部分耗尽SOI MOSFET总剂量效应与偏置状态的关系

实验表明SOI MOSFET掩埋氧化层中的总剂量辐射效应与辐射过程中的偏置状态有关. 对诱发背沟道泄漏电流的陷阱电荷进行了研究. 建立一个数值模型来模拟不同偏置下陷进电荷的建立, 它包括辐射产生的载流子复合和俘获的过程. 模拟结果与实验结果相符, 解释了总剂量辐射效应受偏置状态影响的机理.     

卫星电视快速寻星及多功能接收技术

利用量角器法和平面解析法进行实地卫星接收调试,总结出了快速定星的便捷实用的方法及单体多功能接收技术.     

基于LMBP神经网络的MCM布局电磁场预测模型

通信微波多芯片组件(MCM)内不合理的芯片布局将会导致电磁干扰加剧。对具有不同布局的MCM多层布线基板的电磁场进行了仿真分析,并以仿真分析结果作为样本数据,建立了基于LMBP神经网络的MCM布局电磁场预测模型,然后用该模型对两种单面芯片布局下的MCM的坡印廷矢量数值进行了预测。结果显示,MCM电磁场的仿真与模型预测差值分别为0.332e–7W/m2和0.263e–7W/m2,证明了该预测模型的可用性。     

传输-散射理论设计LED照明导光板的研究

基于传输-散射理论设计了用于LED照明的导光板网点结构。导光板网点具有直径40 μm,高度10 μm的微凹透镜结构,依据传输-散射理论对导光板分区并获得各分区域中的微透镜排布参数。为了验证所提出的网点排布能够实现导出光的高均匀性,建立了尺寸为70.0 mm×41.5 mm的微透镜结构的LED导光板模型,并利用光线追迹的获得了90%的均匀度。本文所提出的方法可用于高均匀度LED照明的导光板设计。     

基于FPGA的数据采集卡的CPCI接口设计

该文介绍了高速数据采集卡上基于FPGA实现CPCI接口的方案,其中包括从模式下单周期读写和主模式下DMA的实现。最后结合开发实例,介绍了如何开发PCI接口的DMA驱动程序。     

光参量过程中的逆转换问题

逆转换是影响光参量变换转换效率、参量光光束质量以及参量光输出稳定性的关键因素,随光斑分布和时间变化,逆转换现象很难消除.文中分析了光参量变换过程中的逆转换问题,研究了影响逆转换的关键因素.分析得出,适当的晶体长度、优化的抽运光斑截面类型、合适的谐振腔参数(对于振荡器)有利于降低逆转换,提高参量转换效率,改善参量光光束质量.根据理论分析结果,设计了脉冲砷酸钛氧钾(KTA)光参量振荡器,实验获得了270 mJ信号光和150 mJ闲频光输出,有效地抑制了逆转换的影响,参量转化效率达到了43%. 关键词： 逆转换 光参量放大 光参量振荡     

Molybdenum thin film deposited by in-line DC magnetron sputtering as a back contact for Cu(In,Ga)Se2 solar cells

In this paper, we reported the effect of the power and the working pressure on the molybdenum (Mo) films deposited using an in-line direct current (DC) magnetron sputtering system. The electrical and the structural properties of Mo film were improved by increasing DC power from 1 to 3 kW. On the other side, the resistivity of the Mo films became higher with the increasing working pressure. However, the adhesion property was improved when the working pressure was higher. In this work, in order to obtain an optimal Mo film as a back metal contact of Cu(In,Ga)Se₂ (CIGS) solar cells, a bilayer Mo film was formed through the different film structures depending on the working pressure. The first layer was formed at a high pressure of 12 mTorr for a better adhesion and the second layer was formed at a low pressure of 3 mTorr for a lower resistivity.     

后向攻击技术方案的对比与选择

以空战前向攻击为参照，以对比的方式分析，论证了导弹越肩发射后向攻击和后向发射后向攻击技术方案的特点和存在的问题，在此讨论的基础上，提出了选择空战导弹后向攻击技术方案的倾向性意见。