钛酸锶晶体的光致介电常数激增以及超顺电大极化子理论

钙钛矿类化合物钛酸锶具有明显的光致介电增长的性质,这是由于被光激发至Ti⁴⁺的3d能带上的电子具有良好的巡游特性,为了进一步揭示光致介电增长的微观机理,这里假设巡游电子同时与两类声子发生耦合作用,一方面,电子与A_1g模式的晶格呼吸子发生强相互作用,另一方面,电子还与T_1u模式的非简谐声子具有相对较弱的耦合.通过变分法计算可得,这种复杂的电声耦合作用在晶体中形成两种极化子:自陷极化子和超顺电大极化子.正是由于超顺电大极化子的形成,导致了光致介电激增的现象.     

磁场中多原子极性晶体中体极化子的基态能量

研究磁场中多原子极性晶体中体极化子的性质,采用线性组合算符法,分别导出强,弱耦合情形下体极化子的基态能量。     

分数维方法研究GaAs薄膜中的极化子

本文采用分数维方法, 在讨论Al_0.3Ga_0.7As衬底上GaAs薄膜的分数维基础上, 计算了GaAs薄膜中的极化子结合能和有效质量. 随着薄膜厚度的增加, 极化子结合能和质量变化单调地减小. 当薄膜厚度L_w<70 Å并且衬底厚度L_b<200 Å时, 衬底厚度的变化对薄膜中极化子的结合能和质量变化的影响比较显著, 随着衬底厚度的增加, 薄膜中极化子的结合能和质量变化逐渐变大; 当薄膜厚度L_w>70 Å或者衬底厚度L_b>200 Å时, 衬底厚度的变化对薄膜中极化子的结合能和质量变化的影响不显著. 研究结果为GaAs薄膜电子和光电子器件的研究和应用提供参考. 关键词： 分数维方法 GaAs薄膜 极化子 低维异质结构     

声子色散和磁场对极性晶体中极化子自陷能的影响

利用线性组合算符和幺正变换相结合的方法,研究了声子色散和磁场对极性晶体中极化子振动频率和自陷能的影响.计及纵光学(LO)声子色散,在抛物近似下导出了极性晶体中极化子自陷能随电子-纵光学声子耦合常数、回旋共振频率和声子色散系数之间的变化关系.数值计算结果表明极化子自陷能随电子-纵光学声子耦合常数、回旋共振频率和声子色散系数的增大而增大.     

Charge transport in poly(methylphenylsilane): The case for superimposed disorder and polaron effects

Careful analysis of the temperature dependence of the hole mobility in poly (methylphenylsilane) indicates that the functional dependence is between an Arrhenius law and a ln μ ∝ T^?2 law as predicted by a model of disorder-controlled hopping. This is attributed to the superposition of disorder and polaron effects. A method is presented for separating the two contributions. The evolution of time-of-flight photocurrent transients with decreasing temperature is consistent with the disorder parameter derived from the temperature dependence of the mobility. © 1994 John Wiley & Sons, Inc.     

On Exciton Decoherence in Quantum Dots

The effects resulting due to dressing of an exciton with phonons are analyzed as the source of unavoidable decoherence of orbital degrees of freedom in quantum dots. The dressing with longitudinal optical phonons results in energetic shift of order of a few meV even of the ground state of exciton in a state-of-the-art InAs/GaAs dot and the mediating role of longitudinal acoustical phonons is essential in this process. The characteristic time needed for dressing of the exciton with optical phonons is of a picosecond order. That time can be regarded as the lower limit for decoherence for optically driven quantum gates employing self-assembled quantum dot structures.     

极化子荧光及其断层扫描对Ti:LiNbO3光波导表征研究

小极化子(Nb⁴⁺_Li)荧光处于700—950 nm谱段，对不同化学还原程度同组分的纯铌酸锂晶体的研究表明荧光的强度反映了化学还原程度的强弱.从小极化子浅层能级出发，提出以“1中心3级态跃迁”来描述小极化子的受激荧光过程.钛扩散铌酸锂光波导(Ti：LiNbO₃)表面还原程度的均匀性可能在波导制造的热扩散过程中被破坏.在对铌酸锂波导表面、深部的扫描结果中，荧光的强度呈现出表面与深部、波导内与外的差异，表面的强度是深部的6—8倍.研究表明，利用非损伤性的极化子荧光谱，对加工过程热处理进行检控是非常有效的.同时，波导内与外的荧光强度差异间接反映了波导的横切面的外形.     

Electron–phonon effect on the ground-state binding energy of hydrogenic impurity in quantum-well wire in presence of an electric field

The hydrogenic impurity binding energy in rectangular quantum well wire including both barriers of finite height and an applied electric field are studied. The polaron effects on the ground-state binding energy in electric field are investigated by means of Landau-Pekar variation technique. The results for the binding energy as well as polaronic correction are obtained as a function of the size of the wire, the applied electric field and the position of the impurity. Our calculations are compared with previous results in quantum wires of comparable dimensions.     

声子之间相互作用和库仑势对量子点中束缚极化子性质的影响

研究了库仑场中抛物量子点中束缚极化子的性质.采用线性组合算符和微扰法,导出了量子点中束缚极化子的基态能量.在计及电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声子之间的相互作用下,研究了其对量子点中束缚极化子的基态能量的影响.数值计算表明:当考虑声子之间的相互作用时,量子点中束缚极化子的基态能量随量子点的有效受限长度的减小而迅速增大.当l0＞1.0时,必须考虑声子之间的相互作用对基态能量的影响.     

量子棒中强耦合杂质束缚极化子的振动频率

给出了具有椭球边界量子棒经坐标变换成球形边界的哈密顿量。采用线性组合算符和幺正变换的方法研究了在非均匀抛物限制势下量子棒中强耦合杂质束缚极化子的性质。导出了量子棒中强耦合杂质束缚极化子的振动频率和声子平均数随库仑束缚势、电子-声子耦合强度、椭球的纵横比和量子棒的横向和纵向有效受限长度的变化关系。数值计算结果表明:振动频率和声子平均数随电子-声子耦合强度和库仑束缚势的增强而增加,随量子棒的横向和纵向有效受限长度和椭球的纵横比的减小而增大。表现出量子棒的奇特的量子尺寸限制效应。