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Dazhang Zhu Shilong Wang Xiaoyu Sun Yaming Ni Side Yao 《Frontiers of Chemistry in China》2007,2(4):354-358
The reaction mechanism between isoquinoline and ·OH radical in aqueous dilute solutions under different conditions was studied
by pulse radiolysis. The main characteristic peaks in these transient absorption spectra were attributed and the growth-decay
trends of several transient species were investigated. Under neutral or alkaline conditions, the reaction of ·OH radical and
isoquinoline produces OH-adducts with respective rate constants of 3.4 × 109 and 6.6 × 109 mol−1 · dm3 · s−1 while under acidic conditions, the isoquinoline was firstly protonated and then ·OH added to the benzene ring and produced
protonated isoquinoline OH-adducts with a rate constant of 3.9 × 109 mol−1 · dm3 · s−1. With a better understanding on radiolysis of isoquinoline, this study is of help for its degradation and for environmental
protection.
__________
Translated from Journal of Fudan University (Natural Science), 2006, 45(6): 774–778 [8BD1;81EA: 590D;65E6;5B66;62A5;(自然科学版)] 相似文献
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基于聚硫堇、DNA/纳米银复合物共修饰癌胚抗原免疫传感器的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
将硫堇聚合到玻碳电极(GCE)表面形成带正电的多孔聚硫堇(PTH)复合膜, 通过静电吸附固定DNA/纳米银复合物, 利用复合物中纳米银大的比表面积和强的吸附能力将癌胚抗体(anti-CEA)固定到电极表面, 从而制得高灵敏的电流型癌胚抗原(CEA)免疫传感器. 通过循环伏安法考察了电极表面的电化学行为, 并对免疫传感器的性能进行了详细研究. 在最优的实验条件下, 用示差脉冲伏安法(DPV)对癌胚抗原进行检测, 其线性范围为1.0~10.0 ng•mL-1和10.0~80.0 ng•mL-1, 线性相关系数分别为0.9983和0.9970, 检测限为0.24 ng•mL-1, 并将该免疫传感器用于血清样品中CEA的检测. 相似文献
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介绍了一种采用半导体开关与磁开关、可饱和脉冲变压器相结合技术的固态脉冲电源,此电源可用于脉冲放电等离子体烟气治理。在理论分析的基础上建立了实验模型,通过实验验证了此类电源的可行性,解决了8支晶闸管开关串联的动静态均压及开通同步性问题,并对可饱和脉冲变压器及磁开关的工作特性进行了分析计算。电源在阻性负载上得到峰值电压37.5 kV、前沿101 ns、脉宽1 μs的脉冲,重复频率300 Hz,输出功率10 kW。 相似文献
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为了使谐波转换系统保持高效稳定的3次谐波转换,采用数值模拟的方法,研究了基频光脉冲波形对3倍频转换效率的影响,并对高斯脉冲和平顶脉冲的不同谐波转换特点作了详细分析.当基频光为高斯脉冲时,在3GW/cm2的输入条件下最佳的2倍频转换效率为56.8%,低于理论预计的66.7%.进一步计算了不同功率密度下,最佳2倍频转换效率与超高斯脉冲阶数的关系.当考虑空间走离效应,基频光时间和空间均为平顶分布时,最佳的2倍频转换效率为62%;若基频光时间为平顶分布、空间分布为高斯分布时,最佳2倍频转换效率为51%,进一步地偏离66.7%.结果表明,当基频光脉冲形状偏离理想的平顶分布时,适当地降低2倍频转换效率,可提高3倍频转换效率. 相似文献
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随着工艺尺寸的不断缩小,由单粒子瞬态(Single Event Transient, SET)效应引起的软错误已经成为影响宇航用深亚微米VLSI电路可靠性的主要威胁,而SET脉冲的产生和传播也成为电路软错误研究的热点问题。通过研究SET脉冲在逻辑链路中的传播发现:脉冲上升时间和下降时间的差异能够引起输出脉冲宽度的展宽或衰减;脉冲的宽度和幅度可决定其是否会被门的电气效应所屏蔽。该文提出一种四值脉冲参数模型可准确模拟SET脉冲形状,并采用结合查找表和经验公式的方法来模拟SET脉冲在电路中的传播过程。该文提出的四值脉冲参数模型可模拟SET脉冲在传播过程中的展宽和衰减效应,与单参数脉冲模型相比计算精度提高了2.4%。该文应用基于图的故障传播概率算法模拟SET脉冲传播过程中的逻辑屏蔽,可快速计算电路的软错误率。对ISCAS89及ISCAS85电路进行分析的实验结果表明:该方法与HSPICE仿真方法的平均偏差为4.12%,计算速度提升10000倍。该文方法可对大规模集成电路的软错误率进行快速分析。 相似文献
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