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181.
为了改进传统电路中单端转差分电路的噪声性能,提高传统射频可变增益放大器的覆盖范围和步进精度,该文设计了一种带有低噪声单端转差分电路的射频增益可控放大器。该文利用噪声抵消技术降低了噪声系数,利用电容交叉耦合技术展宽电路带宽,利用输出源级跟随器的增益可调功能实现更高的步进精度。电路采用0.18 mm CMOS工艺,1.8 V供电电源,在170-870 MHz频率信号输入下,可以实现最低3.8 dB的噪声系数,55 dB的动态范围,步进精度0.8 dB,消耗14.76 mW的功耗,面积800 mm×600 mm。测试结果表明在覆盖更宽的频段范围下,该文设计的射频可变增益放大器在消耗相同功率条件下与传统的单端转差分电路相比可以达到更低的噪声系数,同时整个可变增益放大器可以提供更高的步进精度。 相似文献
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183.
184.
185.
186.
应用保角变换法、镜像法、耦合模理论和电光调制理论设计了一种推挽电极聚合物脊形波导定向耦合电光开关,阐述了基本结构和工作原理,给出了器件的设计和优化过程,主要分析了耦合长度、开关电压、输出光功率、插入损耗、串扰等特性.为了实现正常的开关功能,讨论了制作公差、波谱漂移以及单模光纤耦合损耗对器件性能的影响.模拟结果表明,所设计的开关的耦合长度为3082μm,开关电压为2.14V;插入损耗小于1.14dB,串扰小于-30dB.与BPM仿真结果以及实验结果的对比表明,文中提出的波导和电极的理论分析与计算方法具有较高的精度和可行性. 相似文献
187.
1~26.5GHz GaAs PIN单刀单掷开关单片 总被引:1,自引:0,他引:1
采用GaAs PIN二极管,完成1~26.5 GHz的单刀单掷开关单片的设计、制作。SPST开关单片带内插损小于0.5 dB,驻波优于1.1,隔离度大于27 dB,在10~26.5 GHz,隔离度大于37 dB。开关单片采用MOCVD生长的GaAs纵向PIN二极管材料结构,76 mm GaAs圆片工艺加工制作。 相似文献
188.
189.
In this paper, we present a spatial perturbation method to control the optical patterns in semiconductor microresonators in the far‐field configuration. We propose a fast all‐optical switch which operates at a low light level. The switching beam controls the behavior of output beams with strong intensities. The method has been applied successfully to different optical patterns such as rolls, squares, and hexagons. 相似文献
190.