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91.
研制太赫兹量子级联激光器的核心是制备以GaAs为代表的量子阱超晶格,在制备GaAs为代表的量子阱超晶格过程中,需要解决As缺位等基础性物理问题。采用激光分子束外延技术制备了GaAs外延薄膜,研究了实验参数对GaAs薄膜性能,特别是As缺位的影响。在线RHEED测试结果表明,GaAs可以实现外延生长。原位XPS和UPS等测试研究结果表明,激光分子束外延技术制备GaAs外延薄膜过程中存在As缺位问题,激光能量对GaAs薄膜中As含量具有明显的影响,要获得理想成分比的GaAs外延薄膜,需要较高的脉冲激光能量(600 mJ)。 相似文献
92.
报道了InAs/GaSb超晶格中波材料的分子束外廷生长技术研究.通过改变GaSb衬底上分子束外延InAs/GaSb超晶格材料的衬底温度,以及界面的优化等,改善超晶格材料的表面形貌和晶格失配,获得了晶格失配△a/a=1.5×10-4,原子级平整表面的InAs/GaSb超晶格材料,材料77 K截止波长为4.87 μm. 相似文献
93.
94.
95.
假设超晶格锯齿形沟道对粒子的作用等效为形状相似的周期场作用. 在经典力学框架内,引入正弦平方势,把粒子运动方程化为具有阻尼项和双频激励项的摆方程. 用Melnikov方法对单频激励系统的分叉与混沌进行分析;用Lyapunov方法对双频激励系统的稳定性进行讨论. 结果表明:在弱非线性情况下,双频激励系统存在局域不稳定,且这种不稳定将向全局扩展,直至混沌的出现;导致混沌的双频激励强度远小于单频激励强度;外加一个适当的超声场可望将这种敏感钝化,使系统的稳定性得到改善.
关键词:
超晶格
准周期激励
混沌
稳定性 相似文献
96.
概率约束随机规划的一种近似方法及其它的有效解模式 总被引:2,自引:0,他引:2
根据最小风险的投资最优问题,我们给出了一个统一的概率约束随机规划模型。随后我们提出了求解这类概率约束随机规划的一种近似算法,并在一定的条件下证明了算法的收敛性。此外,提出了这种具有概率约束多目标随机规划问题的一种有效解模型。 相似文献
97.
A. Y. Polyakov N. B. Smirnov A. V. Govorkov A. A. Shlensky M. G. Mil’vidskii S. J. Pearton N. N. Faleev V. T. Bublik K. D. Chsherbatchev A. Osinsky P. E. Norris V. A. Dravin R. G. Wilson 《Journal of Electronic Materials》2002,31(5):384-390
High-resolution x-ray diffraction patterns and 90 K microcathodoluminescence (MCL) spectra were taken for undoped, symmetric AlGaN/GaN superlattices (SLs) with GaN quantum-well (QW) widths of 35 Å and 80 Å. The short-period SL spectra were blue shifted by about 60 meV compared to the GaN substrate, and the magnitude of the blue shift was increased by about 20 meV by application of a reverse bias of ?3 V (electric field of about 4 · 105 V/cm) to a Schottky diode prepared on this SL. A small red shift of about 40 meV compared to GaN was observed for the long-period SL. The two latter observations were interpreted as manifestations of the presence of a strong built-in piezoelectric field, giving rise to the quantum-confined Stark effect (QCSE). Partial disordering of the short-period SL was observed after Ar ion implantation (energy 150 keV, dose 8·1013 cm?2 and 80 keV, 2·1013 cm?2) and subsequent annealing at 1000°C for 3 h under the protective layer of Si3N4. However, it was observed that this partial disordering was accompanied by strain relaxation via formation of misfit dislocations or cracks. 相似文献
98.
本文报导了用计算机控制的衍射仪(CuKα辐射)测量的金属有机化学汽相沉淀(MOCVD)方法生长的Ⅱ-Ⅵ族应变层超晶格的X射线衍射曲线,观察到了超晶格结构的多级卫星峰,且卫星峰的强度随角度呈周期性变化.对这种卫星峰形成包络的衍射曲线,用X射线运动学衍射理论进行了分析和讨论,这种讨论有助于理解X射线衍射曲线中卫星峰的形成.同时用光致发光和包络峰宽度的方法估算了样品的结构参数. 相似文献
99.
F. Bugge G. Erbert I. Rechenberg U. Zeimer M. Weyers M. Procop 《Journal of Electronic Materials》1996,25(2):309-312
Growth and characterization results are presented for high-power laser diodes with AlGaAs cladding and waveguide layers and
strained In1-xGaxAs quantum wells with 0.09 < x < 0.25 grown by metalorganic vapor phase epitaxy at different temperatures. Photoluminescence
at 300 and 10K, Auger spectroscopy, and high-resolution x-ray measurements are discussed. Broad area laser diodes have been
fabricated with different cavity length and threshold current densities, absorption coefficients, internal efficiencies, and
degradation rates have been measured. 相似文献
100.
利用分子束外延技术,生长了30周期的InGaAs/GaAs量子点超晶格,透射电镜表明各层量子点沿生长方向呈现很好的垂直对准,红外吸收测试观察以明显的垂直入射红外吸收,吸收范围为8.5~10.4μm之间,峰值波长为9.9μm第一次实现了响应8~12μm大气窗口的量子点的垂直入射红外吸收,这一结果预示了量子点超晶格结构在红外探测领域的潜在应用。 相似文献