Sensitive Quantification of Fe(III) in Food Samples at Screen Printed Carbon Electrode Modified with Graphene and Piroxicam by Catalytic Adsorptive Voltammetry

A new disposable sensitive voltammetric sensor for the determination of Fe(III) based on a graphene (G) and piroxicam (Pir) modified screen printed carbon electrode (Pir/G/SPCE) has been developed. The developed method is based on accumulation of Fe(III) on the surface of the prepared sensor strip, formation a complex with Pir and subsequent reduction the adsorbed chelated Fe(III) at ?0.03 V (vs. Ag/AgCl) coupled with the catalytic enhancement of bromate. Characterizations of the modified electrode surface were performed by field emission scanning electron microscopy (FE‐SEM), energy dispersive X‐ray spectroscopy (EDX) and electrochemical impedance spectroscopy (EIS). Electrochemical behavior of the modified SPCEs was investigated by cyclic voltammetry (CV) and differential pulse voltammetry (DPV). Under the optimum conditions, the catalytic voltammetric method exhibited linear calibration plot in the concentration ranges of 1–100 ng mL^?1 and 100–3500 ng mL^?1 Fe(III) with a limit of detection of 0.3 ng mL^?1. The sensor strip displayed good reproducibility with 1.7 % relative standard deviation (RSD%). The developed method was successfully applied for the determination of iron in food samples such as vegetables, fruit, and cereal.     

激光测速系统中驱动电路的研究

激光测速技术的主要方法有脉冲法和相位法。由于激光相位法测速系统设计复杂,成本较高,因此只考虑脉冲法激光测速。针对脉冲法激光测速,提出了两种易于实现的脉冲驱动电路的设计方法,方法一基于555振荡电路和CPLD,主要利用了CPLD的逻辑延时;方法二完全基于CPLD的逻辑实现。逻辑分析和仿真结果证明,两种方法都可以驱动激光器工作,产生的驱动脉冲的频率和脉宽均可调节。     

数控多线切割技术及发展趋势

数控多线切割技术实现了集成电路制造技术的跨越式发展,已成为数控机床制造技术及集成电路制造技术的重要标志,引起了发达国家的广泛重视。论述了数控多线切割技术的特征;介绍了我国自行研制的XQ120和XQ300系列数控多线切割机床并与国外产品进行比较;指出了开发大型数控多线切割机床的技术难点;阐述了我国研发具有自主知识产权的大型数控多线切割机床设备的必要性。     

YAM机、T特性设备视放板回路的调整和对彩管色平衡的影响

本文主要讲述了视放回路的原理、调整及其对彩管会聚、色平衡的影响.为解决视放回路过长而引起的视频延迟现象,专门设计了一套视频放大板,其中包括了预视放回路、视频延迟回路、视频放大输出部分及EK恒压源回路等.     

虚拟电子实验台与电路设计的实验教学研究

介绍了EWB的基本概念和特点,结合EWB在电子技术实验中的应用实例,体现了EWB在实验教学中具有明显的优势.     

动生、感生电动势与法拉第电磁感应定律等价性的研究

法拉第电磁感应定律与动生电动势、感生电动势之和是完全等价的。本文通过实例证明,等价是有条件的。当回路中存在大块导体时,则不等价。     

一种低温漂BiCMOS带隙基准电压源的设计

文章介绍了一种低温漂的BiCMOS带隙基准电压源.基于特许半导体(Chartered)0.35 μm BiCMOS工艺,采用Brokaw带隙基准电压源结构,通过一级温度补偿技术,设计得到了一种在-40℃到 85℃的温度变化范围内温度系数为15.2×10-6/℃,输出电压为2.5 V±0.002 V的带隙基准电压源电路.±20%的电源电压变化情况下,输出电压变化为2.2 mV,电源电压抑制比为60 dB.5 V电源电压下功耗为1.19 mW.具有良好的电源抑制能力.     

三输入异步电路控制单元的设计实现

提出了一种新型多输入异步电路控制单元的设计方案,分析了电路的工作原理,基于0.6 μm的标准CMOS工艺实现了该电路的管级电路设计,介绍了如何根据具体应用要求调节电路参数.最后,针对不同的负载和延时情况给出了HSPICE 的仿真数据和对比曲线.仿真结果表明,该单元的最高工作频率可以达到约1.8 GHz.     

一种改进的片内ESD保护电路仿真设计方法

对现有的片内ESD保护电路仿真设计方法进行了改进,使之适用于深亚微米工艺.文中设计了新的激励电路以简化仿真电路模型;增加了栅氧化层击穿这一失效判据;使用能量平衡方程描述深亚微米MOSFET的非本地输运,并对碰撞离化模型进行了修正;使用蒙特卡罗仿真得到新的电子能量驰豫时间随电子能量变化的经验模型.最后使用文中改进的仿真设计方法对一个ESD保护电路进行了设计和验证,测试结果符合设计要求.     

新型阶梯变掺杂SiC漂移阶跃恢复二极管

漂移阶跃恢复二极管(DSRD)一般应用于超宽带脉冲信号源,可以将纳秒级高压脉冲换向负载,这对于输出脉冲的上升前沿有很高的要求.文章提出了一种具有基区变掺杂的新型宽禁带材料漂移阶跃恢复二极管,将传统的基区掺杂变为阶梯式的浓度分布,基区内形成由浓度差导致的内建电场,该内建电场在DSRD放电回路反向泵浦阶段调节载流子分布,并...