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452.
This work investigates the static corrosion and removal rates of copper as functions of H202 and FA/OIIconcentration, and uses DC electrochemical measurements such as open circuit potential (OCP), Tafel ana- lysis, as well as cyclic voltammetry (CV) to study HaOa and FA/OIIdependent surface reactions of Cu coupon electrode in alkaline slurry without an inhibitor. An atomic force microscopy (AFM) technique is also used to measure the surface roughness and surface morphology of copper in static corrosion and polishing conditions. It is shown that 0.5 vol.% H202 should be the primary choice to achieve high material removal rate. The electro- chemical results reveal that the addition of FA/O II can dissolve partial oxide film to accelerate the electrochemical anodic reactions and make the oxide layer porous, so that the structurally weak oxide film can be easily removed by mechanical abrasion. The variation of surface roughness and morphology of copper under static conditions is consistent with and provides further support for the reaction mechanisms proposed in the context of DC electro- chemical measurements. In addition, in the presence of H202, 3 vol.% FA/O II may be significantly effective from a surface roughness perspective to obtain a relatively flat copper surface in chemical mechanical planarization (CMP) process. 相似文献
453.
研究了精抛液中各组分对Cu/Ta去除速率的影响.在分别考察磨料质量分数、Ⅱ型螯合剂、活性剂和双氧水等各组分对Cu/Ta去除速率的影响后,研发了磨料质量分数为2%,Ⅱ型螯合剂体积分数为0.35%,活性剂体积分数为2%,H2O2体积分数为2%的FA/O精抛液.并在MIT854布线片上进行了精抛测试.结果显示,精抛12 s之后,100-100线条处高低差从精抛前的76.7 nm降低为63.2 nm,而50-50线条处高低差从精抛前的61.3 nm降低为59.8 nm.并且,经过FA/O精抛液精抛后粗抛后产生的尖峰也有所减小,台阶趋于平坦.精抛后,100-100和50-50处的高低差均小于70 nm,能够达到产业化指标. 相似文献
454.
455.
Cu CMP抛光液对速率的影响分析及优化 总被引:1,自引:0,他引:1
在超大规模集成电路多层Cu布线CMP工艺中,抛光液是决定抛光速率、抛光表面状态和平坦化能力的重要因素。采用Plackett-Burman(PB)筛选实验对抛光液成分(磨料、氧化剂、活性剂、螯合剂)进行显著性因素分析,得出磨料、FA/O螯合剂Ⅱ型和氧化剂为显著性因素,并采用响应曲面法对其进行优化并建立了模型,最终得到以去除速率为评价条件的综合最优抛光液配比,为Cu抛光液配比优化及对CMP的进一步发展提供了新的思路与途径。 相似文献
456.