ZnO压敏陶瓷最佳掺杂含量的理论计算

从对电子薄膜材料研究中得到的最佳掺杂含量定量理论推广到ZnO陶瓷材料。该理论建立了电子薄膜材料的某一物理性能与晶体结构、制备方法和掺杂剂含量之间的联系，给出了一个能够拟合实验曲线的具有确定物理意义的抛物线方程。该方程的极值点确定了最佳掺杂含量与晶体结构和制备方法之间的定量关系，进而得到了一个掺杂最佳含量的表达式。系统地分析了ZnO压敏陶瓷的掺杂改性的实验结果，应用此表达式定量计算了ZnO压敏陶瓷的最佳掺杂含量，定量计算的结果与实验数据相符合。该理论也适用于其他薄膜材料最佳掺杂含量的理论计算。     

p+209Bi核反应微观数据的理论计算

利用光学模型、激光模型、蒸发模型及扭曲波玻恩近似理论,对入射能量从阈能到300MeV,p+²⁰⁹Bi的中子反应截面、剩余核截面、出射粒子的多重数进行了理论计算及分析,并将计算结果与实验数据进行了比较.同时得到一组能量到50?0MeV与实验数据符合很好的光学势参数.     

On the construction of samples for testing approximate optimization methods for estimate calculation algorithms

To validate approximate optimization schemes for estimate calculation algorithms (ECAs), it is necessary to compute the optimal height, which cannot be done in a reasonable amount of time. A variety of samples are built for which the optimal height of the ECAs is known by construction.     

用三个关系式与Mathematica软件求第二类自然数幂和公式

首先介绍三个第二类自然数幂和关系式并对其中的两式给出证明,接着利用这些关系式与数学软件M athem atica4.0,给出求解第二类自然数幂和公式的若干机械计算方法.     

关于非平行板电容器电容计算的讨论

用串联方法计算非平行板电容器的电容，简便地得到与其他方法相同的结果。     

燃煤烟气中As、Se、Pb的形态分布及S、Cl元素对其形态分布的影响

基于化学热力学平衡分析方法，计算分析了燃煤烟气中重金属As、Se、Pb的形态分布规律，研究了S、Cl等元素对As、Se、Pb的形态分布规律的影响。结果表明，氧化性气氛下，As以As₂O₅、As₄O₆、AsO等氧化物的形式存在；Se主要以SeO₂形式存在；Pb在1000 K以下主要是固态PbSO₄，1200 K以上为气态PbO。还原性气氛下，As在较低温度时为固态As₂S₂，900-1400 K以As₂、AsS、AsN气体共存，2000 K以上全部转化为气态AsO。Se在1100 K以下主要以气态H₂Se存在，1100 K开始生成SeS和Se₂气体，1800 K时主要是气态Se和少量气态SeO；Pb在中低温时主要是PbS，1800 K以上气态Pb为主要存在形态。S在还原性气氛下增大了AsS（g）、PbS（g）、SeS（g）的比例，氧化性气氛下对As、Se、Pb形态分布基本无影响；Cl无论在氧化还是还原气氛下对As、Se影响均较小，但对Pb的形态分布影响较大。     

用改进嵌入原子法计算Cu晶体的表面能

用改进嵌入原子法(MEAM)计算了Cu晶体12个晶面的表面能.结果表明，密排面(111)的表面能最小.其他晶面的表面能随其晶面与(111)晶面夹角的增加而增加，据此可以粗略地估计各晶面表面能的相对大小.给出的几何结构因子的确定方法及结果可以直接用于计算其他面心立方晶体的表面能及其他特性.在Cu,Ag等面心立方薄膜中出现(111)择优取向或织构的机理是表面能的最小化. 关键词： 改进嵌入原子法 铜 表面能 计算     

多极化目标特性测量雷达跟踪接收机的设计与性能分析

基于多极化目标特性测量雷达的设计，结合实际应用，给出了多极化目标特性测量雷达跟踪接收机的设计与工程实现，并对影响跟踪精度的因素进行了分析。     

Study of local lattice relaxation of substitutional impurities in silicon and germanium

Local lattice relaxation of substitutional donors in silicon investigated using self‐consistent multiple scattering Xα (MSXα) method within the framework of the standard muffin‐tin potential approximation is extended to substitutional donors in germanium and substitutional acceptors in both silicon and germanium. Incorporating the effect of lattice relaxation surrounding the impurity makes the model suitable for both shallow and deep levels. Chemical trends of some aspects of impurity states, such as local lattice relaxation and charge transfer, of the impurities both in silicon and germanium are inferred. © 2004 Wiley Periodicals, Inc. Int J Quantum Chem, 2004     

Runge–Kutta interpolants for high precision computations

Runge–Kutta (RK) pairs furnish approximations of the solution of an initial value problem at discrete points in the interval of integration. Many techniques for enriching these methods with continuous approximations have been proposed. Here we construct C ¹ continuous, eighth and ninth order interpolation methods for a recently appeared RK pair of orders 9(8). These interpolants share a very small leading truncation error making them suitable for use at quadruple precision, i.e. 32–33 decimal digits of accuracy. Extended numerical results justify our effort.