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61.
小样本条件下供电系统故障快速诊断是保证城市轨道交通安全稳定运行的保证.文中提出了一种基于量子粒子群优化最小二乘支持向量机(LSSVM)的供电系统故障诊断方法.该方法首先基于主成分分析提取能够表征系统运行状态的特征参数,并降低数据维数.然后利用LSSVM构建小样本故障诊断模型,通过量子粒子群算法对LSSVM模型参数进行优... 相似文献
62.
稳定大功率单频输出He-Ne激光器的新进展 总被引:1,自引:0,他引:1
继文献[1~3]之后,为了提高输出功率,并消除放电毛细管不规则带来的腔损耗,作者研磨了放电毛细管的内壁,将输出功率进一步提高到24mW。此时激光器的主要结构参数为:腔长1140mm,放电管长1m,放电管内径2.48mm;采用平凹腔结构,凹面曲率半径为4m, 相似文献
63.
在28 nm低功耗工艺平台开发过程中,对1.26 V测试条件下出现的SRAM双比特失效问题进行了电性能失效模式分析及物性平面和物性断面分析.指出失效比特右侧位线接触孔底部空洞为SRAM制程上的缺陷所导致.并通过元素成分分析确定接触孔底部钨(W)的缺失,接触孔底部外围粘结阻挡层的氮化钛(TiN)填充完整.结合SRAM写操作的原理从电阻分压的机理上解释了较高压下双比特失效,1.05 V常压下单比特不稳定失效,0.84 V低电压下失效比特却通过测试的原因.1.26 V电压下容易发生的双比特失效是一种很特殊的SRAM失效,其分析过程及结论在集成电路制造行业尤其是对先进工艺制程研发过程具有较好的参考价值. 相似文献
64.
构建了一个半径为0.05μm的圆柱体,用于模拟单粒子辐射功率VDMOS器件的粒子径迹,且圆柱体内新生电子和新生空穴的数目沿圆柱体的半径方向呈高斯分布。考虑到功率VDMOS器件的SEB效应与寄生NPN具有直接关系,提出了一种畸变NPN模型,并通过合理假设,推导出功率VDMOS器件在单粒子辐射下安全漏源偏置电压的解析式。结果表明,使用解析式计算得到的SEB阈值与TCAD仿真结果吻合较好。该模型可被广泛用于功率VDMOS器件SEB效应的分析和评价,为抗辐射功率VDMOS器件的选型及评价提供了一种简单和廉价的方法。 相似文献
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66.
67.
针对某密闭电源机柜的热设计要求,采用局部水风换热器循环风冷和冷板表面器件散热相结合的设计思路,以UG三维软件进行整体结构布局设计,再利用UG高级热流仿真模块进行热散耗功率仿真,从而较好地解决了电源机柜的变压器和隔离栅双极晶体管(IGBT)等重要器件的散热问题。整个方案具有设计合理、紧凑、可靠性高等特点。最后通过试验,验证了整个机柜热设计的合理性。 相似文献
68.
69.
本文通过对目前广泛使用的三电平及多电平级联高压变频控制方案技术特点的对比论述,介绍了一种新型高压大容量变频器控制方案,并对该方案的优越性作了介绍。 相似文献
70.