用阴极射线管显示器研究影响色差知觉的因素

利用计算机控制的阴极射线管显示器研究影响色差知觉的因素,由一组观察者采用灰标法判断以16组不同参数显示的色样对的色差,获取了大量的观察数据。初步分析处理的结果表明,在本实验研究的各种观察因素中,色样轮廊线和背景颜色对色差知觉的影响比较明显;在所比较的国际照委员会1994年推荐的色差公式（CIE94）,国际照明委员会1976年推荐的颜色空间和色差公式（CIELAB）,伯兰福特色差公式（BFD）和英国颜色测量协会色差公式（CMC）四种色差公式中,BFD预测色差知觉的结果最好,CIELAB最差。在分析比较阴极射线管模拟色样和纺织吕表面色样的色差评估数据基础上,得出了人眼对阴极射线管荧屏色的色差知觉与表面的色差知觉达到最接近的两种观察条件。     

控制脉冲形状对太赫兹光非对称解复用器开关特性的影响

在考虑了太赫兹光非对称解复用器 (TOAD)中半导体光放大器 (SOA)的增益饱和与恢复效应的基础上 ,深入研究了超高斯控制脉冲对半导体光放大器的动态增益响应及太赫兹光非对称解复用器开关特性的影响 ,并与高斯控制脉冲的情形进行了比较。结果表明 :相对于高斯控制脉冲而言 ,超高斯控制脉冲使半导体光放大器的增益转折区减小 ,显著影响太赫兹光非对称解复用器的开关窗口形状 ,当信号光相对于控制光时延一定 ,或环时间非对称性及信号光相对于控制光的全部时延一定时 ,超高斯控制脉冲都将使太赫兹光非对称解复用器的最大开关比降低     

综合机载微光夜视镜光学系统研究

综合机载微光夜视镜是一种比较复杂的、典型的机载光电系统。介绍了该项研究采用的总体设计思想和设计方法,阐述了宽波段多传感器综合光电系统研究的一般思想和主导策略。在光学系统优化设计的过程中,应用阻尼最小二乘法和适应法解决了大相对也径、低畸变和MTF匹配等问题。在此基础上,给出了物镜系统、主观察系统、CRT图像叠架系统和CCD图像显示系统的优化计算和像质分析结果,对于关键问题进行了讨论和总结。     

A Simple,One‐Step Approach to Durable and Robust Superhydrophobic Textiles

Superhydrophobic textile fabrics are prepared by a simple, one‐step gas phase coating procedure by which a layer of polymethylsilsesquioxane nanofilaments is grown onto the individual textile fibers. A total of 11 textile fabrics made from natural and man made fibers are successfully coated and their superhydrophobic properties evaluated by the water shedding angle technique. A thorough investigation of the commercially relevant poly(ethylene terephthalate) fabric reveals an unparalleled long‐term water resistance and stability of the superhydrophobic effect. Because of the special surface geometry generated by the nanoscopic, fibrous coating on the microscopic, fibrous textiles, the coated fabric remains completely dry even after two months of full immersion in water and stays superhydrophobic even after continuous rubbing with a skin simulating friction partner under significant load. Furthermore, important textile parameters such as tensile strength, color, and haptics are unaffected by the silicone nanofilament coating. For the first time, an in‐depth characterization of the wetting properties, beyond simple contact angle measurements, as well as a thorough evaluation of the most important textile parameters is performed on a superhydrophobic fabric, which reveals a true potential for application.     

基于广义递归反演的超分辨率图像恢复研究

超分辨率图像恢复在安全监控、遥感监测、军事侦察等领域有着广泛的应用.文中提出了一种基于广义递归反演的超分辨率图像恢复算法,该算法引入正则化因子,将超分辨率图像恢复的欠定问题转化为适定问题,然后通过递归的方式来恢复超分辨率图像.仿真结果表明,该算法能从多帧低分辨率图像来恢复所需要的超分辨率图像,而且算法是稳健的和有效的.     

