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151.
152.
Design,fabrication and characterization of a novel two-color detector for ultraviolet and infrared applications are reported.The detector has a simple multilayer structure composed of n-Al_(0.3)Ga_(0.7)N/i-GaN/p-GaN /SiO_2/LaNiO_3/PZT/Pt fabricated on a sapphire substrate.Ultraviolet and infrared properties are measured.For the ultraviolet region,a flat band spectral response is achieved in the 302-363 nm band.The detector displays an unbiased responsivity of 0.064 AAV at 355 nm.The current-voltage curve... 相似文献
153.
采用Ni/Au作为肖特基接触制备了一维阵列MSM 4H-SiC紫外光电探测器,并测量和分析了阵列器件的Ⅰ-Ⅴ、光谱响应特性.结果表明,阵列探测器性能均匀性好,击穿电压均高于100V.阵列中单器件暗电流小,在偏压为20V的时候,最大暗电流均小于5pA(电流密度为5nA/cm2),光电流比暗电流高3个数量级以上.其光谱响应表明,单器件在电压为20V时的响应度约为0.09A/W,比400nm时的比值均大5000倍,说明探测器具有良好的紫外可见比. 相似文献
154.
外加太赫兹(THz)场垂直入射高电子迁移率晶体管(HEMT),使得HEMT中产生的载流子激发沟道内的等离子振荡,振荡频率处于太赫兹范围.论文研究了外加磁场对该器件电流特性的影响.结果表明,随着外加磁场强度的增加,HEMT的响应率峰值发生蓝移.因此通过改变磁场能够对HEMT的振荡响应实现有效调谐. 相似文献
155.
156.
介绍了采用新工艺生长的铟砷锑厚膜单晶。我公司采用和室温锑化铟探测器相同的工艺结构将其制成了高灵敏、非致冷型光导探测器,并对它的光电性能和光谱响应率进行了测试。将该探测器与室温锑化铟、致冷锑化铟以及硒化铅探测器作了对比,所得数据为工作在中远红外波段(5~12 μm)范围内的铟砷锑探测器的更广泛应用提供了可靠的依据。 相似文献
157.
158.
采用分子束外延(MBE)方法在Al2O3(0001)基片上生长了β-Ga2O3薄膜,利用XRD、SEM和AFM对薄膜的结构和形貌特性进行了表征。制作了基于β-Ga2O3薄膜的金属-半导体-金属(MSM)结构紫外探测器并对其进行了电学特性测试,结果表明:在20 V偏压下,器件的暗电流为8 nA;在波长为254 nm、光照强度为13×10–6W/cm2的紫外光照射下,器件的光电流为624 nA;器件的光电流与暗电流比值为78,光响应度达360 A/W,表现出明显的日盲紫外光响应特性。 相似文献
159.
红外探测器相对光谱响应率的自动测试 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍红外探测器相对光谱响应率自动测试的实施方法。利用锁相放大器追踪测量信号,微机自动扫描、采集和处理数据。给出了整个测试过程的流程图,对影响测试准确度的因素,如光源、参考探测器及其他干扰进行了较详细的阐述。并介绍提高测试准确度的措施,给出测量实例及误差分析。测试结果表明,此装置已能满足红外测试标准所要求的精度。 相似文献
160.
在p型绒面晶硅上,采用磷的热扩散形成同质pn结、低温热氧化生长超薄SiO_2层、射频磁控溅射沉积ITO减反射/收集电极膜成功制备了一种新型ITO/SiO_2/np晶硅SINP结构光电池.高质量ITO薄膜的物相结构、光学及电学特性通过X-光衍射(XRD)、紫外-可见光透射、吸收谱(UV-VIS)以及霍尔效应(Hall effect)测量系统表征.并对新型SINP光电池C-V/I-V特性及光谱响应进行详细地分析、计算.结果表明,该器件在可见光波段具有光电转换增强的响应,适合于发展成为新型结构的太阳电池及光电探测器. 相似文献