High-speed low-power voltage-programmed driving scheme for AMOLED displays

A new voltage-programmed driving scheme named the mixed parallel addressing scheme is presented for AMOLED displays, in which one compensation interval can be divided into the first compensation frame and the consequent N-1 post-compensation frames without periods of initialization and threshold voltage detection. The proposed driving scheme has the advantages of both high speed and low driving power due to the mixture of the pipeline technology and the threshold voltage one-time detection technology. Corresponding to the proposed driving scheme, we also propose a new voltage-programmed compensation pixel circuit, which consists of five TFTs and two capacitors(5T2C). In-Zn-O thin-film transistors(IZO TFTs) are used to build the proposed 5T2C pixel circuit. It is shown that the non-uniformity of the proposed pixel circuit is considerably reduced compared with that of the conventional 2T1C pixel circuit. The number of frames(N) preserved in the proposed driving scheme are measured and can be up to 35 with the variation of the OLED current remaining in an acceptable range. Moreover, the proposed voltage-programmed driving scheme can be more valuable for an AMOLED display with high resolution, and may also be applied to other compensation pixel circuits.     

LC移相电路在调频和鉴频中的应用与仿真

由LC回路构成的移相电路具有调节输入输出信号之间的相位关系的作用,在通信电路中有广泛的应用。为深入研究LC移相电路的应用原理,论文推导了LC移相电路的传递函数,分析相移与电路参数的关系,讨论移相电路在间接调频和正交鉴频电路中的作用。利用Multisim仿真软件分别对调频和鉴频电路进行了仿真实验并验证理论分析结果,在通信电路课程学习中有助于学生加深对这部分知识的理解和掌握,提高应用能力。     

霍尔传感器零位特性及补偿方法研究

针对霍尔传感器自身固有的零位特性,对其产生的零位误差进行分类和深入分析,零位误差的种类是多样的,构成的因素也各不相同,只有对其影响实施有效遏制才能保证测试的精度,零位误差是其自身所不能克服的。通过对各类误差的成因、特点及影响的全面剖析,依据各自的特点,制定了相应的应对措施,针对不同类型的零位误差,提出了具体的电路补偿方案。各项补偿方法简单实用,易于实施,可以有效控制零位误差对测试的影响,保证了霍尔传感器在较高测试精度要求下仍然能够正常工作,获得了满意的补偿效果。     

微波、毫米波GaN HEMT与MMIC的新进展

综述了近几年微波、毫米波氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)与单片微波集成电路(MMIC)在高效率、宽频带、高功率和先进热管理等方面的应用创新进展.介绍了基于GaN HEMT器件所具有的高功率密度和高击穿电压,采用波形工程原理设计的各类开关模式的高效率功率放大器,以及基于GaN HEMT器件的高功率密度、高阻抗的特点与先进的宽带拓扑电路和功率合成技术相结合的宽频带和高功率放大器.详细介绍了微波高端和毫米波段的高效率、宽频带和高功率放大器,多功能电路和多功能集成的GaN MMIC.最后阐述了由于GaN HEMT的功率密度是其他半导体器件的数倍,其先进热管理的创新研究也成为热点.     

ESEI能量回收接口电路的设计与仿真

具有较大回收功率且回收功率不随负载变化是设计基于压电效应的能量回收接口电路需要考虑的主要因素,标准接口、SECE、串联SSHI、并联SSHI是常用的四种接口电路,其中SECE接口电路的回收功率与负载无关,基于此提出了一种新的压电能量回收接口电路——ESEI(Enhanced Synchronous Charge Extraction and Inversion Interface)接口电路,分析计算了该接口电路在恒定激振位移下的回收功率,并利用电子仿真软件Multisim对ESEI和四种接口电路的回收功率进行了仿真和比较。结果表明当负载大于临界值时,ESEI接口电路的回收功率达到最大值且与负载没有关系,该最大回收功率值约为SECE接口电路的4倍,仅小于并联SSHI接口电路。     

220 GHz折叠波导慢波结构的有损参数化模型

建立了自洽的考虑波导璧损耗的折叠波导等效电路模型,用来计算该慢波结构周期TE10模式中各次空间谐波的相速度,耦合阻抗和线衰减系数.分析结果将会用到220 GHz折叠波导返波管一维束波互作用模型的计算中.当微波频率上升到太赫兹波段时,粗糙波导表面电流导致的壁损将不能再忽略不计.进一步研究表明,起振电流和输出功率水平将和损耗特性的计算密切相关.从原有模型发展而来的有损电路模型可以给出更准确损耗估计.建立了折叠波导慢波线三维谐振腔模型来验证本文的等效电路理论,有较好的吻合.采用了该理论导出参数的一维束波互作用模型和三维数值PIC方法同样有很好的一致性.     

印刷带状偶极子天线与经典三维柱状偶极子天线的等效理论研究

相对于传统的柱状偶极子,印制偶极子天线更适合应用于现代通讯系统.本文通过引入边缘场效应,对传统的基于感应电动势法的柱状电偶极子辐射阻抗公式进行修正,并在此基础上将其推广至印制偶极子天线中.此外,本文还采用合成渐进法,基于物理概念,推导出平面偶极子天线的谐振频率及谐振频率处辐射电阻的两个计算机辅助计算公式.数值计算及验证表明,两个公式的精度均在2%以内,可以用于指导工程设计.     

一种抑制关态漏电流和提高亮度稳定性的OLED微显示像素电路研究

OLED微显示像素驱动电路中,由于较小的存储电容和开关MOS管关态漏电流的影响,导致其存储电压和亮度不稳定.通过分析影响关态漏电流的主要因素,提出了一种多开关管串联和存储电容拆分相结合的办法以减小关态漏电流,并设计了一种含有两个开关管和两个存储电容的像素电路,该电路将关态漏电流由大于3 pA减小为0.4pA,存储电压和亮度稳定性得到了很大的改善,小亮度时一帧的亮度变化仅为0.18 cd/m2.电路可实现的最小OLED驱动电流为25 pA,像素亮度范围为1.82～217.37 cd/m2.     

微测辐射热计阵列读出电路的单片集成设计

微测辐射热计阵列读出电路的单芯片集成,有利于红外焦平面阵列的智能化和红外成像系统的便携化发展.提出了一种非致冷红外焦平面阵列读出电路,基于SMIC 0.18 μmCMOS工艺,采用CTIA型单元读出电路结构,实现了偏置模块、驱动信号源模块、电流积分模块、相关双采样模块(CDS)和缓冲输出模块的单芯片集成,成功制造了1×8读出电路原型.仿真结果表明,设计的读出电路的线性度大于99％,功耗小于5 mW,适合于大面阵移植.     

光传送网络成帧器设计

针对超高速率的光传送网络(Optical Transport Network,OTN)数据信号,在研究光传送网络帧结构的基础上,提出了一种适合高速率、大位宽的成帧器处理电路,将48比特的FAS信号分为两部分进行比较,第一部分为64个24比特比较器,第二部分为一个24比特比较器。将电路的规模降低了一半,提高了电路的处理速率。通过软件仿真后,使用综合工具综合的结果显示,电路处理速率可达到235.74MHz。