近期各种技术电视市场分析

随着新型平板显示技术的日趋成熟,LCD和PDP为代表的平板电视(FPD)迅猛发展,不断冲击CRT的垄断地位,特别是LCD电视尺寸范围不断扩大,打破以往行业界预测的小尺寸CRT、中尺寸LCD,大尺寸PDP的界限日渐成为市场主导。CRT电视市场不断萎缩,但是CRT电视不会消亡,短期内仍将占主流,到2010年仍有6900万台的需求,PDP电视在50英寸以上市场坚守阵地。今后各种电视都将以各自性能优势,占领各自的市场份额在市场上并存。     

高振动激发态DBr(X~1Σ~+,v″=8、7)与 D_2,Ar间的碰撞振动能量转移

利用YAG激光器泵浦OPO激光简并受激超拉曼泵浦DBr分子至基电子态的高振动态v″=8、7,研究高振动态DBr分子与其他碰撞气体(Ar、D_2)的碰撞弛豫过程.对于DBr(v″=8)和Ar、D_2混合体系,由高分辨瞬时激光感应荧光光谱方法探测碰撞弛豫后DBr分子振动态v″=8的时间分辨布居数的演化过程.保持总压强不变,改变碰撞气体的摩尔配比,测量相应条件下的有效寿命,由混合气体系统中Stern-Volmer公式,得到DBr(v″=8)分子与Ar、D_2的碰撞弛豫速率系数分别为k_8(Ar)=(0.51±0.1)×10~(-12 ) cm~3molecule~(-1)s~(-1),k_8(D_2)=(3.50±0.8)×10~(-12) cm~(3 )molecule~(-1 )s~(-1);DBr(v″=8)分子的平均自弛豫速率系数为k_8(DBr)=(1.20±0.4)×10~(-12) cm~3molecule~(-1)s~(-1).对于摩尔配比为0.5的DBr和D_2混合体系,Ti宝石激光器分别双光子激发DBr v″≤8、7各振动态至第一电子激发态A~1Πv′态,测量各个振动态的荧光光强随时间演化,测量结果表明DBr (v″=8、7)与D_2的碰撞弛豫中均发生了二量子弛豫;对于摩尔配比为0.4的DBr(v″=8)和Ar混合体系,只有连续单量子碰撞弛豫过程.     

用超广义线图构造整谱图

线图在图的谱理论研究中起着重要的作用.在本文中,通过研究超广义线图成为整谱图的充分条件,获得了一种全新的构造新的整 谱图的方法,运用这种方法,可以构造出无穷多个新的整谱图.     

半导体制冷器对SLD光源温控参数的影响

针对光纤陀螺用SLD光源与控制电路的匹配需求,探讨了SLD光源的重要光源组件——半导体制冷器对温度控制参数离散化的影响。结果表明,半导体制冷器(TEC)的等效内阻和制冷/加热效率的特性是目前SLD光源温控参数离散的主要原因;在当前温控模式下,TEC等效内阻对温控参数的影响最为显著,其由于工艺或使用条件变化等原因产生的任何微小差异均直接表现为温控参数的改变;TEC的制冷效率和加热效率对温控参数的影响不同,它们在制冷和加热过程分别促进和阻止温控参数的进一步离散。通过改进光源温控模式、加强光源规范管理、增强TEC的一致性,以及改进TEC制冷/加热效率,可大幅提高光源和温控电路的匹配效果。     

An oxide filled extended trench gate super junction MOSFET structure

This paper proposes an oxide filled extended trench gate super junction (SJ) MOSFET structure to meet the need of higher frequency power switches application. Compared with the conventional trench gate SJ MOSFET, new structure has the smaller input and output capacitances, and the remarkable improvements in the breakdown voltage, on-resistance and switching speed. Furthermore, the SJ in the new structure can be realized by the existing trench etching and shallow angle implantation, which offers more freedom to SJ MOSFET device design and fabrication.