大尺寸0.55mm ITO透明导电膜玻璃的翘曲度

ITO透明导电膜玻璃的翘曲度是评价大尺寸薄基片ITO玻璃的重要指标之一。利用磁控射频溅射技术制备了ITO薄膜。研究了基片加热前、后的翘曲度和ITO膜层应力对ITO玻璃翘曲度的影响以及ITO成膜温度分布对ITO玻璃翘曲度的影响。结果表明,薄基片ITO玻璃的翘曲度主要是在镀膜时ITO膜层压应力大引起的,选择合适的成膜温度分布可明显减小ITO玻璃的翘曲度。     

化学腐蚀法研究蓝宝石单晶中的位错缺陷

采用化学腐蚀-金相显微镜法和SEM法观察了CZ法生长的直径50mm的蓝宝石单晶中的位错缺陷.发现位错分布状况为中心较低、边缘较高,密度大约为104～10 5cm-2.在不同温度不同的试剂以及不同的腐蚀时间进行对比结果发现,用KOH腐蚀剂在290℃下腐蚀15min时,显示的位错最为清晰、准确,效果最佳.     

用于化合物半导体制造的先进光刻技术

重点讨论了化合物半导体材料加工中的先进光刻技术应用现状。薄形衬底材料在高频及功率器件中的需求,在处理非常易碎和昂贵的衬底时出现了一些新的问题。这种损伤的风险由于要求的多个加工工序而增大,且在接转生产的采用背面加工时会再次出现。叙述了进行自动光刻加工中片子传递和对准过程的一些解决方法。     

不同导电基底对TiO2薄膜光致亲水性的影响

分别在导电铝合金片(Al)和具有阳极氧化铝层的非导电铝片(AAO/Al), 以及铟锡氧化物导电玻璃(ITO/glass)和普通非导电玻璃(glass)表面通过提拉法制备出TiO2/Al和TiO2/AAO/Al, 以及TiO2/ITO/glass和TiO2/glass两组TiO2薄膜样品, 通过测试紫外光照下水滴接触角的变化考察TiO2薄膜的光致亲水性. 结果表明, 相对于TiO2/Al2O3/Al, 基底导电的TiO2/Al表现出较好的光致亲水性能; 而相对于TiO2/glass, 基底导电的TiO2/ITO/glass表现出较差的光致亲水性能. 分析认为, Al和ITO两导电基底和TiO2薄膜间的不同电子转移方向影响TiO2薄膜的光致亲水性能, Al片提供电子给TiO2有助于提高以光生电子为主要初级活性物种的光致亲水性, 而ITO接受TiO2的光生电子, 导致光致亲水性的下降.     

废电子基板的回收利用

概述了废电子基板的可溶化和贵金属和稀有金属的回收,可以有效的利用化学原料和能量资源。     

多电极加热法在加固液晶显示器中的应用

为了使液晶显示器可以在低温等恶劣环境下稳定可靠地工作。需要对液晶显示器进行加固设计。针对传统ITO膜加热模式中经常造成的热场不均匀而导致的“爆屏”现象,文章利用有限元仿真结果并基于热设计基本方法,提出了一种采用多电极加热的新型加热模式。在大量实验的基础上,实验样机不仅实现了环境温度在-50℃时的迅速启动,并避免了在加热过程中可能出现的“爆屏”现象。这种设计拓宽了液晶显示器的工作范围,取得了良好的应用效果。     

透明衬底透明膜椭偏数据处理分析

为了解决迭代法在反演透明衬底透明膜找偏参量时的出错问题,采用理论与实验相结合的方法,对透明衬底透明膜椭偏数据处理进行了理论分析和实验验证,找到了当薄膜折射率接近衬底折射率时,椭偏数据反演就会出错的原因。据此提出了分段遍寻迭代搜索法,以LABVIEW为开发工具,成功设计和编写了相应的数据处理程序,最后对一些样品进行了实际测量反演并与文献结果作了比较。结果表明,该程序能正确反演透明衬底单层透明膜的参量,并具有反演速度快、精确度可达0.03nm、稳定性好等特点。     

基于柔性基片集成波导技术的Ka波段功率放大器的设计和制作

设计、制作并测试了一个Ka波段八路合成宽带功率放大器.测试结果表明在26.5GHz上最大输出功率约为4.2W(连续波),在26.4GHz上最大合成效率约为72.5%,在25.1～28.4GHz范围内合成效率大于60%.这种功率放大器的基本组成单元是一对含对称尖劈过渡结构的柔性基片集成波导(FSIW).将一组该单元上的对称尖劈沿波导窄壁分别插入相应的输入和输出矩形金属波导,就可在波导内实现宽带、高效率的功率分配和功率合成.结果表明这项技术可方便地用于宽带毫米波固态功率放大器设计.     

The Critical Role of the Underlayer Material and Thickness in Growing Vertically Aligned Carbon Nanotubes and Nanofibers on Metallic Substrates by Chemical Vapor Deposition

Vertically aligned carbon nanotubes and nanofibers are grown on metallic Ta and Pd underlayers at temperatures below 500 °C. Controlling the size of the grains of the underlayer film is critical because this leads to a more uniform distribution of catalyst dots, which in turn results in vertical alignment of the carbon nanostructures. Rapid and limited heating and appropriate materials selection can also be used to limit catalyst/underlayer reactions that hinder or suppress carbon nanostructure growth or that lead to entangled growth. Control of catalyst reactivity with metallic underlayers is significant because growth on conductive substrates is notoriously difficult, but needed for many applications such as the use of carbon nanostructures in microelectronic circuits.     

LTCC工艺技术研究

叙述了LTCC技术的起源、特点及未来发展趋势.介绍了LTCC产品的种类、优越性及广阔的应用领域,对LTCC工艺技术中高精度金属化印刷技术和陶瓷高温共烧技术进行了深入研究,剖析了影响金属化印刷精度、导体表面粗糙度、LTCC基板翘曲度和陶瓷强度的工艺因素.并分析了如何根据产品布线特点来设计和优化印刷工艺参数、如何根据基板结构特点来设计和优化排胶曲线.通过大量的工艺试验和数据测试,结果表明,印刷压力影响金属化导体精度和表面粗糙度、烧结曲线排胶段升温速率影响LTCC基板翘曲度和陶瓷强度.