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931.
考虑液面波动和液体压缩时一侧受液作用悬臂梁的横振分析 总被引:2,自引:0,他引:2
本文分析一侧部分受有液体作用悬臂梁的横向自由振动,同时考虑了液面波动和液体可压缩性对悬臂梁自振特性的影响。利用一组广义三角级数的正交完备性,求得了悬臂梁与液体耦联振动的振型函数和频率方程的精确解析解,最后给出了几个数值算例。 相似文献
932.
闪光X射线机技术在中国工程物理研究院(下称CAEP)已有三十年的发展历史在爆轰物理学和y射线辐照效应研究中发挥了重要作用。本文总结了CAEP几种类型闪光X射线机的研制概况,阐述了高压脉冲技术、场发射技术、强流束聚焦等的研究进展,并介绍几种装置的主要技术参数。闪光X射线机是研究爆轰物理过程及其它高速瞬变过程的重要工具。国防科学技术研究中,大型闪光X射线机的研制具有很大的意义。文中对开拓强流电了束新的应用领域提出了展望。 相似文献
933.
934.
In this paper we show that pseudomorphically strained heterostructures of InAs
x
P1−x
/InP may be an alternative to lattice-matched heterostructures of In1−x
Ga
x
As
y
P1−y
/InP for optoelectronic applications. We first studied the group-V composition control in the gas-source molecular beam epitaxy
(GSMBE) of the GaAs1-x
P
x
/GaAs system. Then we studied GSMBE of strained InAs
x
P1−x
/InP multiple quantum wells with the ternary well layer in the composition range 0.15 <x < 0.75. Structural and optical properties were characterized by high-resolution x-ray rocking curves, transmission electron
microscopy, absorption and low-temperature photoluminescence measurements. High-quality multiple-quantum-well structures were
obtained even for highly strained (up to 2.5%) samples. The achievement of sharp excitonic absorptions at 1.06, 1.3 and 1.55μm at room temperature from InAs
x
P1−x
/InP quantum wells suggests the possibility of long-wavelength optoelectronic applications. 相似文献
935.
空心束虚阴极激励微波的主模式的研究 总被引:4,自引:3,他引:1
把虚阴极振荡激励微波的过程看成是一个时空振荡电流元激励微波的过程,在薄电荷层近似下,求得空心束虚阴极激励微波的主模式关系,并讨论了束几何位形与微波输出功率之间的关系。我们所确定的主模式与实验和粒子模拟的结果相符。 相似文献
936.
Measurement of minority carrier lifetime in n-type MBE HgCdTe and its dependence on annealing 总被引:1,自引:0,他引:1
D. D. Edwall R. E. DeWames W. V. McLevige J. G. Pasko J. M. Arias 《Journal of Electronic Materials》1998,27(6):698-702
Results are presented for minority carrier lifetime in n-type molecular beam epitaxy Hg1−xCdxTe with x ranging from 0.2 to 0.6. It was found that the lifetime was unintentionally degraded by post-growth annealing under
Hg saturated conditions in a H2 atmosphere that was both time and temperature dependent. This effect was minimal or non-existent for x∼0.2 material, but
very strong for x ≥ 0.3. Hydrogen was identified as responsible for this degradation. Identical annealing in a He atmosphere
avoids this degradation and results in neartheoretical lifetime values for carrier concentrations as low 1 × 1015 cm−3 in ≥0.3 material. Modeling was carried out for x∼0.2 and x∼0.4 material that shows the extent to which lifetime is reduced
by Shockley-Real-Hall recombination for carrier concentrations below 1 × 1015 cm−3, as well as for layers annealed in H2. It appears that annealing in H2 results in a deep recombination center in wider bandgap HgCdTe that lowers the lifetime without affecting the majority carrier
concentration and mobility. 相似文献
937.
高斯光束在任意分布的径向梯度折射率介质中传输的计算方法 总被引:1,自引:0,他引:1
根据弱波导近似,本文建立了处理高斯光束在任意分布的径向梯度折射率介质中传输的计算方法,并具体计算和讨论了高斯光束腰斑在沿径向呈抛物型分布的介质中随传输距离的变化情况,其数值结果与解析近似符合。 相似文献
938.
939.
F. Pereira Dos Santos J. Léonard Junmin Wang C. J. Barrelet F. Perales E. Rasel C. S. Unnikrishnan M. Leduc C. Cohen-Tannoudji 《The European Physical Journal D - Atomic, Molecular, Optical and Plasma Physics》2002,19(1):103-109
We recently observed a Bose-Einstein condensate in a dilute gas of 4He in the 23S1 metastable state. In this article, we describe the successive experimental steps which led to the Bose-Einstein transition
at 4.7 μK: loading of a large number of atoms in a MOT, efficient transfer into a magnetic Ioffé-Pritchard trap, and optimization
of the evaporative cooling ramp. Quantitative measurements are also given for the rates of elastic and inelastic collisions,
both above and below the transition.
Received 15 October 2001 相似文献
940.