Negative differential perpendicular velocity in GaAs/AlAs superlattices

We investigate the doping level, hydrostatic pressure, temperature and superlattice parameter dependence of the perpendicular negative differential velocity (NDV) of GaAs/AlAs superlattices. The results show that NDV is a single Γ miniband effect. A qualitative agreement is found with Esaki's negative effective mass model, although a few limitations of this model are pointed out and some improvement is suggested.     

基于“PFC＋LLC＋CV、CC”拓扑结构的HB-LED驱动电源设计

为提高HB-LED驱动电源的效率和功率因数,设计了基于＂PFC＋LLC＋CV、CC＂拓扑结构的HB-LED（150W）驱动电源,即采用TM模式PFC控制器L6563H与高压谐振控制器L6599组成LLC半桥谐振电路,可实现在全电压范围及全负载条件下主功率管的零电压开关（ZVS）和整流二极管的零电流开关（ZCS）控制,并由LM358放大器与TL431组成恒压（CV）、恒流（CC）控制电路。功率因数达到97%,整机效率92%以上。     

抛物形量子阱的共振隧穿

文中通过求解薛定谔方程得到抛物型形量子阱的变换矩阵与透射系数。利用这一结果计算透射系数可以达到任意高的精度，最后，讨论了结构变化对抛物型量子阱的共振隧穿的影响。     

光泵腔式远红外激光器的工作参数研究

在研究光泵腔式NH3分子远红外激光频谱特性的基础上，应用量子系统的密度矩阵理论，采用迭代法和增益迭加原理计算了以TEA CO2－10R（8）泵浦的NH3分子腔式远红外激光器的最佳工作参数。提供了光泵腔式NH3分子远红外激光器（腔式NH3－OPFIRL）的工作参数之间的关系曲线。     

ErLaP_5O_（14）非晶上转换发光分析

测量了Ｅｒ０．１Ｌａ０．９Ｏ１４非晶在６４９．０ｎｍ脉冲染料激光泵浦下的上转换荧光谱线（５５２．２，５４５．７，５４２．９）ｎｍ，５２５．０ｎｍ．４６８．８ｎｍ，４５２．２ｎｍ．（４１１．２，４０７．０）ｎｍ，３８４．１ｎｍ．３８０．７ｎｍ，其中（５５２．２，５４５．７，５４２．９）ｎｍ，（４１１．２．４０７．０）ｎｍ．３８４．１ｎｍ话线是共振步进双光子吸收导致的，而４６８．８ｎｍ．４５２．２ｎｍ，３８０．７ｎｍ是三光子荧光。     

光纤表面等离子体波共振温度传感器的研究

根据液体折射率随温度变化而改变的特性，提出了一种基于表面等离子体波共振(SPR)效应的新型光纤温度传感器，分析了表面等离子体波共振光纤探头感应环境温度变化的原理。对表面等离子体波共振探头结构进行了优化设计，并进行了相关实验，为实现高折射率液体介质的感温测试和扩大测温范围提供依据。通过自行设计的一套光纤温度传感测试系统，得到系统输出的表面等离子体波共振光谱信号随温度变化的特性曲线，并提出对共振波长和最小光强反射率进行实时双参数测量的方法。实验结果表明，该测试系统具有结构简单、全光纤化、易远程测量等优点。     

短相干长度长腔长全固态激光器

分析了激光器的相干长度与谐振腔腔长的关系,研究了全固态Nd:YVO4/KTP激光器,在谐振腔腔长超过1m时绿光的输出。在谐振腔内加入热补偿透镜对热效应进行了补偿,实现了长腔激光器的稳定运转。在腔长L=1350mm,泵浦功率为3W时,获得了输出功率为110mW的绿光,发散角为0.7mrad,稳定性小于2%。     

Resonant Tunneling through Monolayer Si Colloidal Quantum Dots and Ge Nanocrystals

Resonant tunneling through a 4 nm nanocrystal Ge (nc‐Ge) layer and a 2.4 nm monolayer of Si colloidal quantum dots (QD) is achieved with 0.7 nm amorphous Al₂O₃ (a‐Al₂O₃) barriers. The nc‐Ge resonant tunneling diode (RTD) demonstrates a peak‐to‐valley current ratio (PVCR) of 8 and a full width at half maximum (FWHM) of 30 mV at 300 K, the best performance among RTDs based on annealed nanocrystals. The Si QD RTD is first achieved with PVCRs up to 47 and FWHMs as small as 10 mV at room temperature, confirming theoretically expected excellences of 3D carrier confinements. The high performances are partially due to the smooth profile of nc‐Ge layer and the uniform distribution of Si QDs, which reduce the adverse influences of many‐body effects. More importantly, carrier decoherence is avoided in the 0.7 nm a‐Al₂O₃ barriers thinner than the phase coherence length (≈1.5 nm). Ultrathin a‐Al₂O₃ also passivates well materials and suppresses leakage currents. Additionally, the interfacial bandgap of ultrathin a‐Al₂O₃ is found to be similar to the bulk, forming deep potential wells to sharpen transmission curves. This work can be easily extended to other materials, which may enable resonant tunneling in various nanosystems for diverse purposes.     

用于POF的高性能共振腔发光二极管

提出用AlGaAs材料为n型下DBR,AlGaInP材料为p型上DBR,GaInP/AlGaInP多量子阱为有源区来制备650nm波长的共振腔发光二极管（RCLED）.用传输矩阵法对器件的结构进行了理论设计,并制备了RCLED和普通LED两种结构.测试结果表明,RCLED有更高的发光效率,是普通LED的近1.3倍,当注入电流从3mA增加到30mA时,RCLED的峰值波长只变化了1nm,而普通LED的波长则变化了7nm,且RCLED的光谱半宽窄,远场发散角小. 关键词： 发光二极管 共振腔 金属有机物化学气相淀积     

双势垒磁性隧道结中量子阱共振隧穿效应的第一性原理理论

磁性隧道结材料中自旋相关的量子阱态所导致的共振隧穿现象具有很重要的研究和应用价值，文章介绍了最近在Fe（001）／MgO／Fe／MgO／Fe双势垒磁性隧道结中存在的量子阱共振隧穿效应的理论研究工作，通过量子阱态的第一性原理的计算以及结合对中间Fe薄膜孤岛结构所导致Coulomb阻塞效应的分析，证实了最近Nozaki等人（Nozaki T et al．Phys．Rev．Lett．，2006，96：027208）实验中得到的振荡效应确实来源于中间Fe层多数自旋电子在Г点处形成的△1对称性的量子阱态．Coulomb阻塞效应的存在正是导致实验中低温下量子阱共振隧穿效应不够明显的主要原因．