YAG激光器泵浦钛宝石激光器和光学参量振荡器

采用一台调Q脉冲式Nd：YAG激光器同时泵浦Ti：蓝宝石激光器和光学参量振荡器（OPO），在重复频率30Hz下获得了Ti：蓝宝石可调谐激光波长为700～890nm，转换效率28．8％及440～2600nm的连续可调谐窄线宽的光参量激光输出，能量转换效率达23％。     

纵向抽运Tm，Ho：YLF微片激光器激光特性的研究

从速率方程理论出发，得到了抽运功率阈值和激光输出功率的解析表达式。通过钛宝石激光器抽运Tm，Ho：YLF微片，获得90mW的2μm波长激光连续输出。得到了抽运功率和输出功率之间的关系以及抽运光与振荡光之间的转换效率关系。同时也给出了温度对激光输出效率的影响。     

毫米波系统级封装中的基板功能化实现

阐述了毫米波系统级封装（SOP）架构中基板功能化的概念、作用及实现方法。提出了利用低温共烧陶瓷（LTCC）技术,在SOP多层陶瓷基板中一体化集成多种无源电路单元,使封装基板在作为表面贴装有源芯片载体的同时,自身具备相应的无源射频功能。最终通过设计实例的仿真、加工及测试对比,验证了在SOP架构下实现封装基板功能化的可行性,及其所具有的良好的射频滤波、层间信号互联、射频接口过渡等电气性能。     

pMOSFET中栅控产生电流的衬底偏压影响研究

研究了pMOSFET中栅控产生电流(GD)的衬底偏压特性。衬底施加负偏压后,GD电流峰值变小;衬底加正向偏压后,GD电流峰值增大。这归因于衬底偏压VB调制了MOSFET的栅控产生电流中最大产生率,并求出了衬底偏压作用系数为0.3。考虑VB对漏PN结的作用,建立了包含衬底偏压的产生电流模型。基于该模型的深入分析,很好地解释了衬底负偏压比衬底正偏压对产生电流的影响大的实验结果。     

Si基GaN薄膜的制备方法及结构表征

分别采用射频磁控溅射、热壁化学气相沉积(CVD)、电泳沉积法制备GaN薄膜。利用扫描电镜(SEM)、荧光光谱仪对样品进行结构、形貌和发光特性的分析比较。射频磁控溅射方法中,把SiC中间层沉淀到Si衬底上,目的是为了缓冲由GaN外延层和Si衬底的晶格失配造成的应力。结果证实了SiC中间层提高了GaN薄膜的质量。热壁化学气相沉积法制备GaN晶体膜时,选择H2作反应气体兼载体,有利于GaN膜的形成。电泳沉积法显示所得样品为六方纤锌矿结构的GaN多晶薄膜。结果表明:溅射法制备的GaN薄膜结晶效果好;CVD法制备时GaN薄膜应用范围广;电泳沉积法操作方便、简单易行。     

Layout Design and Optimization of RF Spiral Inductors on Silicon Substrate

使用三维电磁场模拟的方法对相同硅衬底结构下不同布图结构的螺旋电感进行了模拟和分析.通过改变电感匝数、电感金属的宽度和间隔以及电感的内径,模拟和分析了电感性能的变化.给出了引起电感性能变化的原因.结果表明优化电感的几何参数可以有效地改善电感性能.得出了一些实用的设计原则,可有效地指导射频集成电路中集成电感的设计.     

Low ohmic contact AIN/GaN HEMTs grown by MOCVD

AlN/GaN high-electron-mobility transistors （HEMTs） on SiC substrates were fabricated by metalorganic chemical vapor deposition （MOCVD） and then characterized. An Si/Ti/Al/Ni/Au stack was used to reduce ohmic contact resistance （0.33 g2.mm） at a low annealing temperature. The fabricated devices exhibited a maximum drain current density of 1.07 A/mm （Vows = I V） and a maximum peak extrinsic transconductance of 340 mS/mm. The off-state breakdown voltage of the device was 64 V with a gate-drain distance of 1.9 μm. The current gain extrinsic cutoff frequency fT and the maximum oscillation frequency fmax were 36 and 80 GHz with a 0.25 μm gate length, respectively.     

Fabrication of extremely thermal-stable GaN template on Mo substrate using double bonding and step annealing process

A new layer transfer technique which comprised double bonding and a step annealing process was utilized to transfer the GaN epilayer from a sapphire substrate to a Mo substrate. Combined with the application of the thermal-stable bonding medium, the resulting two-inch-diameter GaN template showed extremely good stability under high temperature and low stress state. Moreover, no cracks and winkles were observed. The transferred GaN template was suitable for homogeneous epitaxial, thus could be used for the direct fabrication of vertical LED chips as well as power electron devices. It has been confirmed that the double bonding and step annealing technique together with the thermal-stable bonding layer could significantly improve the bonding strength and stress relief, finally enhancing the thermal stability of the transferred GaN template.     

一种毫米波BGA封装低成本测试方法

提出一种可应用于毫米波BGA(Ball Grid Array)封装器件的低成本无损测试方法.该测试方案主要由毛纽扣及两块单层基板组成.其中,毛纽扣作为封装焊球与基板之间的垂直互联媒介,实现信号传输.同时,毛纽扣具有较小的弹性接触力,在测试过程中能够保护焊球不受损伤.毛纽扣与基板形成的介质填充类同轴结构和基板上的高低阻抗...     

预拉伸光纤光栅应变传感器传感性能研究

为了提高光纤光栅测量应变的测量范围与测量精度,该文对基片式光纤光栅传感器应变传递理论及其有限元分析应力分布进行了阐述,并对光纤光栅应变传感器的制作工艺进行了探索。封装工艺与普通基片式光纤光栅传感器的不同是在制作时加载确定的预紧力,用等强度梁对预应力基片式光纤光栅传感器进行测试并标定,得到传感器灵敏度为0.88pm/με,线性度为0.996,传递效率为74%。并在MTS拉伸试验机上进行预紧力基片式光纤光栅传感器、裸光纤光栅传感器与电阻应变计压缩对比实验研究,实验表明,预拉伸制作工艺提高了光纤光栅测量压缩应变的线性度与测量范围。