用于波分复用系统的多峰干涉滤光片

介绍了用于波分复用系统的多峰干涉滤光片的设计原理,提出了滤光片透射峰位置的确定方法,讨论了影响滤光片半宽度和截止度的因素,给出了滤光片的膜厚容差分析结果,表明透射率监控标准偏差在<0.5%范围内,可以得到波形良好的多峰滤光片,最后给出了实验结果.     

银纳米颗粒减反射特性的理论研究

为增强晶体硅太阳电池的光利用效率,提高光电转换效率,研究了金属银纳米颗粒的光学散射性质.基于银纳米粒子表面等离子激元效应和MIE散射理论,采用Matlab数值计算,理论分析了不同银纳米颗粒尺寸和银粒子分布密度对太阳光谱各波长的散射特性.获得了实现高的光透过率所需最佳银纳米颗粒半径范围,研究发现随着银纳米颗粒半径增加,偶极峰红移、高极峰逐渐出现.定量地给出了最佳颗粒分布密度随银粒子半径的变化规律,建立了计算减反射膜透射率的理论方法,找到了银纳米颗粒光学透过率的简单函数表达式,能为实验研究提供理论指导. 关键词： 银纳米颗粒 透过率 MIE理论 太阳电池     

中子探测晶体Li6Gd(BO3)3:Ce的光谱特性研究

文章用提拉法生长出Li₆Gd(BO₃)₃:Ce晶体,并对其光谱性能与发光过程进行了探索. 借助于真空紫外-紫外透过光谱测试,发现晶体的透过光谱中存在Ce³⁺离子和Gd³⁺的特征吸收峰,同时还存在与Ce⁴⁺离子相关的电荷迁移带. 对晶体的真空紫外-紫外激发发射光谱进行研究发现,在晶体存在着Ce³⁺离子的5d→4f辐射跃迁发光与Gd³⁺离子的4f→4f辐射跃迁发光,而且存在着Gd³⁺→Ce³⁺之间的能量传递. 对Li₆Gd(BO₃)₃:Ce晶体的X射线与γ射线激发发射光谱研究可知,晶体在高能射线激发下的闪烁光主要是Ce³⁺离子的发光. 关键词： 6Gd(BO₃)₃:Ce晶体')" href="#">Li₆Gd(BO₃)₃:Ce晶体 真空紫外-紫外透过光谱 真空紫外-紫外激发发射光谱 能量传递     

紫外光固化阳离子复合胶粘剂的制备与表征

 以三芳基六氟磷酸硫鎓盐为引发剂,钛酸四异丙酯(TIP)为无机前驱体,3,4-环氧环己基甲基3,4-环氧环己基甲酸酯为单体,制备了含TiO2纳米结构的紫外光固化阳离子复合胶粘剂。通过原子力显微镜对复合胶粘剂形貌进行表征,研究了TIP含量对胶粘剂折射率和光透过率的影响。结果表明：TiO2无机相均匀地分散在胶粘剂的聚合物基体中,平均粒径约为20 nm;随着体系中TIP质量分数的变化,复合胶粘剂折射率为1.510 3~1.540 9可调;胶粘剂的光透过率随TIP质量分数增加略有减低,但当TIP含量高达40%时,光透过率维持在90%左右。     

Photoluminescence analyses of hydrogenated amorphous silicon nitride thin films

Silicon-rich hydrogenated amorphous silicon nitride (a-SiN_x:H) films were grown by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) with different r=NH₃/SiH₄ gas flow ratios. The optical absorption characteristics were analyzed by Fourier transform infrared (FTIR) and UV-visible transmittance spectroscopies. The recombination properties were investigated via photoluminescence (PL) measurements. As r was increased from 2 to 9, the PL emission color could be adjusted from red to blue with the emission intensity high enough to be perceived by naked eye at room temperature. The behaviors of the PL peak energy and the PL band broadness with respect to the optical constants were discussed in the frame of electron-phonon coupling and band tail recombination models. A semiquantitative analysis supported the band tail recombination model, where the recombination was found to be favored when the carriers thermalize to an energy level at which the band tail density of states (DOS) reduces to some fraction of the relevant band edge DOS. For the PL efficiency comparison of the samples with different nitrogen contents, the PL intensity was corrected for the absorbed intensity fraction of the incident PL excitation source. The resulted correlation between the PL efficiency and the subgap absorption tail width further supported the band tail recombination model.     

