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51.
P^+—GexSi1—x/p—Si异质结红外探测器性能的提高 总被引:3,自引:0,他引:3
通过采用层叠结构、增加SiO2介质腔和铝反射镜、背面蒸镀SiO抗反射层等措施,使P^+-GexSi1-x/p-Si异质结内光发射红外探测器在77K下的性能提高到在不加偏置电压的条件下响应范围2 ̄8μm,D(5.5,1000,1)^*=1.1×10^10cmHz^1/2/W,量子效率可达4%。其Dp^*已达到实用的PtSi红外探测器的量级。另外,在器件的结构设计中,我们采用了一种改进的电极结构,以提 相似文献
52.
采用偏轴直流磁控溅射原位生长YBa2Cu3O7-δ高温超导薄膜,以H3PO4为腐蚀液,采用化学湿刻工艺制作YBa2Cu3O7-δ高温超导薄膜微桥,微桥长10μm,宽5μm,在8mm微波源的辐照下,除观察到整数常压台阶外,还观察到n=1/2,1/5,6/5,9/5等分数常压台阶,分数台阶的高度随微波功率的变化较整数台阶更敏感。 相似文献
53.
54.
本文首先介绍了主要由扫描电路,光电二极管和读出电路构成的接触式图像传感器的结构,接着描述了其具体的制作工艺及制作过程中的应力问题,随后讨论了光电二极管,扫描电路和传感器的特性,最后指出了接触式图像传感器在传真机方面的应用及向面阵方向发展的前景。 相似文献
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59.
设计并研制成功适合人的眼睛安全测距应用的InGaAs雪崩光电二极管(APD)。器件直径为200μm,工作在21℃,1540nm波长时响应为0.64A/W,典型暗电流和噪声因子分别为30nA和6.5。介绍了该器件的工作原理,设计和制作工艺。 相似文献
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