双闪耀光栅的计算机设计与制作方法

提出一种用计算机设计制作的双闪耀光栅，是在闪耀光栅和双频光栅基础上发展起来的一种新型光学元件，是由微闪耀光栅列阵组成的、兼有闪耀光栅和双频光栅的优良特性。     

用CXA3067AM实现宽带FSK接收电路

CXA3067AM是一个高度集成的宽带FSK接收器,具有4种可选的基准频率。介绍基于CXA3067AM的宽带FSK接收电路的工作原理、频道选择控制、电感线圈绕制以及电路设计应注意的问题。该宽带FSK接收电路设计简单,频道调节灵活方便。通过合理布局电路元件,可以有效抑制寄生振荡和减少相位噪声。     

单频激光宽频段频率和强度噪声测量技术

报道了一种mHz至MHz宽频段激光噪声的规范测量技术。通过研制基于迈克耳孙光纤干涉仪的相关延时自外差频率噪声测量装置和具有定标功能的光外差拍频测量装置,结合频谱分析仪和快速傅里叶变换分析仪等标准仪器,规范地测量出了单频激光在mHz至MHz宽频段内的频率和强度噪声特性,并验证了测量结果的准确性。该测量技术有望应用于引力波探测和精密测量等应用中的激光噪声评估。     

一种基于用频计划的监测设备部署优化方法

提出了一种基于用频计划的监测设备部署优化方法,根据实际的用频计划提取出包含监测区域、时间和频段的监测要求,结合监测设备的监测能力,运用改进的多目标遗传算法,快速有效地部署监测设备,制定监测计划,提高了对监测要求在时域、空域和频域的监测覆盖率,达到了监测设备部署优化的目的,并通过仿真验证了该算法的可行性和有效性。     

高性能数字频率合成器的设计与实现

通过对直接数字频率合成技术的研究,采用单片机AT89S51控制DDS芯片AD9854设计出一种高性能直接数字频率合成器。该数字频率合成器采用并行通信的方式传输控制字,通过改变控制字来改变输出频率,得到所需频率的正弦波。软件上采用菜单式、全部键盘控制方式。用4×4矩阵键盘控制,进行功能选择以及设置频率、幅度和相位控制字。界面显示用带中文字库的液晶TS-12864显示,实现了良好的人机交互,系统操作使用方便。用单片机控制DDS数字芯片实现的数字频率合成器,有着比模拟频率合成器更好的抗干扰性、频率分辨率和频谱纯度,同时有着更小的体积。系统经测试得到所需频率的正弦波,数字频率合成器设计成功。     

20GHz镜频抑制谐波混频器

镜频抑制混频器能有效地抑制镜像频率,提高雷达和通信系统的抗干扰能力。介绍了一个20 GHz二次谐波镜频抑制混频器的设计与制作,该镜频抑制混频器采用两个相同的二次谐波混频器做为两路混频单元,两路射频输入和中频输出分别用90°的功分器/合路器与两路混频器相连,本征用威尔金森功分器等幅同相输入两路混频。借助于90°的功分器,两路混频器的镜频产物在中频90°合路器的输出端口反相抵消,有用中频在90°合路器的输出端口同相叠加。利用ADS和HFSS对该混频器进行了仿真设计,并对实际电路进行了加工测试。经测试,当中频固定在400 MHz时,射频在20～21 GHz内变频损耗小于10 dB,镜频抑制大于20 dB。     

纵向循环流动调频连续波一氧化碳激光器

本文叙述了纵向循环对流式调频连续波一氧化碳激光器的研制工作,报导了激光器在慢速和快速流动两种工作方式下的运行实验。在气体配比为O_2∶CO∶N_2∶He=10∶80∶150∶800(ml/min),总气压P=14.2Torr,放电电流I=14mA的慢速流动条件下,单线输出功率达到4.55W。在60∶100∶100∶800(ml/min)配比和6.0Torr气压下,快速流动使单线功率从慢速流动的1.92W提高到4.74W。增加外冷却,在I=24mA时,最佳输出功率达到了6.34W。     

(Ca,Sr)(Zr,Ti)O_3系抗还原高频介质瓷料的研究

采用固相合成法制备了(Ca,Sr)(Zr,Ti)O3(简称CSZT)系电容器陶瓷材料,研究了主晶相组分对所制材料介电性能的影响。结果表明:通过调整主晶相CSZT中各组分的配比,再加入适量的烧结助剂,能得到一种可在还原气氛中烧结的高频介质瓷料,该瓷料可与镍内电极共烧,其相对介电常数约为89,介质损耗(tanδ)小于5×10–4,绝缘电阻达到1012Ω,介电常数温度系数为–1 037×10–6/℃。     

CMOS射频集成电路的现状与进展

随着低功耗、可移动个人无线通信的发展和CMOS工艺性能的提高,用CMOS工艺实现无线通信系统的射频前端不仅必要而且可能.本文讨论了用CMOS工艺实现射频集成电路的特殊问题.首先介绍各种收发器的体系结构,对它们的优缺点进行比较,指出在设计中要考虑的一些问题.其次讨论CMOS射频前端的重要功能单元,包括低噪声放大器、混频器、频率综合器和功率放大器.对各单元模块在设计中的技术指标,可能采用的电路结构以及应该注意的问题进行了讨论.此外,论文还讨论了射频频段电感、电容等无源器件集成的可能性以及方法.最后对CMOS射频集成电路的发展方向提出了一些看法.     

基于倒扣技术的190~225 GHz肖特基二极管高效率二倍频器

基于分立式GaAs肖特基势垒二极管,研制出了190～225 GHz高效率二倍频器.50 μm厚石英电路利用倒扣技术,实现二极管的良好散热、可靠的射频信号及直流地.通过数值分析方法,二极管非线性结采用集总端口模拟,提取二极管的嵌入阻抗,以设计阻抗匹配电路.在202 GHz,测得最高倍频效率为9.6％,当输入驱动功率为85.5 mW时,其输出功率为8.25 mW;在190～225 GHz,测得倍频效率典型值为7.5％;该二倍频器工作频带宽、效率响应曲线平坦,性能达到了国外文献报道的水平.