准最佳屏蔽二进阵列偶理论研究

本文在最佳屏蔽二进阵列偶的基础上定义了一种新的最佳循环相关信号,即准最佳屏蔽二进阵列偶,讨论了准最佳屏蔽二进阵列偶的体积、变换性质,通过分析其Fourier频谱特性和研究其存在的必要条件,为计算机搜索最佳屏蔽二进阵列偶奠定了理论基础,并给出了由计算机搜索出的若干小体积准最佳屏蔽二进阵列偶.     

可见光LED的进展——超高亮度LED及应用(二)

可见光ＬＥＤ的进展——超高亮度ＬＥＤ及应用（二）张万生梁春广（电子工业部第十三研究所，石家庄，０５００５１）４超高亮度发光管的发展［９～１４］４．１ＩｎＧａＡｌＰＤＨＬＥＤ发光强度达到坎德拉级发光管的高亮度化一直是半导体材料和器件的前沿课题之一，超高...     

短波红外InGaAs／InP光伏探测器系列的研制

采用气态源分子束外延方法及应用有源区同质结构及较薄的组分渐变InxGa1-xAs缓冲层,研制了波长扩展的InGaAs/InP光伏探测器系列,其室温下的截止波长分别约为1.9μm,2.2μm.和2.5μm.对此探测器系列在较宽温度范围内的性能进行了细致表征,结果表明在室温下其R0A乘积分别为765,10.3和12.7Ωcm2,比室温降低100K时其暗电流和R0A可改善约3个量级.瞬态特性测量表明此探测器系列适合高速工作,实测响应速度已达数十ps量级.     

高速InP/InGaAs雪崩光电二极管

采用分层吸收渐变电荷倍增(SAGCM)结构,通过两次扩散、多层介质淀积、AuZn p型欧姆接触、AuGeNi n型欧姆接触等工艺,设计制造了正面入射平面InP/InGaAs雪崩光电二极管,器件利用InGaAs做吸收层,InP做增益层,光敏面直径50 μm;测试结果表明器件有正常的光响应特性,击穿电压32～42 V,在低于击穿电压2 V左右可以得到大约10A/W的光响应度,在0到小于击穿电压1 V的偏压范围内,暗电流只有1 nA左右;器件在2.7 GHz以下有平坦的增益.     

截止频率为218GHz的超高速晶格匹配In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As高电子迁移率晶体管

报道了截止频率为218GHz的晶格匹配的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As高电子迁移率晶体管.这是迄今为止国内报道的截止频率最高的高电子迁移率晶体管.器件直流特性也很优异:跨导为980mS/mm,最大电流密度为870mA/mm.文中的材料结构和所有器件制备工艺均为本研究小组自主研制开发.     

n-on-p结构深台面延伸波长InGaAs探测器的ICPCVD钝化工艺

采用ICP刻蚀(inductively coupled plasma etching)工艺制备了深台面n-on-p结构的可响应到2.4μm的延伸波长8×1元线列In Ga As探测器.器件表面采用ICP源激发的N2等离子体进行处理,然后再使用ICPCVD(inductively coupled plasma chemical vapor deposition)沉积一层Si Nx薄膜的钝化工艺.不同面积光敏元器件的电流—电压特性分析显示器件在常温和低温下侧面电流均得到有效抑制,激活能分析显示了器件优异的暗电流特性,在-10 m V偏压下,在200 K和300 K温度下暗电流密度分别为94.2 n A/cm2和5.5×10-4A/cm2.     

<100>沟道方向对高迁移率双轴应变硅p-MOSFET的作用

双轴应变技术被证实是一种能同时提高电子和空穴迁移率的颇有前景的方法;<100>沟道方向能有效地提升空穴迁移率.研究了在双轴应变和<100>沟道方向的共同作用下的空穴迁移率.双轴应变通过外延生长弛豫SiGe缓冲层来引入,其中,弛豫SiGe缓冲层作为外延底板,对淀积在其上的硅帽层形成拉伸应力.沟道方向的改变通过在版图上45°旋转器件来实现.这种旋转使得沟道方向在(001)表面硅片上从<110>晶向变成了<100>晶向.对比同是<110>沟道的应变硅pMOS和体硅pMOS,迁移率增益达到了130%;此外,在相同的应变硅pMOS中,沟道方向从<110>到(100)的改变使空穴迁移率最大值提升了30%.讨论和分析了这种双轴应变和沟道方向改变的共同作用下迁移率增强的机理.     

Towards van der Waals Epitaxial Growth of GaAs on Si using a Graphene Buffer Layer

Van der Waals growth of GaAs on silicon using a two‐dimensional layered material, graphene, as a lattice mismatch/thermal expansion coefficient mismatch relieving buffer layer is presented. Two‐dimensional growth of GaAs thin films on graphene is a potential route towards heteroepitaxial integration of GaAs on silicon in the developing field of silicon photonics. Hetero‐layered GaAs is deposited by molecular beam epitaxy on graphene/silicon at growth temperatures ranging from 350 °C to 600 °C under a constant arsenic flux. Samples are characterized by plan‐view scanning electron microscopy, atomic force microscopy, Raman microscopy, and X‐ray diffraction. The low energy of the graphene surface and the GaAs/graphene interface is overcome through an optimized growth technique to obtain an atomically smooth low­ temperature GaAs nucleation layer. However, the low adsorption and migration energies of gallium and arsenic atoms on graphene result in cluster‐growth mode during crystallization of GaAs films at an elevated temperature. In this paper, we present the first example of an ultrasmooth morphology for GaAs films with a strong (111) oriented fiber‐texture on graphene/silicon using quasi van der Waals epitaxy, making it a remarkable step towards an eventual demonstration of the epitaxial growth of GaAs by this approach for heterogeneous integration.     

应变In0.20 Ga0.80As／GaAs单量子阱结构的光谱研究

报道了用光致发光光谱，吸收光谱和光电流谱研究具有相同组伊阱宽，不同覆盖层厚度的应变Ｉｎ０．２０Ｇａ０．８０Ａｓ／ＧａＡｓ单量子阱结构的实验结果，结果理论计算，观察到ＧａＡｓ覆盖层厚度对单量子阱结构的材料质量，应力驰豫和发光淬灭机制的影响，确定了各样品应变值和导带不连续因子Ｑｃ，并讨论了这种结构发光机制。     

0.15μmInGaAs PHEMT50MHz-1GHz高线性CATV放大器设计

本文对应用于CATV（有线电视）的50MHz - 1GHz频段的低噪声和高线性度单片微波集成电路（MMIC）放大器进行了设计。设计采用并联电压交流负反馈和源极电流负反馈相结合以扩大带宽和高线性度。本文引入一种新的共源共栅管基极偏置以稳定工作点来进一步提高线性度。该电路由台湾稳懋半导体公司的0.15μm InGaAs PHEMT工艺制作。测试在有线电视频段50MHz-1GHz范围内和75欧姆测试匹配系统中进行。.测试结果表明芯片小信号增益为16.5dB,带内波动小于 1dB。噪声指数在带内为1.7-2.9dB。IIP3高达16dBm。CSO和CTB分别为68dBc和77dBc。芯片面积为0.56 mm2,而功耗在5V供电下为110mA。测试结果表明芯片展现了出色的噪声性能和高线性度,非常适合于有线电视系统。