微型电磁继电器的制作和仿真分析

介绍了一种基于MEMS技术的微型电磁继电器的制作过程和仿真分析.这种微继电器的大小约是4mm×4mm×0.5mm,主要采用普通的微加工技术来完成全部制作工艺.与传统继电器相比,这种继电器采用平面线圈来代替螺线管线圈,有利于MEMS工艺,并且提出了一种双支撑的悬臂梁结构做为活动电极,具有较高的灵敏性和稳定性.另外,还进行了一些有关线圈通过激励电流后对活动电极产生电磁力的理论计算和仿真分析,利用这些结果可以对这种电磁继电器的结构和参数进一步优化.     

Gk^d图的平面性和平面图的色数

利用欧拉公式研究了Gdk图的平面性,获得了一个重要定理,并由此得到了关于平面图色数的一个结论.     

串列加速器头部电极改进方案

通过改变头部电极的局部形状来改善头部电场, 运用Poisson程序计算几种可能形状下表面电场的分布, 并以此给出最佳的改进方案.     

同步辐射x射线光刻制作深亚微米T形栅

x射线光刻非常适合用于深亚微米T形栅的制作,这是因为它的高分辨率、大的曝光视场和高的生产效率足以满足MMIC制造工艺的要求。本文中我们首先对我们的x射线掩模制造工艺进行介绍,然后论述了一种用于制造深亚微米T形栅的两层胶工艺,介绍了所取得的一些研究结果,最后对国内的深亚微米光刻现状进行了简要分析。     

Electrochemical and Spectroscopic Studies on the Interaction of Malachite Green with DNA and Its Application

The interaction of malachite green (MG) with double‐stranded DNA (dsDNA) in pH 7.0 Britton–Robinson (B–R) buffer solution was investigated by electrochemical and spectrophotometric methods. Within the potential scan range of ?1.0 to +1.5 V (vs. SCE), MG has two oxidative peaks at 0.547 V and 0.833 V and one reductive peak at 0.362 V on cyclic voltammogram at the scan rate of 0.20 V/s. After the addition of dsDNA into the MG solution, the oxidative peak current at 0.547 V decreases obviously. The electrochemical parameters, such as the charge transfer coefficient (α), the surface reaction rate constant (k_s) and the diffusion coefficient (D), were calculated and compared between in the absence and presence of dsDNA. The results show that these parameters of MG after adding dsDNA have greatly changed, which indicates that an electrochemical active complex was formed. The interaction mechanisms of MG with dsDNA are discussed in some details from the electrochemistry and UV‐vis spectrophotometry. The reduction of the peak current of MG after adding dsDNA was further used for the quantification of dsDNA by differential pulse voltammetry (DPV). The linear range for dsDNA is in the range of 10.0–100.0 μg/mL with the linear regression equation as Δi_p (μA)=0.065+0.0096 C (μg/mL) and the detection limit of 6.0 μg/mL (3σ). The influences of coexisting substances were investigated and artificial samples were determined with satisfactory results.     

现场拉曼光谱研究乙腈在金电极上的解离吸附行为

利用共焦显微拉曼系统、结合合适的电极表面粗糙方法研究了非水体系 0 1mol/LLiClO4 /CH3CN溶液中 ,乙腈分子在金表面的吸附和解离行为。结果表明非水体系中乙腈可在金表面发生还原反应 ,产物CN- 离子与电极表面作用形成的表面配合物可在较宽的电位区间吸附于电极表面。溶液中的微量水、激光照射以及电极电位均对该反应有较大的影响。通过拉曼谱图的比较得出乙腈分子解离出的CN- 在金电极表面比在银电极表面有更强的吸附作用。     

APDT-00三极放电管全自动打印机的研制

介绍了新近研制的APTD - 0 0三极放电管全自动打印机的结构特点及整机设计的关键技术 ,阐述了自动上料机构、打印机构和控制电路的设计     

椭圆波导FEM放大器的非线性特性研究

 以椭圆波导、平板摇摆器为FEM放大器的模型，导出了自洽的注波互作用三维非线性方程组。在此基础上编制了相应的程序。利用该程序分析了FEM放大器的饱和功率、效率以及带宽等高频特性。考虑了摇摆器渐变、空间电荷波、电子初始速度零散对高频特性的影响。     

0.18μm CMOS工艺栅极氧化膜可靠性的衬底和工艺依存性

用斜坡电压法(Voltage Ramp, V-ramp)评价了0.18μm双栅极 CMOS工艺栅极氧化膜击穿电量(Charge to Breakdown, Q_bd)和击穿电压(Voltage to Breakdown, V_bd). 研究结果表明，低压器件(1.8V)的栅极氧化膜(薄氧)p型衬底MOS电容和N型衬底电容的击穿电量值相差较小，而高压器件(3.3V)栅极氧化膜(厚氧)p衬底MOS电容和n衬底MOS电容的击穿电量值相差较大，击穿电压测试值也发现与击穿电量 关键词： 薄氧 可靠性 击穿电压 击穿电量     

�Թ�ŵ��������߻�����ż����C2��

在常温常压下采用新型旋转电极等离子体反应器，对辉光等离子体作用下的甲烷偶联反应制C2烃进行了研究。结果表明，甲烷偶联反应的主要产物为C2H2，占C2烃的80%以上，能量效率在5.6%～11.2%之间；增加H2含量可以提高CH4转化率和C2烃收率；在500～2200kJ•mol−1的能量密度范围内，CH4转化率随能量密度的增大而线性增加，C2烃收率随着能量密度的增加呈峰形变化趋势。