首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   5872篇
  免费   1575篇
  国内免费   1447篇
化学   721篇
晶体学   108篇
力学   62篇
综合类   48篇
数学   53篇
物理学   2161篇
无线电   5741篇
  2024年   61篇
  2023年   195篇
  2022年   262篇
  2021年   248篇
  2020年   118篇
  2019年   199篇
  2018年   158篇
  2017年   174篇
  2016年   191篇
  2015年   234篇
  2014年   508篇
  2013年   334篇
  2012年   362篇
  2011年   381篇
  2010年   362篇
  2009年   404篇
  2008年   431篇
  2007年   412篇
  2006年   435篇
  2005年   440篇
  2004年   344篇
  2003年   312篇
  2002年   246篇
  2001年   254篇
  2000年   190篇
  1999年   186篇
  1998年   140篇
  1997年   156篇
  1996年   141篇
  1995年   152篇
  1994年   179篇
  1993年   144篇
  1992年   122篇
  1991年   132篇
  1990年   111篇
  1989年   127篇
  1988年   25篇
  1987年   7篇
  1985年   9篇
  1984年   1篇
  1981年   4篇
  1980年   2篇
  1975年   1篇
排序方式: 共有8894条查询结果,搜索用时 15 毫秒
71.
提出了一种基于二次布局的结合MFFC结群和hMETIS划分的算法.实验表明:这种方法能得到很好的布局结果,但是运行消耗的时间比较长.为了缩短划分在二次布局中运行的时间,提出了一种改进的结群算法IMFFC,用它在二次布局中做划分.与前者相比较,这种方法虽然布局质量稍差,但速度更快.  相似文献   
72.
由于高功率二极管激光器近来成本不断降低,采用激光的选择性焊接在微型互连上的应用越来越广泛。  相似文献   
73.
研究了源区浅结的不对称SOI MOSFET对浮体效应的改善,模拟了总剂量、抗单粒子事件(SEU)、瞬时辐照效应以及源区深度对抗辐照性能的影响.这种结构器件的背沟道抗总剂量能力比传统器件有显著提高,并且随着源区深度的减小,抗总剂量辐照的能力不断加强.体接触不对称结构的抗SEU和瞬时辐照能力优于无体接触结构和传统结构器件,这与体接触对浮体效应的抑制和寄生npn双极晶体管电流增益的下降有关.  相似文献   
74.
随着TFT显示技术的发展,TFT产品迅速进入商品化阶段。由TFT技术产生的衍生品,如TFT Monitor,TFT TV已在不少领域代替传统CRT产品。TFT产品主电源要求一般有以下几种:+5V/2.3A(15英寸)2.7A(17英寸),辅电源要求为+3.3V/800mA,+2.5V/400mA,背光部分输出功率为8~12W,TV turner要求为+5V/80mA。因为背光冷阴极驱动,故启动电压要求达1.3kV以上,灯管点亮后维持电压在450V左右。一般Monitor的输入电源往往采用12V Adapter,且因TFT产品往往外形轻便,厚度较薄,要求供电部分产生的热量要少(效率要高),体积要小,故TFT Monitor/TV的供电要求有其一定的特殊性,需要有针对该要求的供电方案。  相似文献   
75.
《今日电子》2004,(5):65-65
移动导航设备、可拍照手机、汽车防盗系统等,都是当前产业的发展趋势。系统设计方面的主要目标是设计可充电电池的多功能移动装置,以及满足汽车产业对降低成本、节省能源、缩小体积与重量等方面要求的产品。为此,利浦半导体研发MEGA发Schottky二极管(Maximum Efficiency General Application),拱配改良型分离式“Low VCESAT(BISS)晶体管  相似文献   
76.
本文对轴对称场二极管区电子运动所遵循的近似轨迹方程进行数值求解,以此做为设计相对论二极管电子枪的依据,与实验结果相比较,符合较好。  相似文献   
77.
The current-voltage characteristics of Ti/n-GaAs Schottky diodes measured over a temperature range of 78-299K have been interpreted on the basis of thermionic emission across an inhomogeneous Schottky contact.The experiment shows that the apparent barrier height (φap) increases from 0.437eV at 78K to 0.698eV at room temperature.the plot of φap versus 1/T does not exhibit a simple linear relationship over the whole temperature range,indicating that the barrier height distribution is more complicated than the frequently observed single Gaussian distribution.A new multi-Gaussian distribution model is developed.Our experimental results can be explained by a double Gaussian distribution of the barrier heights.The weight,the mean barrier height,and the standard deviation of the two Gaussian functions are 0.00001 and 0.99999,0.721 and 0.696,0.069 and 0.012eV,respectively.  相似文献   
78.
《中国物理快报》2002,19(7):1013-1015
By using n-butylamine as a carbon resource,carbon film is deposited on the p-n porous silicon (PS) surface with a radio-frequency glow discharge plasma system.Raman spectra and infrared reflection (IR) spectra of the carbon films indicate that there are amine-group and hydrogen atoms therein.The IR spectra of the passivated PS samples exhibit that the PS surfaces are mainly covered with Si-C,Si-N and Si-O bonds.Electroluminescence (EL) spectra show that the EL intensity of the passivated PS diodes increases greatly and the blueshift of the EL peak occurs compared with the diodes without treatment.Both of these are stable while the passivated diodes are exposed to the air indoors.The I-V characteristics reveal that the passivated diodes have a smaller series resistance and a lower onset voltage.The influence of the carbon film passivation on EL properties of PS has also been discussed.The results have proven that carbon film passivation is a good way to enhance the PS luminescent intensity and stability.  相似文献   
79.
 分析了脉冲线加速器在放电过程中产生的预脉冲电压现象。为了减少预脉冲电压引起的等离子体发射对正常状态的影响,采用了一种冷阴极撬棒管,将它与阴极杆相连。实验证明在采用了这种器件后,预脉冲电压可以从150kV左右减少到50kV。相对论返波管和相对论磁控管的性能得以显著改善。  相似文献   
80.
常唯 《光机电信息》1998,15(2):30-33
本刊上期曾报道了对非二极管激光器市场的调查,这一部分则是对二极管激光器市场的调查报道。1.概述二极管激光器(即半导体激光器)是一种应用广泛的技术,20世纪80年代音频CD机的出现使其首次得到重用。自此以后,其应用领域不断扩大。包括CD—ROM驱动器、激光印字机、可擦写光盘驱动器、条码扫描仪、光纤通讯等。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号