基于最小二乘滤波器的空域视频掩盖算法

针对无线信道传输过程中可能出现的单个或连续宏块丢失现象,提出了一种有效的空-域差错掩盖算法.算法根据丢失像素点中是否含有边界,把丢失的像素点分为平稳点和非平稳点.对于不含有边缘的平稳点,采用线性插值的算法;对于含有边界的非平稳点,建立最小二乘滤波器(LS)模型,通过多方向的扫描方式得出预测值.实验结果表明,算法能够获得优秀的图像质量,在降低了复杂度的同时,适用于视频图像的实时传输.     

基于B-样条插值的分数阶模板的应用

数字图像的增强以及边缘检测是数字图像处理中的重要内容。根据B-样条函数插值公式,对图像灰度点像素值进行三次B-样条插值运算,提出了基于三次B-样条插值的分数阶增强模板以及分数阶CRONE边缘检测模板。通过对比实验表明,所设计的模板能根据对图像的需求而改变阶次,在图像增强方面能较好地提升图像边缘并且加强纹理细节,在边缘检测方面有良好的边缘定位能力,优于基于Sobel算子的传统方法。     

一种有效的基于并行量子进化算法的图像边缘检测方法

本文基于费用函数最小化方法,提出一种混合并行量子进化算法用于文本图像的边缘检测。量子进化算法是一种基于量予计算的概念和理论(诸如量子比特和量子叠加态)的进化算法,它采用了量子编码来表征染色体,由于量子比特的概率表示,能够表示出解的线性叠加状态。此外,量子进化算法具有收敛快和好的全局搜索特性,因此它比传统的进化算法更适于并行结构的实现。我们将这一算法和局部搜索算法相结合,用于图像的边缘检测问题,得到了令人满意的检测效果,并对噪声有较好的抑制作用。     

基于几何特征的圆形标志点亚像素中心定位

视觉测量系统中圆形标志点中心定位的精度易受噪声的影响。为了增强其抗噪性从而提高定位精度,提出了一种利用几何特征以降低噪声干扰的中心定位算法。首先将自适应阈值分割法与质心法相结合,对点目标进行圆心粗定位。利用粗定位的圆心和半径对Canny算子检测到的边缘进行半径约束,以消除孤立点和噪声点。然后根据理想的圆成像后边缘点分布的几何特征和链接规律,采用一种基于分区原理的方法获取点目标的理想边缘。最后,采用Zernike正交矩对像素级边缘点进行亚像素定位,并用最小二乘椭圆拟合法计算得到中心坐标。实验结果表明,该方法的定位精度可以达到0.023 7pixel,算法的运行时间为2~3ms,基本满足测量系统对于圆形标志点中心定位在精度、稳定性和实时性上的要求。     

基于CCD视觉的螺纹参数自动检测技术研究

为实时准确地对螺纹的牙型角(牙型半角)、螺距、导程、螺纹高度、大径、小径、中径、螺纹升角等参数进行测量,并提高测量精度,设计并实现了基于面阵CCD的螺纹参数非接触测量系统.着重研究了该系统的光学成像、螺纹图像预处理、边缘检测、亚像素提取以及摄像机标定等内容,研制了相应的测试分析软件,进行了相应的实验研究.研究结果表明,该系统测量速度快、测试精度高、重复性好.     

一种基于Sobel分解算子的图像边缘检测并行算法

串行Sobel梯度算子边缘检测算法需要将两个掩模S1和S2分别在图像的每个像素上移动．并在每个像素上进行11次加法运算，即需要11xN^2次加法，时间复杂度为O（N^2）；文章提出了一种Sobel算子分解模型。并设计了一种在SIMD—MPP模型上基于Sobel分解算子的并行图像边缘检测算法．该并行算法总共只需要8次平移操作和9次加法运算即可完成，其时间复杂度为O（1），加速比达到N^2，大大地提高了基于Sobel算子的图像边缘特征提取的效率。     

g-C3N4/SnS2异质结构:一类有潜力的光解水催化剂

采用第一性原理方法研究了层间耦合作用对g-C₃N₄/SnS₂异质结构的电子结构和吸光性质的影响.发现g-C₃N₄/SnS₂是一类典型的范德瓦异质结构,能有效吸收可见光,其价带顶和导带底与水的氧化还原势匹配,且由于电荷转移而导致的界面处极化场有利于光生载流子的分离.这些理论研究结果表明g-C₃N₄/SnS₂异质结构是一类非常有潜力的光解水催化材料.     

非近邻跳跃对扶手椅型石墨烯纳米带电子结构的影响

根据π电子的紧束缚模型,将电子的次近邻和第三近邻跳跃能考虑在内,得到扶手椅型石墨烯纳米带（AGRNs）能带结构的解析解.讨论了由次近邻和第三近邻电子跳跃引起的能带和能隙变化,发现次近邻和第三近邻跳跃分别对带隙产生增大和减小的影响. 比较了边界弛豫与非近邻跳跃之间的互相竞争关系. 当纳米带的宽度n为奇数时,二维石墨面的紧束缚模型中所固有的van Hove奇异性表现为AGRNs中的无色散带. 当AGRNs宽度增加时,能谱趋向于二维石墨烯时的能谱结构. 关键词： 扶手椅型石墨烯纳米带 非近邻跳跃 边界弛豫 电子结构     

一种补偿时间步长限制的粒子模拟-蒙特卡罗碰撞模型

 从碰撞次数的概率分布出发,推导出一种补偿蒙特卡罗碰撞模型,采用以正态分布计算得到的平均碰撞次数作为碰撞概率,来补偿传统方法中忽略的多次碰撞。通过模拟不同折合电场强度条件下He气放电产生电子的运动规律,验证了补偿蒙特卡罗碰撞模型的正确性。计算结果表明:补偿蒙特卡罗碰撞模型可以有效地提高计算效率,特别适用于高气压气体放电现象的粒子模拟。     

Compound buried layer SOI high voltage device with a step buried oxide

A silicon-on-insulator (SOI) high performance lateral double-diffusion metal oxide semiconductor (LDMOS) on a compound buried layer (CBL) with a step buried oxide (SBO CBL SOI) is proposed.The step buried oxide locates holes in the top interface of the upper buried oxide (UBO) layer.Furthermore,holes with high density are collected in the interface between the polysilicon layer and the lower buried oxide (LBO) layer.Consequently,the electric fields in both the thin LBO and the thick UBO are enhanced by these holes,leading to an improved breakdown voltage.The breakdown voltage of the SBO CBL SOI LDMOS increases to 847 V from the 477 V of a conventional SOI with the same thicknesses of SOI layer and the buried oxide layer.Moreover,SBO CBL SOI can also reduce the self-heating effect.