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11.
Cheul-Ro Lee 《Journal of Electronic Materials》2002,31(4):327-331
We have investigated the growth characteristics of n-Al0.15Ga0.85N:Si/GaN and the electronic properties of Au/n-Al0.15Ga0.85N:Si diode structures grown by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) with various Si incorporations. The Al0.15Ga0.85N:Si layers were grown on undoped GaN/sapphire (0001) epitaxial layers in a horizontal MOCVD reactor at the reduced pressure
of 300 torr. The mirrorlike surface, free of defects, such as cracks or hillocks, can be seen in the undoped Al0.15Ga0.85N epilayer, which was grown without any intentional flow of SiH4. However, many cracks are observed in the n-Al0.15Ga0.85N:Si, which was grown with Si incorporation above 1.0 nmol/min. While Au/n-Al0.15Ga0.85N:Si diodes having low incorporation of Si showed retively good rectifying behavior, the samples having high Si incorporation
exhibited leaky current-voltage (I-V) behavior. Particularly, the Au/n-Al0.15Ga0.85N:Si structure grown with Si incorporation above 1.0 nmol/min cannot be used for electrical rectification. Both added tunneling
components and thermionic emission influence the current transport at the Au/n-Al0.15Ga0.85N:Si barrier when Si incorporation becomes higher. 相似文献
12.
13.
激光二极管反馈干涉的实验观测 总被引:7,自引:2,他引:5
利用LabView软件虚拟示波器和信号源,观测了激光二极管反馈干涉实验现象.实验证明反馈回激光二极管的光的入射方向和入射光强以及信号处理电路的带宽,对反馈干涉信号有很大的影响. 相似文献
14.
15.
16.
介绍了一个计算机远程控制系统的设计与实现,该系统采用客户机/服务器模式,实现远程屏幕的实时传输,采用LZW压缩算法对图像进行压缩传输,在接受方进行解码并且实现了远程文件创建和删除、显示被控制端的主机信息、发送实时消息等功能。采用鼠标,键盘的模拟方式对计算机进行实时控制。 相似文献
17.
18.
19.
研究了软X射线能谱仪探测道系统(系统包括X射线二极管(XRD)、SUJ-50-10电缆和不同频带示波器)的响应时间。实验利用上海激光联合实验室的20TW激光器激光(激光能量约20J,脉冲宽度约1ps)打金箔靶产生的X光,用XRD探测系统测量,记录示波器有TK684C,TK694C和WM8500等。将实验数据进行了线性拟合和比对分析。滤片XRD探测系统的响应时间随偏压升高而加快,随传输电缆长度的增加而变慢,因此测量快信号过程时,应提高探测器偏压,缩短传输电缆,选择宽频带高采样率示波器,以便减少系统的响应时间,减小信号失真程度。 相似文献
20.