InAs/GaSb超晶格探测器台面工艺研究

InAs/GaSb SLs探测器台面刻蚀常用的工艺有干法刻蚀和湿法刻蚀。研究了三种等离子刻蚀气体(Cl2基, Ar基和CH4基)对超晶格的刻蚀效果,SEM结果表明,CH4基组分能够得到更加平整的表面形貌和更少的腐蚀坑;之后采用湿法腐蚀工艺,用于消除干法刻蚀带来的刻蚀损伤,分别研究了酒石酸系和磷酸系两种腐蚀溶液的去损伤效果,结果表明,磷酸系腐蚀液的去损伤效果更好,且腐蚀速率更加稳定。采用优化的台面工艺制备了InAs/GaSb SLs探测器,其I- V特性曲线表明二极管具有较低的暗电流,其77 K时动态阻抗R0A =1.98×104Ωcm2。     

超高斯光束经光阑球差透镜后的光束质量评价

以桶中功率(PIB)、β参数和η参数为激光光束质量评价参数,对超高斯光束经有方环光阑球差透镜后的光束质量作了详细的研究。大量数值计算和物理分析表明,超高斯光束经有方环光阑透镜后的光束质量与方环遮拦比、透镜球差和超高斯光束的阶数等因素有关。采用适当的负球差透镜,在实际焦面上可得到最大的PIB,η值和最小的β值,从而获得比无球差透镜更好的光束质量,甚至使β1。     

机动目标ISAR超分辨成像的分辨能力研究

机动目标ISAR超分辨成像须考虑三维转动造成多普勒频率的时变性质,同时,成像质量也受到信号模型误差的影响,如包络对齐误差和自聚焦误差.采用误差参数和目标特征参数联合估计可显著提高机动目标成像的分辨率.本文将误差参数和目标参数联合建模,对信号模型解的不唯一性提出一种约束条件,引入分辨能力的概念,综合分析了存在这些因素时成像分辨率所受到的限制.     

轻量化绝对式多圈光电编码器研究

为有效减小多圈编码器体积、重量并满足高位数多圈记忆的要求,设计了轻量化绝对式多圈光电编码器。多圈编码器采用绝对式矩阵码盘设计,将编码器的绝对码设计在齿轮上,减小了以往绝对式多圈编码器的多级码盘结构和齿轮结构;采用多级齿轮串行结构,缩小了多圈编码器齿轮的高度,便于安装、结构简单。设计的14位超高位数绝对式多圈光电编码器,外形尺寸为φ60mm×20mm,圈数为214=16 384圈,实现了电机转动圈数的绝对记忆功能,具有圈数记忆位数高、重量轻的特点。     

负型液晶在ADS广视角技术中的应用

为满足液晶面板尤其是大尺寸产品对高透过率不断提升的需求,进行负型液晶在ADS广视角技术中的研究。首先,介绍ADS技术的发展进程及主要特点,然后模拟分析负型液晶参数变化对ADS显示特性的影响,最后,利用mini cell对负型液晶和PI材料的进行实验室评价。液晶参数中：Δn影响透过率,|Δε|和K值影响响应时间和工作电压,γ₁影响响应时间。负型液晶透过率比正型液晶提升约8%,但响应时间增加约50%,负型液晶与PI的匹配性及残像差于正型液晶,与PI材料的搭配对残像有显著影响。调整负型液晶参数可优化产品性能。负型液晶可大幅提高产品的透过率,但需要加快响应时间和提升残像水平。响应速度的提高除了需要降低液晶的黏度,还需在电极结构优化方面做更多努力,而残像水平的提升,除提高负型液晶材料本身的稳定性外,与其搭配的取向材料的研发也十分重要。     

亚洲各国显示技术科研与产业近况（下）

显示技术的科研开发与产业近年获得飞速发展。日本在平板显示方面遥遥领先，亚洲其他国家发展很快。本文将对中国大陆与港台地区、日本、韩国等有关近况作一概述。     

超高斯光束是折射率梯度光纤中波动方程的本征解

本文在一般情况下推导出超高斯光束是折射率梯度光纤中ＳＶＡ近似下波动方程的本征解并给出了折射率分布函数     

电信网发展的必然趋势─—全球性信息高速公路的兴起

简要地回顾了电信网发展的历史，分析了其发展趋势。电信网发展到今天，信息高速公路和智能信息处理成为当今科技界的研究热点。全球性建设信息高速公路的热潮正在兴起。     

GaAs低能Si^＋及SiF^＋离子注入研究

本文对30keV Si~+和分子离子S_1F~+注入半绝缘GaAs的行为进行了研,究注入Si~+样品的Si原子纵向分布,与相同条件下用SICT模拟程序理论计算出的分布相一致,经灯光900℃10秒RTA,电激活率可达60％,电化学C—V测得的载流子纵向分布与注入态SIMS结果相同,可以获得近0.2μm的GaAS有源层。而注入分子离子SiF~+样品,虽注入层较浅,但灯光退火后,电激活率很低。因此,用分子离子SiF~+注入以形成GaAs超薄有源层是不相宜的。此外,根据X—射线双晶衍射的结果还对GaAs注入Si~+和SiF~+的退火行为进行了讨论。