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51.
为了克服现有气体泄漏检测方法的不足,提出一种基于卷积神经网络的气体泄漏超声信号识别方法。在设计卷积神经网络网络结构时,通过多次预训练确定网络层数、卷积核数目和尺寸、全连接层神经元数目。同时,选择Inception模块平衡网络宽度和深度,防止过拟合的同时提高网络对尺度的适应性。通过输气管道泄漏实验平台模拟工况中常见的阀门泄漏和垫片泄漏,利用短时傅里叶变换进行时频图表征,在此基础上,建立二分类模型和不同泄漏类型的三分类模型。结果表明,相比二分类模型,不同泄漏类型的三分类模型识别准确率有所降低,添加Inception模块可以有效提高三分类模型的性能。 相似文献
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基于双流体模型,利用小扰动理论,提出了油气混输大跨越管道压力波速模型.利用计算机编程对其求解,通过大跨越管道油气混输实例,得到了以下结论:压力波速的变化受气相影响较大,即使少量气体也能在较大程度上影响压力波速,随混输气量增大,压力波速减小,压力响应时间延长;混输低点气体所承受的压力较混输高点大,从而低点处气相压缩系数小,混输低点较混输高点压力波速增大,压力响应时间相应缩短;在输运管道低点处,气体受到极大压缩,压力波速的变化不明显,几乎收敛于恒定值,在混输管道高点处压力波速变化剧烈. 相似文献
53.
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55.
可控硅是可控硅整流器的简称。它能在高电压、大电流条件下工作,具有耐压高、容量大、体积小等优点,它是大功率开关型半导体器件,广泛应用在电力、电子线路中。可控硅分单向可控硅、双向可控硅。单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。双向可控硅有第一阳极A1(T1),第二阳极A2(T2)、控制极G三个引出脚。触发电流IGT是可控硅的重要参数之一。可控硅根据触发电流IGT大小可分为很多档位,但实际根据触发电流IGT大小进行分档时,经常出现跳档现象。文章着重探讨单向可控硅YCR008触发电流IGT低档位(0.5~6)μA产品中有高档位(20~60)μA的产品跳档原因分析以及解决此问题的方案。 相似文献
56.
提出了一种应用于JPEG2000标准的4级流水线MQ编码器设计方案.采用状态超前更新,前导0位超前检测和字节输出缓冲策略,解决了在上下文(CX)状态表更新、归一化及字节输出过程中的反馈和循环等问题,提高了编码效率.同时,对关键路径处算法进行优化,提高了系统工作的时钟频率.该设计使用VHDL语言在RTL级描述,并在FPGA上对其进行了仿真验证.实验表明,在Altera的StratixⅡ EP2S601020C4上,编码器的工作效率可以达到1CxD/cycle,最高工作时钟频率可达99.66 MHz. 相似文献
57.
评定电器安全性能是否可靠过程中,最重要的一个参数是泄漏电流检测.一些现代电器产品和家用电器都需要较高的安全级别作为保障,因此,进行电器设备泄漏电流检测变得尤其重要.参考相关资料以及一些实践型的电器检验工作,本文将从电器设备泄漏电流检测的各个环节入手展开细致的研究,并总结经验. 相似文献
58.
本文主要通过介绍RD8000管线探测仪的原理、使用方法及在实际工作中的应用,总结RD8000管线探测仪的优点及不足,为电缆的路径探测提供参考。 相似文献
59.
SiC MESFET反向截止漏电流的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
给出了一种减小SiC MESFET栅漏反向截止漏电流的工艺方法,通过采用LPCVD淀积厚SiO2和高温氧化工艺,使器件的性能得到一定的提升.从实验数据看出,器件在S波段工作时,器件的反向截止漏电流大幅度下降,且分散性得到改善,其功率附加效率和功率增益也分别提高了10%和1.5 dB.该方法充分发挥了SiC材料能形成自身氧化层的优势,结合Si工艺的特点,减小了氧化层的缺陷,并在一定程度上减小了器件的寄生电容. 相似文献
60.
介绍了对闪光灯电容器在不同条件下进行老练工艺试验的结果,选择了合适的温度和电压条件,并采用时间间隙老练工艺,取得了满意的结果。 相似文献