多量子势垒电子阻挡层对UV LED 性能的影响

研究了不同厚度的多量子势垒电子阻挡层(MQB-EBLs)对InGaN UV LED的效率的影响。分析了影响不同厚度MQB-EBLs的LED光输出功率(LOP)的主要因素。实验表明,MQB-EBLs的量子阱层和势垒层厚度为分别为2 nm和3 nm时,387 nm UV LED的LOP可显著地提升到8.47 mW。     

电子安装技术的最新动向和展望

概述了电子安装技术的最新动向和将来展望。     

InGaN/GaN多量子阱LED的电特性研究

针对InGaN/GaN多量子阱LED,分析了占据能态高于势垒的载流子和低于势垒的载流子参与的电流输运机制,从而推导出对应能态电流输运机制下的电流-电压关系,以及理想因子与温度的变化规律.实验结果证实,在低注入强度下,由材料缺陷引入的深能级辅助隧穿输运机制占主导,电流电压特性符合相应的推导结果,随着注入强度的增大,参与扩散-复合输运机制的载流子逐渐增加,温度对输运机制的影响逐渐增大.     

CIS光源特性测试仪的设计

本文介绍了一种测试CIS用光源的照度，均一性等参数的方法，设计了CIS用光源特性测试仪，并介绍了设计思想及测试方法。     

柔性LED驱动器的DMX512协议转换芯片设计

传统的显示用LED驱动器通常采用速度较高的数据传输协议,而柔性LED显示系统的数据线通常要长距离传输。为了解决这个矛盾,可以使用DMX512协议进行长距离传输,并在柔性LED灯带的端口处增加一个协议转换芯片。利用FPGA芯片实现了一个应用于柔性LED驱动器的DMX512协议转换芯片,并完成了实际系统的测试工作,协议转换速度符合协议的最高速度,有很强的实际应用价值。     

金属型场发射阵列的研究

讨论了Ｓｐｉｎｄｔ方法制作金属型ＦＥＡ工艺过程中的技术难点和相应的解决方案,最后成功地研制出场发射阵列,并实现了场发射。     

基于电流型控制的LED恒流源分析与设计

设计了一种输出功率约50W的LED恒流源驱动模块, 其负载为由多只LED管(每只功率为1W)采用混联方式组成的LED阵列。通过对其电流型反激式变换及恒流控制电路的设计与试制, 并在不同输入电压下, 改变负载测试, 可看出其电流变化规律基本相似。随着负载变小, 输出电压升高, 输出电流逐渐减小, 输出电流稳定度达4.6%。在一定负载时, 输出电压值保持在47.2V左右, 电压纹波峰-峰值约为400mV。电流波动约0.05A, 输出电流稳定可靠, 可用于对多只串并混联的LED阵列驱动供电。     

LED毫伏级待测电动势实验仪的设计及其稳定性的研究

为了满足电位差计实验对毫伏级待测电动势需求,设计了LED毫伏级待测电动势实验仪,并对其稳定性进行了研究.待测电动势实验仪是通过光电转换来实现的,输出的毫伏级电动势在电位差计实验仪的各个测量点都能稳定,能够满足箱式电位差计测量范围和精度要求,是比较理想的箱式电位差计实验配套仪器,能够大大提高学生的实验效率和教师对实验设计的选择性,实验效果良好.     

基于旋转二维发光二极管阵列的体三维显示系统

利用发光二极管 (LED)的高速发光特性 ,以旋转的二维发光二极管阵列为显示载体 ,通过时分寻址电路快速显示三维形体的二维截面序列。受调制的离散二维图像信息 ,因视觉暂留而形成深度效应 ,将被整合感知为一幅连续的三维图像。成功实现了具有 4 915 2个体像素 ,尺寸为14 4 .6mm× 110mm的柱体空间内的三维显示 ,图像具有双目视差、调节、会聚等常规视差信息 ,能提供真实的深度暗示 ,可同时从任意角度直接观察。论述了系统的显示原理及图像编码分解方法 ,分析和讨论了显示质量与体像素优化选取、起始位置显示信息的关联程度     

Luminescent properties of R doped Sr2SiO4:Eu(R=Li, Na and K) red-emitting phosphors for white LEDs

Sr₂SiO₄:Eu³⁺ and Sr₂SiO₄:Eu³⁺ doped with R⁺(R⁺=Li⁺, Na⁺ and K⁺) phosphors were prepared by conventional solid-state reaction and investigated by powder X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR) and photoluminescence spectroscopy. XRD patterns and SEM reveal that the optimal firing condition for Sr₂SiO₄:Eu³⁺ was 1300 °C for 4 h. The excitation and emission spectra indicate that the phosphor can be effectively excited by ultraviolet (395 nm) and blue (466 nm) light and emits intense red light peaked at around 614 nm corresponding to the ⁵D₀→⁷F₂ transitions of Eu³⁺. In the research work, the effect of R⁺ contents on luminescence property and the Eu³⁺ concentration quenching process have also been investigated. The Eu³⁺ concentration quenching mechanism was verified to be a multipole-multipole interaction and the critical energy-transfer distance was calculated to be around 14.6 Å. The dopant R⁺(R⁺=Li⁺, Na⁺ and K⁺) as charge compensator in Sr₂SiO₄:Eu³⁺ can further enhance luminescence intensity, and the emission intensity of Sr₂SiO₄:Eu³⁺ doping Li⁺ is higher than that of Na⁺ or K⁺.