Quasispecies distribution of Eigen model

We have studied sharp peak landscapes of the Eigen model from a new perspective about how the quasispecies are distributed in the sequence space. To analyse the distribution more carefully, we bring in two tools. One tool is the variance of Hamming distance of the sequences at a given generation. It not only offers us a different avenue for accurately locating the error threshold and illustrates how the configuration of the distribution varies with copying fidelity $q$ in the sequence space, but also divides the copying fidelity into three distinct regimes. The other tool is the similarity network of a certain Hamming distance $d_{0}$, by which we can gain a visual and in-depth result about how the sequences are distributed. We find that there are several local similarity optima around the centre (global similarity optimum) in the distribution of the sequences reproduced near the threshold. Furthermore, it is interesting that the distribution of clustering coefficient $C(k)$ follows lognormal distribution and the curve of clustering coefficient $C$ of the network versus $d_{0}$ appears to be linear near the threshold.     

γ射线辐照对a-SiC:H薄膜结构与特性的影响

 采用射频（13.56 MHz）反应溅射方法制备a-SiC:H 薄膜，并将其在空气中进行高能γ射线(平均为1.25 MeV)辐照，5个样品的吸收剂量分别为0，2×10⁴，4×10⁴，6×10⁴，8×10⁴ Gy。采用拉曼及红外光谱对薄膜的结构进行表征,得到了其结构与特性的变化规律。研究与分析表明：随样品吸收剂量的增加，陷入空穴中的电子会被激发，a-SiC:H薄膜中的SiC成份增加，电阻率变小，数量级为105Ω·cm；薄膜存在结晶化的趋势,其主要原因在于由Si－O－Si键断裂而产生的Si取代膜中C－C键中的C而形成晶态SiC，在此过程中出现了Si－O－Si键及a-SiC:H的减少，晶态SiC的增加。经γ射线辐照后薄膜的氢含量降低，折射率从5.19增大到5.53，辐照后薄膜的透过率均低于原膜的透过率。在500~2 300 cm^-1(对应波长为20.00~5.29 μm)波段内，a-SiC:H薄膜存在一定的增透作用。     

高峰值功率多注速调管的初步研究

 高峰值功率速调管因其作为高功率微波源而受到各国的重视。采用单电子注方案的高峰值功率速调管存在许多难以克服的问题,如工作电压很高,输出效率偏低,系统体积偏大等。对高峰值功率多注速调管进行了初步的研究,重点研究了S波段50 MW多注速调管的电子光学系统和高频互作用系统。研究表明,在与单注速调管相同的功率电平下,多注速调管的工作电压明显降低,输出效率明显提高,同时,这种管型也存在结构复杂、电子注聚焦和消除非工作模式困难等技术问题。     

峰值能量检测及其在被动声纳显示中的应用

本文介绍子带峰值能量检测方法及其在被动声纳显示和检测中的应用[2-4]，同时提出了波束域宽带峰值能量检测算法。新的波束域算法是在已有波束形成的基础上进行处理，不需对原系统进行较大的修改。通过波束域宽带峰值能量检测处理，可以改善声纳显示效果，更加清晰地显示目标方位。相对于高分辨率波束形成算法，两种峰值能量检测算法的运算量都比较低，具有一定的工程应用前景。通过计算机仿真和实测数据处理，验证了所述两种峰值能量算法在提高显示清晰度，减小测向模糊度方面的优点。     

反向驱动的异质结有机薄膜电致发光

成功制备了结构为ITO／PDDOPV／PPQ／Al的异质结聚合物发光二极管。该器件在正反向偏压下均可发光。在正向偏压下的光发射主要来自PDDOPV，但在反向偏压下的光发射则包括来自PPQ的蓝光发射和PDDOPV的黄光发射。蓝光强度与黄光强度的比值随着反向偏压的增加而增加，当反向直流电压分别为22V、24V、26V、28V时，其电致发光光谱中PPQ与PDDOPV的峰高比IPPQ／IPDDOPV分别为1．092、1．329、1．605、2．046。换句话说，该器件的发光颜色是压控可调的，这对实现彩色显示是极为有利的。分析了在反向偏压下的发光机理以及IPPQ／IPDDOPV受电压控制的原因。