半导体中多光子吸收跃迁速率的全量子理论分析

本文从非线性光学中辐射跃迁速率的表达式出发,在全量子理论下,导出了半导体中任意阶多光子吸收跃迁速率的一般表达式。理论分析结果表明,n光子吸收跃迁速率与光强的n次方和n阶光子相干度成正比。本文在多能带及二能带理论模型下,对多光子吸收跃迁速率的一般表达式进行了化简,并对非线性相互作用项对跃迁速率的贡献,作了讨论。     

富勒烯光限幅技术研究新进展

介绍了富勒烯激发态吸收光限幅以及激发态吸收和其它非线性光学效应共同作用的复合型光限幅技术的研究新进展。分析了今后的研究方向。     

Thermal stability of interfaces between metals and InP-based materials

The thermal stability of interfaces between metals (Ni, Pt, Ti, Mo) and III-V compound semiconductors has been investigated by the application of Rutherford backscattering spectrometry. Metal diffusion and interfacial lattice disorder of the semiconductors were analyzed for various metal/semiconductor samples annealed at temperatures up to 500°C. The interfaces of Ni/GaAs and Ti/GaAs were found to be more stable than those of Ni/In-based semiconductors and Ti/ In-based semiconductors, respectively. Faster diffusion of Pt atoms was ob-served in In-and As-containing materials than in P-containing materials. Mo/ semiconductor interfaces were the most stable.     

新型蓝绿发光材料ZnSe／BeTe超晶格的能带剪裁

由于器件的快速退化，101.5小时似乎成了Znse基蓝绿色半导体激光器难于逾越的寿命极限。分析退化机制，发现在强电流注入的半导体激光器中，热退化具有重要影响。研究表明，用作载流子限制层的宽带Ⅱ-Ⅵ族四元合金（如ZnMgSSe）只能对ZnSe中的电子有效地限制，无法对空穴很好地限制;而对BeTe，却只能对空穴进行有效的限制，无法对电子很好地限制。这导致ZnSe（或BeTe）活性层空穴（或电子）漏电发热，引起退化。本文提出以ZnSe／BeTe超晶格为蓝绿发光层，并用包络函数理论具体计算了阱宽、垒宽对载流子能级的不同影响，考察了ZnSe、BeTe厚度比和超晶格周期对带隙、载流子限制能力的调节。为研制新型长寿命蓝绿色半导体激光器提供了一条新的途径。     

分析卤化银微晶的EDS方法探讨

本文探讨了用Ｘ射线能谱仪（ＥＤＳ）分析卤化银微晶的空间分辨率和吸收修正问题。对ＳＥＭ－ＥＤＳ和ＳＴＥＭ－ＥＤＳ两种不同分析模式的空间分辨率进行计算，表明ＳＴＥＭ－ＥＤＳ是研究单个卤化银微晶内碘的含量及分布的有效方法。并对定量分析数据和吸收修正参数进行了讨论，结果证明微晶不同区域厚度的差异，对碘含量的定量测定的影响可以忽略。     

被动锁模复合环形腔掺饵光纤激光器的自启动分析

本文对被动锁模复合环形腔掺饵光纤激光器的自启动工作特性进行了分析，指出谐振腔内残余反射面的存在是阻碍激光器实现自启动锁模的主要原因。利用半导体激光器有源区的折射率随注入电流的变化而改变的特性，在谐振腔中获得了一个可移动腔镜，克服了腔内残余反射面的影响，实现了锁模的自启动。     

动态全息图快速引入背景条纹技术

音叉振动镜快速引入背景条纹的动态全息图两次曝光法，适用于一次泵浦的双脉冲全息干涉计量术．其背景条纹的密度和方向具有可调性和重复性．     

砷化镓声电荷转移延迟线的设计与工艺研究

由于声电荷转移(ACT)这一新颖的高速缓冲抽样技术的发明,使得新一代高速高频信号处理器件的实现成为可能。本文研究了第二代平面结构的ACT器件转移沟道的电位分布特性,给出了平面结构ACT延迟线的设计,并研究了ACT器件的工艺实现。     

铟镓砷磷半导体激光的生物特性及73例椎基底动脉供血不足者的治疗

通过对甸镓砷磷半导体激光和常用He-Ne激光生物特性进行初步比较,说明半导体激光对治疗椎基底动脉供血不足疗效较明显。