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71.
72.
S. Zimmermann Q.T. Zhao M. Wiemer S. Mantl T. Gessner 《Microelectronic Engineering》2007,84(11):2537-2541
The material CoSi2 is preferred for the fabrication of buried silicide films between silicon device layer and buried oxide of SOI substrates for BICMOS integrations. Such an application needs excellent quality of the interface between the silicide and the silicon device layer. Using the conventional cobalt salicide process the roughness and waviness of the interface is too large for a device application. In this presentation three technologies to improve the CoSi2/Si-interface quality were characterized. Using the first technology a very thin single crystalline CoSi2 film was fabricated on a silicon substrate. This film acts as initial layer to produce thicker single crystalline silicide films. By the second technology an interlayer between cobalt and the silicon substrate was used to mediate an epitaxial CoSi2 growth. Different types and materials were tested. Using the third technique a sacrificial layer of polycrystalline silicon between cobalt and the silicon substrate was consumed during the silicidation reaction. This method gives the best results with interface roughness values of less than 1 nm. The interface roughness was measured after CoSi2 removal using AFM. A possible epitaxial growth of the silicide films was investigated with XRD analysis. Cross sectional SEM images were prepared to analyze the interface waviness and the CoSi2 structure. 相似文献
73.
介绍了一种新型的、利用并联梳齿结构驱动的静电型微继电器及其制造工艺。通过优化并联梳齿结构的几何尺寸,可以使微继电器的阈值电压降低到5V。该微继电器的主体部分使用一套表面牺牲层标准工艺制造,同时,使用溅射工艺制作Au接触电极,可以使接触电阻降到100mΩ以下,增加了微继电器的使用寿命。由于该微继电器的驱动电压和制造工艺都和普通集成电路的驱动电压和制造工艺相兼容,因此两者在产业化生产中可以很容易地被集成在同一芯片上。 相似文献
74.
75.
76.
介绍了一种基于UV-LIGA加工技术的双稳态电磁型RF MEMS开关,该结构由于使用了永磁体单元而使得开关在维持“开”或“关”态时不需要功耗,利用牺牲层UV-LIGA技术实现了开关的微制作。非接触式Wyko NT1100光学轮廓仪的测试表明,制备的开关实现了双稳态驱动功能,驱动脉冲电流50 mA,驱动行程17μm,响应时间20μs;开关完成一次驱动姿态转换所需要的功耗不到3μJ。AGILENT 8722ES型S参数网络分析仪的测试表明,开关在12 GHz时的插入损耗为-0.25 dB,隔离度为-30 dB。 相似文献
77.
研究了砷化镓基毫米波MEMS开关的表面工艺方法,包括MEMS开关的工艺流程中的牺牲层技术、结构层技术、触点技术、薄膜电阻技术。重点阐述了以光敏聚酰亚胺作牺牲层和以电镀金作结构层的工艺制作方法。形成了砷化镓RF MEMS开关表面工艺流程,制作出了RF MEMS开关样品。开关驱动电压为60 V,35 GHz时的插入损耗<0.2 dB,隔离度>18 dB。 相似文献
78.
绿色二氧化碳超流体半导体清洗设备 总被引:1,自引:0,他引:1
传统半导体清洗技术无法对硅片上的微小器件间的缝隙和线条进行有效清洗,以超临界二氧化碳为媒体的清洗技术则可克服上述缺点。超临界二氧化碳具有零表面张力、低黏度、强扩散能力和溶解能力等特性,并且无毒无臭、可以循环使用,在下一代半导体清洗和清洗后的干燥过程中有极强的应用前景。提出了一种绿色二氧化碳超流体半导体清洗设备,它可实现超流体清洗和超临界干燥,二氧化碳循环使用,属于新型高效的下一代绿色半导体清洗设备。 相似文献
79.
Biopolymers: Multidimensional Vascularized Polymers using Degradable Sacrificial Templates (Adv. Funct. Mater. 7/2015)
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80.
Strikingly improved toughness of nonpolar rubber by incorporating sacrificial network at small fraction
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Xuhui Zhang Zhenghai Tang Jing Huang Tengfei Lin Baochun Guo 《Journal of Polymer Science.Polymer Physics》2016,54(8):781-786
It poses a huge challenge to create nonpolar rubber with high fracture toughness. In the present letter, inspired by the concept of sacrificial bonding associated with many biological materials, we propose that a small fraction of additional sacrificial network can strikingly improve the fracture toughness of nonpolar rubbers. As a proof of concept, we created the additional “fragile” epoxidized natural rubber (ENR) network in commercially available SBR rubber in a facile process. With addition of only 10 phr ENR, the SBR/ENR double network (DN) exhibits a fracture energy nearly fourfold higher than that for the neat SBR. The formation of DN formation and the correlation between the high toughness and presence of the second brittle network have been fully discussed. This is the first time sacrificial networks are created in diene‐based rubber towards high toughness elastomers in a facile and efficient way. © 2015 Wiley Periodicals, Inc. J. Polym. Sci., Part B: Polym. Phys. 2016 , 54, 781–786 相似文献