具有高电源电压和自启动功能带隙电压基准源设计

设计了一种具有自启动功能、无运放,适用于高电源电压电视液晶显示器驱动芯片的高性能带隙基准电源电路.采用自启动,无运放架构,大大简化了电路的复杂程度,从而减少了芯片的面积.基于TSMCo.6 μmBCD工艺模型,利用Cadence工具仿真验证,仿真结果显示当输出电压为1.25 V,温度从0～85℃变化时,基准电压变化22 mV,温度系数为25.8 ppm/℃.     

相干分布式信源二维波达方向估计算法

针对相干分布式信源二维波达方向估计算法多采用谱峰搜索导致计算复杂度较大的问题,该文提出了一种二维波达方向分离估计算法。该算法通过将积分形式的相干分布式信源方向向量化简为点信源方向向量与实向量的Schur-Hadamard积,对子阵X接收的数据构造二阶统计量;利用传播因子最小二乘估计子阵X与Z,X与W之间的旋转不变矩阵。由二阶统计量与旋转不变矩阵分别估计方位角与仰角,对于接近90的仰角也可给出有效的估计。与传统子空间算法相比,无需任何谱峰搜索和特征值分解,降低了计算复杂度。仿真实验表明了所提算法的有效性。     

6mm波导腔耿氏管功率合成器

本文介绍6mm波导腔双源阵四管(耿氏管)功率合成器的原理、结构、优化计算、性能(例如:各种含义下的合成效率,推频曲线,频率漂移问题和功率稳定性)和实验方法。文中给出的理论和技术适用于厘米波和毫米波波导腔合成器。     

合肥光源托歇克效应损失电子的探测

束流寿命是衡量储存环性能的重要参数,直接影响着光源的正常运行。对于合肥光源（HLS）,托歇克（Touschek）寿命是影响束流寿命的重要因素。为了研究Touschek寿命,需要探测由于Touschek效应所损失的电子。介绍了束流寿命的概念,说明了Touschek效应的原理和机制,利用蒙特卡罗软件EGSnrc模拟计算了丢失电子与真空壁的相互作用,通过塑料闪烁体探测器和光电倍增管获得了由于Touschek效应丢失的电子所产生的信号,然后将信号经过放大甄别和符合处理后,用计数器测量了计数率。结果表明：由于Touschek效应而成对丢失的电子的确存在,且电子损失率随流强的降低而减小。这为下一步储存环的能量标定工作做好了前期准备。     

Penning型负氢离子源诊断

为了给小型医用回旋加速器提供负氢离子,研制了一台Penning型负氢离子源。采用发射光谱法对该负氢离子源进行了诊断,同时结合离子源功率变化对离子源工作状态进行了分析。实验测量了不同氢气流量、离子源弧流及磁场条件下,该离子源等离子体氢原子巴尔末系中前三条谱线的相对光强和离子源功率变化,分析了不同工作条件对离子源工作状态的影响。结果表明：在可调节范围内,该离子源的工作状态主要受氢气流量的影响,对离子源弧流及磁场的变化不敏感。     

全光汤姆逊散射X光源数值模拟

使用蒙特卡罗数值模拟程序研究了不同电子束和激光强度下,尾场电子束与超短脉冲激光发生汤姆逊散射获得的X光子能谱、角分布等,初步探索了180°散射下高质量X射线光源所需要的电子束与激光强度。数值模拟结果显示,为了尽量提高光子产额并抑制非线性效应,激光归一化强度应为1的量级。为了获得方向性和单色性好、亮度高的X射线脉冲,需要较高的电子能量和较小的电子能散,电子束脉冲尽量短,且发散角尽量小。     

微型光学偶极阱中单原子相干操控Rabi振荡的实现及其应用

文章综述了Rabi振荡的基本原理以及微型光学偶极阱中单原子相干操控Rabi振荡的研究进展,同时介绍了其在单光子源、量子寄存器、量子计算等方面的应用,并简要介绍了作者所在小组在微型光学偶极阱中单原子操控方面的实验进展.     

负氢离子源中多峰磁场形态数值模拟

基于磁荷模型,在有限差分法基础上,推导了3维永磁体数值算法,结合全3维PIC/MCC粒子模拟算法,数值分析比较了外置型和“伞状”型两种特殊形态多峰磁场对电子能量沉积的影响。模拟结果表明:二者都能对粒子起到约束作用且能过滤引出负氢离子,同时二者电子能量分布规律基本一致,都呈现了双电子能态,符合等离子体放电基本机理;外置型过滤磁场对粒子的约束能力更强,能明显产生更多的粒子,总粒子数大约是“伞状”型过滤磁场情况下的4倍;“伞状”型过滤磁场能有效地抑制由磁场不均匀所引起的电子漂移,使产生的负氢离子空间分布更均匀。模拟结果与国外实验结果基本一致。     

HPLC–MS/MS analysis of peramivir in rat plasma: Elimination of matrix effect using the phospholipid‐removal solid‐phase extraction method

A simple HPLC–MS/MS method has been developed for the determination of peramivir in rat plasma in the present study. The analytes were separated on a C₁₈ column (50 × 2.1 mm, 1.7 μm) and a triple‐quadrupole mass spectrometer equipped with an electrospray ionization source was applied for the detection. A phospholipid‐free cartridge solid‐phase extraction was used to pretreat the plasma and eliminate the endogenous phospholipid. The in‐source collision‐induced dissociation approach showed that this pretreatment could result in negligible ion suppression from the extracted sample and could produce cleaner samples when compared with the protein precipitation. The method was linear over the concentration range of 0.12–1200.0 ng/mL for peramivir. The method was validated and successfully applied to a pharmacokinetic study after peramivir was orally and intravenously administered to Sprague–Dawley rats.     

Preparing crystalline silicon from Si-Sn solvent by zone melting directional solidification method

To develop a low cost and highly effective metallurgical route for solar-grade Si production, we investigated the zone melting directional solidification method. In this method, bulk crystalline Si is successfully produced from Si-Sn solvent; this bulk crystalline Si demonstrates a steady growth interface and excellent compositional uniformity. Moreover, the growth rate of bulk crystalline Si along the axial direction increases because the remaining MG-Si serves as Si source to keep the Si-Sn solution saturated with Si atoms, and it is approximately three times larger than that of Si by using the Si-based alloy directional solidification method without Si source. In this work, the evolution of impurity phases segregated in different regions along the axial direction is extensively discussed. The distribution and amount of impurities, including Ca, Al, B, and P, are effectively controlled by this refining method, further improving the quality of bulk crystalline Si.