Pixel‐Structured Scintillator with Polymeric Microstructures for X‐Ray Image Sensors

We introduce a pixel‐structured scintillator realized on a flexible polymeric substrate and demonstrate its feasibility as an X‐ray converter when it is coupled to photosensitive elements. The sample was prepared by filling Gd₂O₂S:Tb scintillation material into a square‐pore‐shape cavity array fabricated with polyethylene. For comparison, a sample with the conventional continuous geometry was also prepared. Although the pixelated geometry showed X‐ray sensitivity of about 58% compared with the conventional geometry, the resolving power was improved by about 70% above a spatial frequency of 3 mm^?1. The spatial frequency at 10% of the modulation‐transfer function was about 6 mm^?1.     

Si(111)衬底上GaN外延材料的应力分析

对Si(111)衬底上GaN外延材料的应力随着低温AlN插入层数的变化进行了分析研究。通过喇曼散射谱在高频E2(TO)模式下的测试分析发现,随着低温AlN插入层数的增加,GaN材料的E2(TO)峰位逐渐接近体GaN材料的E2(TO)峰位(无应力体GaN材料的E2(TO)峰位为568cm-1),计算得出GaN材料的应力从1.09GPa减小到0.42GPa。同时,使用室温光荧光谱进行了分析验证。结果表明,Si衬底上GaN外延材料受到的是张应力,通过低温AlN插入层技术可以有效降低GaN材料的应力,并且最终实现了表面光亮的厚层无裂纹GaN材料。     

采用部分频率复用的小小区网络建模与分析

小小区组网技术被认为是解决迅速增长的移动数据量需求的方法。然而,密集的小小区组网会导致严重的小区间干扰。传统的部分频率复用方法不能完全照搬用在部署不规则的小小区网络内,急需一种合理高效建模采用频率复用小小区网络的方法,对其性能进行评估。利用随机几何理论对小小区网络考虑部分频率复用场景进行建模,推导了考虑部分频率复用的小小区网络下行覆盖概率和网络吞吐量的表达式。数值仿真结果显示：部分频率复用技术可以提高小小区网络下行覆盖概率,但是会降低网络图吞吐量。在满足覆盖概率约束条件下,得到了使得网络吞吐量最大的频率复用因子的表达式。以上结果对未来采用频率复用技术的小小区组网的具体实施具有重要的指导意义。     

液体-压电晶片界面兰姆波激发的理论研究

对液体 -压电晶片结构中叉指换能器所激发的兰姆波进行了理论研究和数值分析 ,给出了兰姆波的相速度、叉指换能器激发兰姆波的机电耦合系数与压电晶片的归一化厚度、晶体切向之间的关系曲线 ,为液体密度兰姆波声传感器的研究提供了理论基础。     

封装中的界面热应力分析

随着电子封装集成度的不断提高,集成电路的功率容量和发热量也越来越高,封装体内就产生了越来越多的温度分布以及热应力问题。文章建立了基板-粘结层-硅芯片热应力分析有限元模型,利用有限元法分析了芯片/基板的热应力分布,封装体的几何结构参数对应力的影响,重点讨论了芯片与粘结层界面上和基板与粘结层界面上的层间应力分布     

毫米波系统级封装中的基板功能化实现

阐述了毫米波系统级封装（SOP）架构中基板功能化的概念、作用及实现方法。提出了利用低温共烧陶瓷（LTCC）技术,在SOP多层陶瓷基板中一体化集成多种无源电路单元,使封装基板在作为表面贴装有源芯片载体的同时,自身具备相应的无源射频功能。最终通过设计实例的仿真、加工及测试对比,验证了在SOP架构下实现封装基板功能化的可行性,及其所具有的良好的射频滤波、层间信号互联、射频接口过渡等电气性能。     

Fabrication of extremely thermal-stable GaN template on Mo substrate using double bonding and step annealing process

A new layer transfer technique which comprised double bonding and a step annealing process was utilized to transfer the GaN epilayer from a sapphire substrate to a Mo substrate. Combined with the application of the thermal-stable bonding medium, the resulting two-inch-diameter GaN template showed extremely good stability under high temperature and low stress state. Moreover, no cracks and winkles were observed. The transferred GaN template was suitable for homogeneous epitaxial, thus could be used for the direct fabrication of vertical LED chips as well as power electron devices. It has been confirmed that the double bonding and step annealing technique together with the thermal-stable bonding layer could significantly improve the bonding strength and stress relief, finally enhancing the thermal stability of the transferred GaN template.     

一种毫米波BGA封装低成本测试方法

提出一种可应用于毫米波BGA(Ball Grid Array)封装器件的低成本无损测试方法.该测试方案主要由毛纽扣及两块单层基板组成.其中,毛纽扣作为封装焊球与基板之间的垂直互联媒介,实现信号传输.同时,毛纽扣具有较小的弹性接触力,在测试过程中能够保护焊球不受损伤.毛纽扣与基板形成的介质填充类同轴结构和基板上的高低阻抗...     

Si衬底MOCVD生长GaN/InGaN多量子阱缺陷TEM研究

用透射电子显微镜对Si衬底生长GaN/InGaN多量子阱材料进行横断面测试,在衬底和缓冲层区域进行高分辨电子显微成像(HRTEM)、电子衍射衬度成像、选区电子衍射成像,在量子阱附近区域进行了双束近似电子衍衬像对其位错特性进行研究;用场发射扫描电子显微镜对饱和KoH溶液腐蚀前后材料成像.结果发现,AIN缓冲层具有多孔结构,高温GaN层位错平均密度达108cm-2,同扫描电子显微镜得到的六角腐蚀坑密度一致,量子阱以下发现大量位错发生90°弯曲,而使穿过量子阱位错密度大大降低.在线位错中,以刃位错居多,其次是混合位错,所观察区域几乎未见螺位错.     

微波组件用镀镍壳体的烧结性能研究

用荧光厚度分析仪、X光透视、扫描电子显微镜/能谱仪及切片分析等手段研究了不同镀镍壳体的烧结性能。结果表明,不同镀镍类型的镀层可焊性不同,电镀暗镍可焊性最差,电镀氨基磺酸镍和化学镀NiP的可焊性相对较好。SnAgCu焊料与镀镍壳体润湿较好,基片烧结空洞率较低,烧结界面与壳体及基片和玻璃绝缘子结合致密,玻璃绝缘子烧结的密封检漏通过率达90%。温度冲击后,烧结界面无明显分层和裂纹出现,镀镍壳体试制样品的电性能满足设计要求。