多层梯度层InGaAs（P）InPSAGM雪崩光电二极管

本文报道采用液相外延（ＬＰＥ）生长和传统光刻制管工艺研制出引入多层（三层或三层以上）中间能带隙过渡的吸收区、倍增区分离的ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）／ＩｎＰ雪崩光电二极管（简称ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）／ＩｎＰＳＡＧＭＡＰＤ），其技术指标为：击穿电压ＶＢ＝４０～９０Ｖ；０．９ＶＢ时的暗电流Ｉｄ最小可小于１０ｎＡ；１．３μｍ时光响应度Ｒｅ＝０．６～０．８Ａ／Ｗ，倍增因子Ｍ≥２０（Ｍｍａｘ＞４０），过剩噪声因子Ｆ≌５和较宽频带响应特性。     

MIM隧道发光结的负阻现象

本文介绍了薄膜隧道发光结的基本结构、发光机理，阐述了其Ｉ－Ｖ特性中的负阻现象。简单介绍了ＭＩＭ结构负阻的几种解释，根据热像仪照片和低温测试结果分析，再结合Ｄｅａｒｍａｌｅｙ导电模型，我们提出了ＭＩＭ负阻的物理模型，理论与实验符合较好，最后分析了负阻现象的应用前景。     

940nm高功率激光二极管及线阵

设计并制作出了940 nm无铝有源区高功率激光二极管和激光条.通过MOCVD法生长出应变量子阱材料,器件显示出极好的性能,100μm条宽的激光二极管最大输出功率达800mW(室温),填充因子为17%的激光二极管条发射功率达32 W.     

侧面泵浦Nd∶YAG连续激光器

介绍了一种二极管侧面泵浦的Nd∶YAG连续激光器,采用了简单、实用的侧面泵浦结构,获得37.9W的连续1.064nm的激光输出,斜效率为31.5%,光效率为23.7%.     

MEMS移相器及其在微型通信系统中的应用

从传统移相器的构造和原理出发，进一步分析了MEMS移相器的结构、特性。结果表明，MEMS移相器具有传统移相器所无法比拟的体积小、损耗小、成本低、频带宽、易于集成等突出优点。随着高阻硅衬底在微波领域应用的扩展，MEMS移相器介质损耗大幅度降低，将能与信号处理电路一同集成于硅衬底上，便于相控阵雷达等通信系统实现微小型化。     

Effect of Ag Doping on Optical and Electrical Properties of ZnO Thin Films

ZnO thin films were prepared on p-type Si (100) substrates by the sol-gel process. The influence of Ag doping at a content of 0.002% on the photoluminescence and current-voltage (I - V) characteristics of ZnO thin films has been investigated. It is found that Ag doping leads to a pronounced increase in the intensity of near band edge emission at 3.23eV and a remarkable red shift of the visible broadband at room temperature. The I - V characteristics of ZnO/p-Si heterojunctions are also changed. These results could be explained by Ag substituting for Zn in Ag doped ZnO thin films.     

Diode-Pumped Self-Q-Switched Cr,Nd：YAG Laser with High Average Output Power

A diode end-pumped self-Q-switched Cr,Nd:YAG laser was established with pulse duration in the range of 8-10ns. The maximum average output power was 4.4 W and the slope efficiency was 27% using an output coupler of R=70%. At pumping power of 17.4 W the laser produces high-quality pulses at 1064 nm in a TEMoo-mode.     

双脉冲电子束源实验

2MeV直线感应加速器注入器系统由电子束产生器和脉冲功率系统组成。电子束产生器包括由感应腔组成的阴极电压叠加器、阳极电压叠加器和真空二极管及束输运系统。脉冲功率系统则包含初级功率源Marx、次级功率源Blumlein线和触发系统，其作用是为感应腔提供一个具有数十纳秒平顶宽度的高压脉冲，激发感应腔在感应腔间隙上获得一个加速电场。在2MeV注入器功率系统中，4个Blumlein线的充气开关是由发散装置的输出触发信号进行导通控制的。通过控制发散输出触发信号到达Blumlein线开关的时间，即可以实现Blumlein线开关在不同时间内触发导通，使Blumlein线依据所设定的时间顺序输出激励脉冲，从而在真空二极管上获得高压脉冲串。由于功率系统采用的是182C结构，即一根Blumlein线驱动两个感应腔，因此最多可以实现四脉冲串列。     

激光器市场回顾与展望二极管激光器

《光机电信息》于2002年第4期报道了“激光器市场回顾与展望；非二极管激光器”的分析报告，经过数月的资料收集和市场调查，本期推出“激光器市场回顾与展望：二极管激光器”的分析报告。该报告对各种应用的二极管激光器的市场进行了分析，所给结果具有普遍意义。