氩离子激光泵浦的掺钛宝石激光器研究

本文报导用氩离子激光连续泵浦的掺钛宝石(Ti~(3+),Al_2O_3)可调谐固体激光器的实验结果。泵浦光为全谱线,基模,激光器采用消象散的折叠谐振腔结构,获得基模激光输出功率0.67W,效率大于10.8％,可调谐范围为735nm～900nm。     

Si衬底MOCVD生长GaN/InGaN多量子阱缺陷TEM研究

用透射电子显微镜对Si衬底生长GaN/InGaN多量子阱材料进行横断面测试,在衬底和缓冲层区域进行高分辨电子显微成像(HRTEM)、电子衍射衬度成像、选区电子衍射成像,在量子阱附近区域进行了双束近似电子衍衬像对其位错特性进行研究;用场发射扫描电子显微镜对饱和KoH溶液腐蚀前后材料成像.结果发现,AIN缓冲层具有多孔结构,高温GaN层位错平均密度达108cm-2,同扫描电子显微镜得到的六角腐蚀坑密度一致,量子阱以下发现大量位错发生90°弯曲,而使穿过量子阱位错密度大大降低.在线位错中,以刃位错居多,其次是混合位错,所观察区域几乎未见螺位错.     

微波组件用镀镍壳体的烧结性能研究

用荧光厚度分析仪、X光透视、扫描电子显微镜/能谱仪及切片分析等手段研究了不同镀镍壳体的烧结性能。结果表明,不同镀镍类型的镀层可焊性不同,电镀暗镍可焊性最差,电镀氨基磺酸镍和化学镀NiP的可焊性相对较好。SnAgCu焊料与镀镍壳体润湿较好,基片烧结空洞率较低,烧结界面与壳体及基片和玻璃绝缘子结合致密,玻璃绝缘子烧结的密封检漏通过率达90%。温度冲击后,烧结界面无明显分层和裂纹出现,镀镍壳体试制样品的电性能满足设计要求。     

一种新的AlGaN/GaN HEMT半经验直流特性模型

在EEHEMT1模型的基础上给出一种新的A1GaN/GaN HEMT半经验直流特性模型,考虑了栅源电压对膝点电压的影响,得到描述AlGaN/GaN HEMT器件I-Ⅴ特性的方程.此模型可以应用于蓝宝石和SiC两种不同衬底AlGaN/GaN HEMT器件的I-Ⅴ特性模拟.仿真结果和实验测量结果拟合误差小于3%.     

钛酸铋钠基铁电陶瓷的热释电性能研究进展

介绍了高光谱用红外探测器的性能及使用情况,并将其与国外同类型高光谱红外探测器的关键指标(如信噪比、暗电流、读出噪声等)进行了对比测试分析。经过衬底去除工艺,短波探测器的光谱响应达到0.4~2.6 μm,平均量子效率超过75%,动态范围内响应线性度拟合曲线的R²值都大于 0.99,半阱信噪比可达到1600。该探测器的性能超过了国外报道的同类器件,满足我国高光谱应用需求。     

液体-压电晶片界面兰姆波激发的理论研究

对液体 -压电晶片结构中叉指换能器所激发的兰姆波进行了理论研究和数值分析 ,给出了兰姆波的相速度、叉指换能器激发兰姆波的机电耦合系数与压电晶片的归一化厚度、晶体切向之间的关系曲线 ,为液体密度兰姆波声传感器的研究提供了理论基础。     

表面光电压技术在Si外延过程中的应用

介绍了用表面光电压(SPV)法测试少数载流子的扩散长度、少子寿命和体Fe含量的基本原理及其计算方法,分析了三种常见外延结构中少子扩散长度的测试方法及其影响因素,得出了用于表面光电压测试的外延片及衬底片应满足的条件。提出了在外延工艺前后,用SPV法测试同一p型控片中少子的扩散长度和体Fe含量,对比前后值的大小来监测Si外延工艺过程中的沾污情况。分别给出了衬底片、石墨基座、HCl、SiHCl3、外延腔体等5种Si外延过程中最常见沾污源的监控和识别流程,特别以平板式外延腔体为例,具体说明了识别及排除Fe沾污所运行的工艺程序,并对Fe沾污的测试结果进行了分析,确定了Fe沾污的来源。     

ZnS/CuInS2/Mo/钠钙玻璃衬底上射频溅射ZnO∶Al薄膜的SEM研究

结合ZnO薄膜在Cu-III-VI2基薄膜太阳电池上的应用，采用射频磁控溅射技术以陶瓷ZnO∶Al2O3为靶材在ZnS/CuInS2/Mo/钠钙玻璃衬底上于固定沉积条件下低温（200℃）制备了铝掺杂氧化锌（ZnO∶Al）薄膜. 运用扫描电子显微镜研究了底层材料特别是ZnS和CuInS2的生长参数对沉积的ZnO∶Al薄膜的表面形貌的影响. 实验发现，衬底材料中硫含量的增加（无论来自ZnS还是来自CuInS2) ，都会引起沉积ZnO∶Al薄膜结晶质量的提高，而金属含量的增大将有利于薄膜均匀性的改进.     

封装中的界面热应力分析

随着电子封装集成度的不断提高,集成电路的功率容量和发热量也越来越高,封装体内就产生了越来越多的温度分布以及热应力问题。文章建立了基板-粘结层-硅芯片热应力分析有限元模型,利用有限元法分析了芯片/基板的热应力分布,封装体的几何结构参数对应力的影响,重点讨论了芯片与粘结层界面上和基板与粘结层界面上的层间应力分布     

Role of interfacial-charge in the growth of GaN on α-SiC

The growth of GaN and A1N films on (0001) substrates of 6H-SiC has produced high-quality opto-electronic films. The SiC surface at the interface with GaN or A1N is either Si-terminated or C-terminated, and the Si-terminated interface is known to be the better substrate, producing higher-quality films. The polarity of the interface is important, as recognized by Sasaki and Matsuoka. We propose that the main relevant parameter for characterizing the interface and its potential for producing high-quality opto-electronic GaN or A1N films is the interfacial charge, which leads to the best films when the charge is positive and relatively large. The positive charge reduces the size of the Nions at the interface and hence improves the local lattice match. (The charges are approximately −0.45 lei and +0.55 lei on the interfacial N and Si atoms, respectively.) Therefore, while the polarity of the interface is important, the polarity's effect on the local lattice mismatch is what leads to a high-quality interface. These ideas are consistent with XPS data and are supported by electronegativity arguments, by calculations for ordinary mono-bonded GaN/SiC superlattices (with N-Si and Ga-C interfaces) and by computations for superlattices with tri-bonded interfaces. We predict that the tri-bonded N-Si interface of GaN/SiC should produce excellent GaN and AIN films.