引:0,他引:1  
杨修文  祝生祥  谢红  路素彦 《光电子技术》2003,23(3):170-172,181
介绍一种利用表面张力的作用、以光纤作材料、用分离的自聚焦透镜制作微透镜阵型的方法,这种方法具有制作工艺简单、无须昂贵设备等优点,用此方法实际制作了具有良好连续面型的微透镜阵列,并对制作的微透镜阵列进行了测试,效果较好。  相似文献   
32.
完全非相干白光一维光生伏打暗空间孤子   总被引:10,自引:1,他引:9       下载免费PDF全文
陆猗  刘思敏  郭儒  杨立森  黄春福  汪大云 《物理学报》2003,52(12):3075-3081
使用白炽灯作光源在LiNbO3∶Fe晶体内实验观察到一维白光光生伏打暗空间孤 子. 由奇数 和偶数初始条件分别产生了灰孤子和灰孤子对,它们所感应的波导能导向白光和相干光. 用 相干光清楚地探测到它们内部的多模结构. 该实验证明了白光光生伏打暗空间孤子的存在, 并指出了用完全非相干的白光暗孤子控制和导向相干光的可能性. 关键词: 光生伏打效应 自陷 完全非相干孤子 波导  相似文献   
33.
不同表面预处理对有机电致发光显示器性能的影响   总被引:1,自引:1,他引:0  
从生产角度研究了基板表面的预处理工艺对OLED性能的影响,分别用UVOzone、氧Plasma以及两者相结合的方式对基板进行表面处理,并按照生产工艺制作器件,从接触角、方阻以及光电特性等测试结果对各种表面处理的样品进行比较。结果表明以上处理都改善了器件性能,不同程度提高了器件的清洁度、亮度和发光效率,其中UVOzone和氧Plasma结合的方式处理效果最为显著,器件在10V时亮度达到79920cd/m2,比其他两种处理方式亮度提高约25%。  相似文献   
34.
介绍了医用红宝石激光器触摸屏控制系统的基本结构,分析了医用红宝石激光器中主要电磁干扰(EMI)的产生机制,提出了具体的电磁兼容(EMC)技术措施并得到实验验证。  相似文献   
35.
研究了红外频段非线性s偏振表面波在反铁磁晶体和电介质交界面上的频率特性,求出了非线性色散方程,揭示了非线性s偏振表面波存在一个临界频率,低于这个频率,非线性s偏振表面波的频率范围,发现功率不再是决定导波频率范围的唯一因素,两种材料的介电常数比在这里起了至关重要的作用。  相似文献   
36.
微波体声波延迟线的电磁屏蔽   总被引:1,自引:1,他引:0  
本文分析了微波体声波延迟线多层介质的电磁屏蔽效应,结果表明,全屏蔽方式可以有效地解决微波延迟线研制中的直通抑制问题。实验结果证实了理论分析。  相似文献   
37.
蔡益民  高中林 《电子器件》1994,17(3):171-176
本文介绍了薄膜隧道发光结的基本结构、发光机理,阐述了其I-V特性中的负阻现象。简单介绍了MIM结构负阻的几种解释,根据热像仪照片和低温测试结果分析,再结合Dearmaley导电模型,我们提出了MIM负阻的物理模型,理论与实验符合较好,最后分析了负阻现象的应用前景。  相似文献   
38.
39.
四角晶相HfO2(001)表面原子和电子结构研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
卢红亮  徐敏  陈玮  任杰  丁士进  张卫 《物理学报》2006,55(3):1374-1378
采用基于第一性原理的密度泛函理论研究了四角晶相二氧化铪(t-HfO2)体相及 其(001)表面的原子几何与电子结构.理论计算结果表明,t-HfO2(001)表面不会 产生重构现象.与体相电子结构相比, t-HfO2(001)表面态密度明显高于体相态 密度.其次,表面原子的态密度更靠近费米能级(EF),价带往低能量处移动,并 有表面态产生.计算结果表明了t-HfO2表面禁带宽度明显低于体相的禁带宽度. t-HfO2(001)的表面态产生以及表面禁带宽度减小是由于Hf原子与O原子的配位 数减少,表面原子周围的环境发生变化而引起的. 关键词: 密度泛函理论 2(001)')" href="#">t-HfO2(001) 表面电子结构  相似文献   
40.
Ag+掺杂的立方相Y2O3:Eu纳米晶体粉末发光强度研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
采用化学自燃烧法制备了不同Ag+掺杂浓度的Y2O3:Eu纳米晶体粉末样品([Y3+]∶[Eu3+]∶[Ag+]=99∶1∶X,X=0—3.5×10-2),以及通过退火处理得到了相应的体材料.根据X射线衍射谱确定所得纳米和体材料样品均为纯立方相.实验表明在纳米尺寸样品中随着Ag离子浓度的增加,荧光发射强度随之增加,当X=2×10-2时达到最大值,其发光强度比X=0时提高了近50%.当Ag离子浓度继续增加,样品发光强度保持不变.在相应的体材料样品中则没有观察到此现象.通过对各样品的发射光谱,激发光谱,X射线衍射图谱,透射电镜(TEM)照片和荧光衰减曲线的研究,分析了引起纳米样品荧光强度变化的原因是由于Ag离子与表面悬键氧结合,从而使这一无辐射通道阻断,使发光中心Eu3+的量子效率提高;Ag+的引入所带来的另一个效应是使激发更为有效.这两方面原因使发光效率得到了提高.  相似文献   
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