PIN二极管子电路模型与微波限幅研究

利用一种改进的PIN二极管子电路模型，通过Pspice软件瞬态仿真研究了PIN限幅器的平顶泄漏和高频限幅性能。利用该子电路对新型SiC材料PIN二极管建模仿真，仿真结果表明新型二极管可以提高限幅器的性能。     

一种可重构的高速流水线乘法器

本文针对在语音、视频等信号处理中出现的变速率信号处理,提出了一种新型的高速高效可重构流水线乘法器电路,并在0.25μm工艺条件下对电路进行了仿真.该电路通过控制流水级数处理变速信号,可有效地节约电路资源约34%,同时可保证频率达1.8GHz的高运算速度.     

关于滑动DFT算法中的频谱泄漏问题的探讨

针对滑动DFT算法中的频谱泄漏效应的处理问题,提出用频域加窗的办法,避免了时域加窗中窗与输入信号的N次相乘,破坏滑动DFT实时计算的简捷性、可靠性,保证了滑动DFT算法的实现与优化。在硬件实现上,用3个结构简单的谐振器,将其谐振频率分别调到3个相邻的DFT频率单元,即可实现此处理过程。     

洁净厂房用漏液检测报警系统简介

主要介绍用于洁净厂房内的漏液检测系统以及相关产品的功能、安装、报警处理等。     

动态调整出水温度的高效制冷方法研究

通过数学方法较为精确地建立了吸收式制冷机需满足负荷要求的数学模型,确立了蒸发器冷冻水出口温度与室外温度之间的关系式。进而建立了吸收式出水温度控制系统的动态特性模型,并采用并联程序法对水温控制系统进行仿真。     

高速转发引擎设计分析与实现

高速转发引擎是核心路由器设计中的重要难点和关键技术,基于FPGA技术,分析了高速转发引擎设计中的挑战,并给出了一种基于并行流水线机制的10Gbps转发引擎设计方案.     

基于双窗全相位FFT的激光多普勒频率提取与校正方法

针对于激光多普勒信号解算中存在的频谱泄露以及栅栏效应等问题,将性能更优异的汉宁自卷积窗(HSCW)以及全相位频谱分析(apFFT)运用于多普勒信号的短时傅里叶变换(STFT)中,并且通过双谱线法对所获得的频谱进行了校正。理论与仿真表明,双汉宁自卷积窗(HSCW)apFFT比传统apFFT更能抑制旁谱泄露,并且相对于传统FFT,双HSCW窗apFFT所提供的的频谱位置与幅值能够更好的满足双谱线校正法频率校正的要求。通过将该种算法应用于高冲击下加速度传感器的校准系统中,实测结果表明,其解算结果与标准传感器的加速度峰值误差在1 %左右。     

The effect of Ti:W barrier metal on characteristics of palladium-silicide Schottky barrier diodes

The values of diode-quality factor and reverse-current leakage of Au/Pd/Ti:W/Pd₂Si/nSi unguarded Schottky barrier diodes are much higher than expected from silicide/silicon junction-radius induced highfield effects. Experimental Ti-, W-, and Ti:W-MIS structures were built and tested to show that Ti is responsible for the formation of a parasitic Ti-MIS structure around the unguarded-diode perimeter. This parasitic structure is responsible for excessive current leakage and also for an additional unguarded-diode degradation induced by annealing at 400 °C.     

基于FPGA的高级数据加密AES中的字节替换设计

介绍AES中的字节替换算法原理并阐述基于FPGA的设计和实现。为了提高系统工作速度．在设计中应用了流水线技术。最后利用MAXPLUS—Ⅱ开发工具给出仿真结果，并分析了系统工作速度。     

室温下Sol-Gel法制备BiFeO3薄膜的铁电和介电性

采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法,在LaNiO3包覆的SiO2/Si衬底上采用不同退火工艺制备了BiFeO3薄膜。原子力显微镜研究表明,薄膜表面光滑,并由不同大小的晶粒组成。X-射线表明不同样品结晶程度不同,并根据不同的退火工艺分别呈(010)择优取向和随机取向。2种取向的薄膜的双剩余极化强度分别为2.84μC/cm2和2.56μC/cm2。择优取向的薄膜在低频下的介电常数和介电损耗较大,且其薄膜中观察到大漏电流。并对两薄膜的导电机制用空间电荷限制的电导理论进行了分析。