基于光耦HCPL316J的大功率IGBT驱动电路研究

本文主要对逆变器等功率装置的IGBT驱动电路进行研究,从门极驱动电压、门极驱动电阻、驱动电路功率与IGBT的关系以及驱动保护等方面分析了驱动电路的设计。最后设计了以基于光电耦合器HCPL316J的驱动电路,计算了电路的参数。通过驱动实验和短路保护实验,验证了设计的正确性。     

钽掺杂的钌基厚膜电阻导电相和玻璃相颗粒尺寸效应的研究

本文报道了钽掺杂钌基厚膜电阻制备过程中导电相和玻璃相颗粒尺寸效应的实验研究结果。当导电相和玻璃相颗粒尺寸分别达到25和50nm时,电阻阻值和电阻温度系数也随之发生显著变化,并尝试根据厚膜电阻导电机理对其产生的原因进行定性的分析。     

一种四象限14位乘法型D/A转换器设计

设计了一种14位乘法型D/A转换器。采用高3位温度计编码、低11位二进制编码的分段电流模R-2R电阻网络结构,规避了高分辨率二进制电流模R-2R电阻网络开关尺寸大、版图匹配难度大的缺点。基于混合信号CMOS工艺进行了流片,实测DNL在±0.5 LSB以内,INL在±0.8 LSB以内。该D/A转换器适用于工业控制、仪器仪表等领域。     

基于硬件线性化的铂电阻测温系统

该文介绍了铂电阻的特性和设计方法,详细分析了-种基于硬件线性化的测温电路设计,其具有非线性误差小、测温精度商、易于调试等优点,克服了以往电路依赖于软件校准求解温度的缺点.该电路采用高精废低温漂的基准源为铂电阻形成静态工作电流.     

高精度片上电阻在高速发射器电路中的应用

本论文提出了一种新颖的高精度片上电阻的设计方法。该片上电阻器由三个 NMOS 管组成。通过控制各MOS 管的栅电压和宽长比可得到线形度较好的高精度电阻器。用 Cadence 公司的 SPECTRE 软件及 TSMC 公司的0.25μm CMOS 混合信号工艺库进行了电路仿真,结果表明有源电阻器能满足 USB2.0 规范对发射器电路输出阻抗45±10%?的要求。     

一种电阻温度补偿电流基准源

本文设计了一种简单的一阶温度补偿电流基准源.主要利用电阻的温度系数与阈值电压VTH温度系数相同的特性实现温度补偿原理.该主体电路采用低压共源共栅(即CASCODE)结构,不需要运放,易于补偿.整个电路采用0.5μm标准CM0S工艺,并用HSPICE仿真分析表明该电路在0～100℃范围内且在工艺变化(容差分析)时基准电流变化不超过3.1%.     

Voltage difference transresistance amplifier and its application: floating FDNR simulator circuit

In this article, a new active building component with electronically tunable transresistive block, voltage difference transresistance amplifier, and its floating frequency dependent negative resistor simulator circuit application is presented. The simulator circuit is shown to operate using single active building block with two grounded passive components, to be electronically tunable over its value which is controlled by an independent current source, not to require any conditions of component matching and to have good sensitivity performance with respect to tracking errors. To examine functionality of the design, a CRD band-pass filter example is given.

Numerous simulation program with integrated circuit emphasis (SPICE) simulations are performed and depicted through the article to verify validity of the study. Taiwan semiconductor manufacturing company (TSMC) 0.18 µm complementary metal oxide semiconductor technology parameters are used through simulations.     

基于二端口级联的回转器设计与实现

本文基于教学实践,提出一种基于二端口级联的回转器设计方法,并采用运放加以实现。将回转器的传输参数矩阵分解两个子传输传输矩阵之积,然后讨论两个子传输传输矩阵的实现电路,再将这两个实现电路级连,得到回转器的实现电路。使用运算放大器实现电路中的负电阻与受控源,并以Multisim仿真验证该方法的正确性。所述回转器设计与实现方法对电路理论的教学具有一定的启发与助益。     

12bit高稳定性数模转换器设计

设计了一款12 bit高稳定性控制类数模转换器(DAC),该DAC集成了带有稳定启动电路的新型低失调带隙基准源(BGR),改善了基准电路的稳定性以及对温度和工艺的敏感性;DAC采用了改进的两级电阻串结构,通过开关电阻匹配和特殊版图布局,在既不增加电路功耗又不扩大版图面积的前提下,提高了DAC的精度并降低了工艺浓度梯度对整体性能的影响.基于CSMC 0.5 μm 5 V 1P4M工艺对所设计的DAC芯片进行了流片验证.测试结果表明:常温下DAC的微分非线性(DNL)小于0.45 LSB,积分非线性(INL)小于1.5 LSB,并且在-55～125℃内DNL小于1 LSB,INL小于2.5 LSB;5V电源电压供电时功耗仅为3.5 mW,实现了高精度、高稳定性的设计目标.     

Random walks on cubic lattices with bond disorder

We consider diffusive systems with static disorder, such as Lorentz gases, lattice percolation, ants in a labyrinth, termite problems, random resistor networks, etc. In the case of diluted randomness we can apply the methods of kinetic theory to obtain systematic expansions of dc and ac transport properties in powers of the impurity concentrationc. The method is applied to a hopping model on ad-dimensional cubic lattice having two types of bonds with conductivity and ₀=1, with concentrationsc and 1–c, respectively. For the square lattice we explicitly calculate the diffusion coefficientD(c,) as a function ofc, to O(c²) terms included for different ratios of the bond conductivity. The probability of return at long times is given byP ₀(t) [4D(c,)t]^–d/2, which is determined by the diffusion coefficient of the disordered system.