离子注入浅结制备技术

根据近年来的文献资料总结报道几种离子注入浅结制备技术，即：大角度偏转注入、分子离子注入、双离子注入，通过介质掩膜注入，注入固体源驱入扩散再分布、等离子体浸没离子注入（ＰＩＩＩ）和反冲离子注入等。     

Nb超导量子结中AlOx—Al厚度对其特性的影响

通过阳极氧化电压谱图（ＡＶＳ），Ｉ－Ｖ特性和Ｆｉｓｋｅ台阶电压测量，我们研究了Ｎｂ超导量子结构中ＡｌＯｘ－Ａｌ厚度对其特性的影响。发现ＡＶＳ中ＡｌＯｘ－Ａｌ与Ｎｂ电极之间的界面陡度和Ｉ－Ｖ特性取决于ＡｌＯｘ－Ａｌ厚度，Ｎｂ｜ＡｌＯｘ－Ａｌ｜Ｎｂ结的最小最佳沉积Ａｌ层厚度为７ｎｍ。     

双频段应用的毫米波倍频一放大器组件

本文介绍用变阻模式肖特基二极管制作的宽频带倍频器和由Ｋａ波段ＧａＡｓＭＭＩＣ放大器芯片组成的倍频一放大器混合集成组件，输出功率可达２０ｄＢｍ。     

高速InGaAs HBT器件和电路

本文综述了ＩｎＧａＡｓＨＢＴ技术在高速电子电路中的应用，讨论了对集成电路有重要意义的Ａｌ０．４８Ｉｎ０．５２Ａｓ／Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ和ＩｎＰ／Ｉｎ０．５３Ｃａ０．４７Ａｓ两类异质结系统的性质。最后，给出了光通信中应用高速和低电源电压集成电路的实例。     

展望氮化镓器件的光辉未来

由于日本日亚化学公司S．Nakamura1997年演示的连续波二极管激光器的外推寿命达到了10000h，氨化镓（GaN）研究人员将会记住这一年。同年的材料研究协会（MRS）秋季会议（1997年12月1～5日在波士顿举行）也因此及时地给Nakamura的GaN发光二极管商业化成就授予了材料研究协会奖，并且很快把二极管激光器包括到“GaN二极管激光器的工业应用”辅导会议中。该辅导包括三个专家讲演的特邀论题，即印刷、光记录和显示业，由此地激起了GaN激光器对这些领域未来影响的设想。加州施乐帕罗·阿尔多研究中心的R．Bringans评述了印刷业和它转移到…     

SPP在薄膜MIM隧道结发光中的作用

本文用spp(surface-plasmon-polariton)的色散关系的量子力学表示式,讨论了薄膜MIM隧道结的起始发光电压(阈值电压);描述了几种系统MIM结的I-V特性曲线、发射光谱特性曲线,负阻效应及稀土元素的作用.     

Ga1-xInxAs/InAsyP1-y/InP异质结的MOCVD生长及表征

Ga1-xInxAs(x>0.53)材料是未来长距离低损耗光纤通信的理想光源材料和探测器材料之一.我们采用水平常压MOCVD系统,在InP衬底上成功地生长了Ga1-xInxAs(x>0.53)/InAsyP1-y/Inp异质结材料.其中InAs1-yPy为组份阶梯变化的多层结构.由样品的(400)面X光衍射结果测定了各层组份.由二次离子质谱(SIMS)得到了样品剖面组份变化结果,证明InAs1-yPy层组份为阶梯状变化的.通过对光致发光结果和X光衍射结果比较,可以看到,InAsyP1-y层通过位错和弹性畸变二种方式来释放或积累Ga1-xInxAs与InP间的失配应力,从而减少了Ga1-xInxAs中的失配位错.有效地改善了Ga1-xInxAs的质量.已获得了x高达0.94表面光亮的Ga1-xInxAs/InAs1-yPy/InP异质结材料.     

数字万用表二极管挡使用技巧(三)

<正> 6.硅桥式整流器性能鉴别 硅桥式整流器具有体积小,使用方便等特点,在家用电器和工业电子技术中应用广泛。常用的小功率硅桥有全桥和半桥之分。全桥是将四只硅整流二极管接成桥路的形式(见图3),如QL52～QL61系列、PM104M、BR300系列等。半桥有三种结构:一种是将两只二极管顺向串联,在结点处引出一极(如2CQ1型),见图4;另一种是将两只二极管背靠背式反极性联接(称共阴式,如2CQ2型),见图5;第三种是将两只二极管头碰头式反极性联接(称共阳