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21.
分析了MOSFET误导通产生的原因,分别从原理和理论推导两个方面作了分析,主要考虑了开关管中寄生参数对开关特性的影响。通过求解误导通发生的条件,得到哪些参数会导致误触发,最后给出了仿真。文中还提出如何避免MOSFET误导通产生,以及改进方法,对减少实际应用中MOSFET破坏性损坏有一定意义。 相似文献
22.
23.
Navab SinghAuthor Vitae Moitreyee Mukherjee-RoyAuthor VitaeSohan Singh MehtaAuthor Vitae 《Microelectronics Journal》2003,34(4):237-245
The patterning of contact holes by selecting out-of-focus image plane (defocus) using attenuated phase shift masks (APSM) has been studied. Defocus is found to enhance the image modulation at low partial coherence for contact holes with negative local average of mask function. Semi-dense holes up to 130 nm in 8% APSM have been printed by 0.5 μm defocus at a partial coherence of 0.31 using KrF scanner with highest numerical aperture of 0.68. However, these holes were closed with in-focus imaging. Defocus is also found to be beneficial for patterning the pitches that have extensive side lobes with in-focus imaging. 相似文献
24.
在cdma20001x前向信道中,要对一段信号进行传送,一般选用QPSK调制,因为QPSK调制比QAM更适合噪音环境。采用TI6000系列的TMS320C6711芯片处理前向信道信号,可以对复杂性和实时性较高的信号做采集、量化、编码、调制等实时处理,主要功能通过软件编程实现,从而使系统具有结构灵活、可靠性高、可扩展等优点。 相似文献
25.
ZhaoYahong ZhangZhongpei WuWeiling 《电子科学学刊(英文版)》2003,20(3):177-182
Adaptive modulation and power allocation is introduced into the multicarrier DSCDMA system to improve the system performance and bandwidth efficiency.First,the system design appropriate for adaptive modulation and power allocation is given,then the algorithm of adaptive modulation and power allocation is applied.Simulation results demonstrate great performance improvement compared with the fixed modulated one. 相似文献
26.
机械力化学作用对低介硅灰石瓷料的相变和相组成的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
采用X射线衍射仪(XRD)、差热分析(DTA)手段详细研究了由氧化物粉末制备硅灰石陶瓷时,机械力化学作用及后续热处理对硅灰石陶瓷相组成和相变过程的影响,分析了机械力化学在球磨过程中的作用机理主要是细化晶粒、使晶格畸变、晶格缺陷增多、非晶化和诱导低温化学反应。结果表明:高能球磨中的机械力化学作用能够有效地降低硅灰石陶瓷的烧成温度(11160~11220℃)。探明了经高能球磨的样品在烧成过程中的晶相转变规律。瓷料最终的晶相为单一的-硅灰石(高温变体)。 相似文献
27.
28.
29.
C. Lavoie F. M. d Heurle C. Detavernier C. Cabral Jr. 《Microelectronic Engineering》2003,70(2-4):144-157
In this paper, we review some of the advantages and disadvantages of nickel silicide as a material for the electrical contacts to the source, drain and gate of current and future CMOS devices. We first present some of the limitations imposed on the current cobalt silicide process because of the constant scaling, of the introduction of new substrate geometries (i.e. thin silicon on insulator) and of the modifications to the substrate material (i.e. SiGe). We then discuss the advantages of NiSi and for each of the CoSi2 limitations, we point out why Ni is believed to be superior from the point of view of material properties, miscibility of phases and formation mechanisms. Discussion follows on the expected limitations of NiSi and some of the possible solutions to palliate these limitations. 相似文献
30.
在数据采集中采用带通采样,可大大降低采样率,但系统中的抗混叠滤波器会造成相位的非线性。采用对滤波后的信号进行带通采样,然后再用FRR滤波器校正相位的非线性,从而不失真地还原原信号,最后在Matlab中进行仿真,验证了该方法的有效性。 相似文献