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41.
群时延精确设计的全差分四阶Bessel滤波器   总被引:1,自引:0,他引:1  
何怡刚  江金光  吴杰 《电子学报》2002,30(2):249-251
采用MOS管有源电阻,提出了一种全差分R-MOSFET-C四阶Bessel有源低通滤波器,.通过调节工作于亚阈值区的CMOS管的沟道导纳补偿电阻值的大小,能抵消集成电路制造工艺中电阻值的一致偏差,实现Bessel有源滤波器群时延的精确设计.根据无源滤波器的状态方程完成有源滤波器的综合,应用3.3V,0.5μm CMOS工艺完成了群时延大小为0.75μs的四阶Bessel低通滤波器的管极计算机仿真,仿真结果表明所提电路正确有效,适于全集成.  相似文献   
42.
New developments in diagnostic tools and systems are necessary for a reliable and economic evaluation of the condition of equipment in power systems. In a research project a tool for the condition of contacts of centre break disconnector, which is used under normal operation by the aid of a thermography measurement system, has been developed. In this paper, an overview about the laboratory investigation of the temperature load behaviour and the environmental influence on-site for new and aged disconnector contacts are given. A condition evaluation tool for contacts, which was the aim of the project, has been created. The basic method for the evaluation is presented, and also two additional easements for a fast identification of suspect contacts are presented. With this evaluation tool and the usage of a thermography based measuring system, a condition based maintenance strategy can be applied, whereby an early detection of damages is possible and so power quality and reliability increase.   相似文献   
43.
欧拉电压是SiGe HBT一项重要的直流参数,受到基区结构(如Ge组分)的影响。研究发现,高温过程会导致硼的外扩散,从而影响异质结的位置,使欧拉电压受到影响。实验发现,通过优化基区结构,加厚CB结处i-SiGe厚度,可获得VA=520 V,βVA=164,320 V的SiGe HBT。  相似文献   
44.
李勇  钟成 《光通信研究》2004,(5):47-48,51
随着电压等级的不断提高,超高压输电线路发展非常迅速.但是这些架空输电线路在运行时,附近存在较高的电场,对周围物体和公用走廊的其它线路会产生影响.电压等级越高,产生的电场影响越大.输电线路产生的电场越来越受到人们的重视.尤其是对于超高压输电线路,由于在电力铁塔上同塔悬挂全介质自承式光缆(ADSS),因此分析工频电场对ADSS光缆特性的影响非常必要.  相似文献   
45.
张伟民  苏岱安 《现代电子技术》2006,29(14):121-122,126
基于DDS技术,改造BT 4型扫频仪中的扫频信号发生器,使其具有高稳定度、高分辨率、高精度的特点。同时为了使扫频仪能够对被测电路的动态范围进行检测,使扫频仪得到更广泛的应用,运用了AGC控制技术,首先使电压稳定在10 V;然后通过控制D/A使输出电压按测试需要输出。硬件给出了具体电路参数,软件给出了相应软件流程,总结了其他波型产生的方法。  相似文献   
46.
建立了一个MEMS膜开关电容比理论模型,由于这个模型比较全面地考虑了开关阈值电压、维持电压、偏置电压和介质膜内的电场强度等因素对电容比的影响,因而能较为正确地反映开关的电容特性。用数值方法计算了影响开关电容比的因素,并对计算结果进行了分析和讨论。提出了使用脉冲电压作为偏置电压可以使介质膜gj的厚度减少到50nm,从而使开关的电容比增加到3800。最后,讨论了实现高电容比MEMS膜开关的可行性。  相似文献   
47.
Using the full-potential linearized augmented plane wave (FP-LAPW) method, we have studied the effect of chemistry on the average intercalation voltage (AIV) caused by the Na ions intercalating into transition metal oxides. The effect of transition metal was systematically studied by varying M=Co, Ni and Mn in NaMO2 and fixing the α-NaFeO2 layered structure. The effect of the guest atoms into the host material is discussed in terms of the structural and electronic properties. Comparatively to Li intercalation, a significant electron transfer towards transition metal was found. This observation suggests that the transition metal contribute to the AIV determination and confirms the common assumption that intercalated electron reduces M4+ to M3+.  相似文献   
48.
Jana  D C  Pradhan  S S 《Pramana》2003,60(6):1279-1286
Oscillating nature of current pulses under d.c. excitation in subnormal region with longitudinal magnetic field at pressure range 0.20 torr to 0.85 torr have been studied. The frequency, bandwidth, peak-peak voltage, cut-off current and rise time of the current pulses have been observed with pressure, average tube current and magnetic field. A study of these oscillograms in magnetic field, average tube current and pressure are presented. The probable mechanism for the generation of oscillation based on space-charge field modification with magnetic field is discussed  相似文献   
49.
PFC控制技术的一种改进方案   总被引:1,自引:0,他引:1  
文章首先指出了目前PFC所用控制技术的缺陷,然后提出了一各改进方案,并从理论分析和仿真验证的角度证明了改进方案的可行性和先进性。  相似文献   
50.
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